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5 年
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一般的な説明:
JY12MはNとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタで,高細胞密度DMOSトレンチ技術を使用して製造されています.この高密度プロセスは,特に状態での抵抗を最小限にするために設計されています携帯電話やノートPCなどの低電圧アプリケーションに特に適しています.と低線電力の損失は,非常に小さな輪郭表面マウントパッケージで必要.
特徴:
| 装置 | RDS (オン)マックス | 私はDMAX(25°C) |
| Nチャンネル | 20mΩ@VGS=10V | 8.5A |
| 32mΩ@VGS=4.5V | 7.0A | |
| Pチャンネル | 45mΩ@VGS=10V | -5.5A |
| 85mΩ@VGS=−4.5V | -4.1A |
*低入力容量
*高速切換速度
応用:
● 電力 管理
● DC/DC 変換器
● DC モーター コントロール
● LCD テレビ と モニター ディスプレイ インバーター
● CCFL インバーター
PIN 設定:
絶対最大濃度 (Ta=25°C) ほかには記載がない場合)
| パラメータ | シンボル | Nチャンネル | Pチャンネル | ユニット | |||
| 10秒 | 安定して | 10秒で | 安定して | ||||
| 排気源電圧 | VDSS | 30 | -30歳 | V | |||
| ゲートソース電圧 | VDSS | ±20 | ±20 | ||||
| 連続流流 | Ta=25°C | 私はD | 8.5 | 6.5 | -7番目0 | - 5つ3 | A について |
| Ta=70°C | 6.8 | 5.1 | - 5つ5 | - 4つ1 | |||
| パルスドレイン電流 | 私はDM | 30 | -30歳 | ||||
| 最大電力消耗 | Ta=25°C | PD | 1.5 | W | |||
| Ta=70°C | 0.95 | ||||||
| 動作交差点温度 | TJ | -55~150 | °C | ||||
| 熱抵抗と環境との交差点 | RΘJA | 61 | 100 | 62 | 103 | °C/W | |
| 熱耐性結合とケース | RΘJC | 15 | 15 | °C/W | |||
SOP-8 パッケージ概要:
| 薄い | ミリメートル | |
| ミニ | マックス | |
| A について | 1.35 | 1.75 |
| A1 | 0.10 | 0.25 |
| B について | 0.35 | 0.49 |
| C について | 0.18 | 0.25 |
| D | 4.80 | 5.00 |
| E について | 3.80 | 4.00 |
| e | 1.27BSC | |
| H | 5.80 | 6.20 |
| h | 0.25 | 0.50 |
| L について | 0.40 | 1.25 |
| Θ | 0° | 7° |
生産の詳細については,メールで私たちと連絡してください: ivanzhu@junqitradinig.com