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7 年
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JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。
概説
プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者です
P-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 Nチャネルを運転するのに使用することができます
150Vまで作動するIGBTかMOSFETに独自に動力を与えて下さい。論理の入力はあります
、3.3V論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性がある。出力
運転者は最低の運転者の十字のために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にします
伝導。伝搬遅延は高周波の使用を簡単にするために一致します
適用。
特徴
互換性がある● 3.3Vの論理
+150Vに完全に機能した●
ブートストラップ操作のために設計されている●の浮遊チャネル
5.5Vからの20Vへの●のゲート ドライブ供給の範囲
●は源/流しの現在の機能450mA/850mAを出力しました
●のすべての地勢学を収容する独立した論理の入力
● -5Vの陰性対能力
両方のチャネルのための●によって一致させる伝搬遅延
適用
●力MOSFETまたはIGBTの運転者
小さい●および媒体力のモーター運転者
Pinの記述
| ピン ナンバー | Pin名前 | Pin機能 |
| 1 | VCC | 低い側面および主力供給 |
| 2 | HIN | 出力される高い側面のゲートの運転者のために入る論理（HO） |
| 3 | 林 | 論理は出力された低い側面のゲートの運転者のために入りました（LO） |
| 4 | COM | 地面 |
| 5 | LO | 林との段階の低い側面のゲート ドライブ出力、 |
| 6 | 対 | 高い側面の浮遊供給のリターンかブートストラップのリターン |
| 7 | HO | HINの段階の高い側面のゲート ドライブ出力、 |
| 8 | VB | 高い側面の浮遊供給 |
絶対最高評価
| 記号 | 定義 | 最少。 | MAX. | 単位 |
| VB | 高い側面の浮遊供給 | -0.3 | 150 | V |
| 対 | 高い側面の浮遊供給のリターン | VB-20 | VB +0.3 | |
| VHO | 高い側面のゲート ドライブ出力 | VS-0.3 | VB +0.3 | |
| VCC | 低い側面および主力供給 | -0.3 | 25 | |
| VLO | 低い側面のゲート ドライブ出力 | -0.3 | VCC +0.3 | |
| VIN | HIN&LINの論理の入力 | -0.3 | VCC +0.3 | |
| ESD | HBMモデル | 2500 | V | |
| 機械モデル | 200 | V | ||
| PD | パッケージの電力損失@TA≤25ºC | — | 0.63 | W |
| RthJA | 包囲されたへの熱抵抗の接続点 | — | 200 | ºC/W |
| TJ | 接合部温度 | — | 150 | ºC |
| TS | 保管温度 | -55 | 150 | |
| TL | 鉛の温度 | — | 300 |
注:これらの評価を超過することは装置を損なうかもしれません
ダウンロードJY21Lの利用者マニュアル