mosfetのトランジスター

HEXFETパワーMOSFETトランジスタ、パワーMOSFETモジュールIRF7329 トレンチ技術 超低オン抵抗 デュアルPチャネルMOSFET ロープロファイル（<1.8ミリメートル） テープ＆リールで利用可能 無鉛の 説明 インターナショナル.........

STD12N10L MOSFETのトランジスターとの強力な性能を得なさいSTD12N10L MOSFETのトランジスターの使用の賛否両論 あなたの電子デバイスからの強力な性能のシーカーとして、多分STD12N10L MOSFETのトランジスターに出くわした。これらのトランジスター部品は並ぶも.........

D1028UK RF MOSFET トランジスタ RF MOSFET N-CH 70V 30A 5ピンケース DR 製造者: TT電子 製品カテゴリー: RF MOSFET トランジスタ トランジスタの偏性: Nチャンネル テクノロジー そうだ Id - 連続流出電流:.........

FDMS6681Z MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFNオリジナルMosfetのトランジスター プロダクト 記述: 1. フェアチャイルドの半導体FDMS6681Zのトランジスター、MOSFETのP-channel、-49A、-30V.........

平面Nチャネル高電力MOSFET 表面マウント 工業モスフェットトランジスタ 製品説明: 高功率MOSFETは -55°Cから+175°Cの 幅広い温度範囲で動作するように設計されており 極端な環境でも使用できますN型構成で最適性能を保証する効率性と信頼性が高い. 設計者やエンジニアが 信頼性と........

IRF640NSTRLPBF NチャネルMOSFETトランジスタ200V 18A（Tc）150W（Tc）表面実装D2PAK 先端プロセス技術 ダイナミックdv / dt定格175℃動作温度 ファストスイッチング完全雪崩評価 並列化の容易さ シンプルなドライブ要件 説明 インターナショナ.........

製品説明: 高電圧MOSFETは超高電圧MOSFETで,高電圧MOSFETトランジスタの一種で,熱消耗と低電阻の点で優れた性能を提供します.新しい横変形ドーピング技術などの先進的な機能が装備されています特殊電源MOS構造と高温での優れた特性により,従来の高電圧MOSFETよりも優れたパフォーマン........

製品範囲 STB24N60DM2半導体は分離したMosfetのトランジスター電界効果トランジスタに動力を与える N-Channel N-channel 600 V、0.13 Ωのタイプ。、Dの²朴の21のMDmesh™ DM2力のMOSFETs、TO-220およびTO-247パッケージ.........

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FDA50N50高圧Mosfet 48A 500V DMOS AC−DCの電源のトランジスター 記述 UniFET MOSFETはオン・セミコンダクターの平面の縞に基づく高圧MOSFET家族である DMOSの技術。このMOSFETはon−stateの抵抗を減らし、よりよく提供するために合う.........

集積回路の破片SCT4018KEC11 TO-247-3のN-channel SiC力MOSFETのトランジスター SCT4018KEC11の製品の説明 SCT4045DW7HRTLは750V 31A （Tc）の93W自動車等級のN-channel SiC力MOSFETのトランジスター、パ.........

熱いMosfetのトランジスターSak-tc387qp Sak-tc387qp-160f300s Ae Tc387qp-160f300s電子工学の部品 MOSFET （金属酸化物半導体のfield-effectのトランジスター）は転換装置として電子回路で一般的のタイプのトランジスターである。.........

集積回路IC E047 05 モスフェットトランジスタ TO247 IRFP064NPBF P3 LEDモジュールトランジスタアンプパーツトランジスタ [Wh はo - そうか?] シェンzhen QINGFENGYUAN Technology Co., Ltd 2013年に設立され,.........

製品名:PD57018-E 製造業者:STMicroelectronics 製品カテゴリ:RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター トランジスター極性:N-Channel 技術:Si.........

ISO9001.pdf 適用:IPD80R1K4P7は高性能DC-DCのコンバーターおよび電源の塗布で一般的なN-channel MOSFETのトランジスターである。それは低電圧で作動でき、低電圧の適用でそれを使用のために非常に適したようにする低い抵抗および高い切り替え速度がある。結論:IPD80.......

NTA4153NT1G IC 電子部品 小信号 MOSFET トランジスタ 製品説明 格付け値を超えた −40°Cから+105°Cの温度 部品番号NTA4153NT1G製造されたものオン電子製品の主要販売業者の一つとして,私たちは世界のトップメーカーから多くの電子部品を運んでいます..........

質が良い電子部品中国GSエレクトロニクスからのサプライヤー MMBT3906LT1G - 製品の詳細 紹介:MMBT3906LT1Gは,高品質のPNPトランジスタで,コンパクトなパッケージで優れたパフォーマンスと信頼性を提供しています.このトランジスタはアンプに使えるのに適しています特殊な電気.........

AO4447Aの電子集積回路のトランジスターAOS 1.General記述AO4447Aは低いゲート充満を優秀なRDSに（）与えるのに高度の堀の技術を使用する。この装置は負荷スイッチおよび電池の保護適用にとって理想的である。RoHSおよびハロゲンなしの迎合的 2.Applicationsシステム........

DMT6009LSS-13単一MOSFET Nチャネル60V 10.8Aのトランジスター FETS MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2の分離した半導体 DMT6009LSS-13指定: 部品番号 DMT60......

MOSFET IRLML5103TRPBF チップ ダイオード トランジスタ集積回路 製品説明 MOSFET MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl 製品特性...