60V10.8AダイオードトランジスタFETSDMT6009LSS-13シングルMOSFETNチャネル
型式番号:DMT6009LSS-13
原産地:中国
最低順序量:10
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力:500000PCS
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DMT6009LSS-13単一MOSFET Nチャネル60V 10.8Aのトランジスター
FETS MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2の分離した半導体
DMT6009LSS-13指定:
| 部品番号 | DMT6009LSS-13 |
部門 | 分離した半導体製品 |
単一トランジスター- FETs、MOSFETs - | |
Mfr | 組み込まれるダイオード |
シリーズ | - |
パッケージ | テープ及び巻き枠（TR） |
部分の状態 | 活動的 |
FETのタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET （金属酸化物） |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 60ボルト |
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 10.8A （Ta） |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V |
（最高） @ ID、VgsのRds | 9.5mOhm @ 13.5A、10V |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 2V @ 250µA |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 33.5 NC @ 10ボルト |
Vgs （最高） | ±20V |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1925 pF @ 30ボルト |
FETの特徴 | - |
電力損失（最高） | 1.25W （Ta） |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
製造者装置パッケージ | 8-SO |
パッケージ/場合 | 8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅） |
基礎プロダクト数 | DMT6009 |
関連製品:
DMT6009LSS-13特徴
*ガラス不動態化された破片
*作り付けのストレイン・レリーフ
*低いインダクタンス
*最も高いピークの逆の電力損失
*低い逆の漏出
*人体モデルごとのクラス3 （> 20のkV）のESDの評価
天使技術の供給のスイッチング・ダイオード、ツェナー ダイオード、ショットキー障壁の整流器、橋整流器、RoHSおよび範囲の標準に従うTV、ESDの防御装置、両極トランジスター、MOSFETs、サイリスタ、等。私達の証明された工場に一貫して信頼できる半導体の部品を15億毎年作り出すことができる500人以上の従業員がある。最先端の装置およびERPのシステム管理を持つ私達の会社はよい市場のイメージを確立することに努力している。工場はISO9001質の証明、ISO14001環境管理システム証明を渡した。すべてのプロダクトはSGSテスト、ROHSおよび範囲1907/2010/EC 48の規準を渡した。製品品質および専門のアフターセールスのテクニカル サポートの連続的な改善によって、私達は会社のブランドの顧客の信頼に勝った。私達のプロダクトはPC力、緑の照明、セット トップ ボックス、デジタル プロダクト、自動車の、産業制御、国内および外国の有名な製造業者の顧客に役立つ他の分野、および通信設備で広く利用されている。「追求の新型、洗練および新しさ」は私達の質の環境方針として扱われる。私達に私達のプロダクトで誠実および信頼性がある。開発の年後で、私達のプロダクトは市場によって確認され、賞賛された。私達は顧客のための価値を作成し技術革新を続ける。将来、私達の会社はより急速で全体的な電子産業の挑戦に応じて成長の半導体の電子工学の市場の企業の開発にそれ自身を、捧げる。
60V10.8AダイオードトランジスタFETSDMT6009LSS-13シングルMOSFETNチャネル
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