mosfet をスイッチとして

OEM NチャネルMosfetのトランジスター、小さいMosfetの電源スイッチの強化モード NチャネルMosfetのトランジスター記述 UTC 12N60-Cは速い切換えの時間、低いゲート充満、低いオン州の抵抗および高く険しいなだれの特徴のようなよりよい特徴を、持つように設計されている.........

4A700V〜220F CS4N70A2 スイッチモード電源のための高速スイッチング高電圧MOSFET 部分番号 パッケージ チャンネル ID(A) VDSS(V) VGSS(V) VGS (th) (V) RDS ((ON)10V (mΩ) Qg(nC) シス(pF).........

IPP045N10N3GXKSA1 MOSFET 電源 スイッチング用途向けエレクトロニクス NC チャネル MOSFET FETタイプ Nチャンネル...

速い切換えのIRF540NS Nチャネル100V 33A 130W D2PAK MOSFET 特徴 高度の加工技術 超低いオン抵抗 動的dv/dtの評価 175°C実用温度 速い切換え 評価される十分になだれ 無鉛 記述 高度HEXFET®力のMOSFETsからの 国際的な整流器は高度の処理を利用し......

N-Channel 1000V Mosfet STF5NK100Zの切換えの適用3.5A 100V 3.7Ohm力MOSFET 適用 転換の適用 記述 SuperMESH™の新しい一連の力のMOSFETSは確立したST'Sのそれ以上の設計改善の結果である ストリップはPowerMES.........

IRFP4229PbF PDPスイッチ 特徴 •高度なプロセス技術 •PDPサステイン、エネルギー回収、パススイッチアプリケーションに最適化された主要パラメータ •PDPサスティン、エネルギー回収およびパススイッチアプリケーションにおける電力損失を低減する低E PULSE定格.........

HXY9926A 20Vの二重N-Channel MOSFET 概説 HXY9926Aは高度の堀の技術をに使用する 優秀なRDS （）、低いゲート充満および操作を提供しなさい 1.8V低いゲートの電圧を使って12Vを保っている間 VGS （MAX）の評価。この装置は単方向.........

JY14M N チャネル増強モード BLDC モータードライバーのパワー MOSFET 一般的な説明 JY14Mは,高セルを達成するために最新の溝処理技術を使用高重複の雪崩の評価. これらの電源は,電源の回転速度を低減し,電源の抵抗を低減します.この設計を非常に効率的で信頼性の高い装置にする.........

スイッチ モード電源のためのJY8N5M Nチャネルの強化モード力MOSFET 概説プロダクトは高い細胞密度を達成するのに高度の平面の加工の技巧を利用し、高く反復的ななだれの評価のオン抵抗を減らす。これらの特徴はこの設計に力の切換えの適用および他のいろいろ適用の使用のための非常に有効な、信頼でき........

DPAKの100V N-CHANNELの強化モードMOSFET 概要 V （BR） DSS=100V:RDS （） =0.085;ID =7.7A 記述 Zetexからの堀のMOSFETsのこの新しい世代は速い切り替え速度と低いオン抵抗の利点を結合する独特な構造を利用する。これはそ.........

4チャンネルリレーモジュールDCモータPLCモスフェット制御スイッチ、PLC出力モジュール PLCトランジスタ出力とリレー出力の違い 1、トランジスタ出力 高速出力：サーボ/ステッパを温度PID制御などの動作周波数が高い出力に使用する場合は、主にステッピングモータ制御、サーボ制御、およびソ.........

製品説明: パワーICチップは,Toshibaが特別に設計・製造した信頼性とコスト効率の良い製品である.MOSFET NとS1F(Sから構成され,電子機器の様々な用途に最適です-55°Cから+150°Cの温度範囲と5%から95%RHの湿度範囲で動作することができます.30-120Aの電流範囲とあ........

製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

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製品説明: 高電圧MOSFETは,高電圧アプリケーションのための高効率MOSFETの一種である.高周波操作のために設計され,太陽光インバーター,高電圧DC/DC変換器,モータードライバー,UPS電源,スイッチ電源,充電スタイルなど. 装置は,国家軍事標準の生産ラインに基づいています.信頼性の高い........

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SI7804DN-T1-E3DKR-ND MOSFET 推奨されるアルト 製品属性 属性値 製造者: ヴィシェイ 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: パワーパック1.........

分離した半導体製品IPDQ60R040S7XTMA1のMOSFETsのトランジスター IPDQ60R040S7XTMA1の製品の説明 IPDQ60R040S7XTMA1力のMOSFETsはMOSFETsが低頻度で転換するxEVの塗布に演説するsuperjunctionのMOSF.........