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3 年
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IPP045N10N3GXKSA1 MOSFET 電源
スイッチング用途向けエレクトロニクス NC チャネル MOSFET
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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6V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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4.5ミリオーム @ 100A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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3.5V @ 150μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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117 nC @ 10 V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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8410 pF @ 50 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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214W(Tc)
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動作温度
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-55℃～175℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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PG-TO220-3
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パッケージ・ケース
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説明：
IPP045N10N3GXKSA1 MOSFET は、高速スイッチング アプリケーション向けに設計されています。これは、アバランシェエネルギー定格が 70mJ、ドレイン電流定格が 45A、ドレイン・ソース間オン状態抵抗が 0.010 オーム、ゲート充電定格が 31nC の N チャネルエンハンスメントモード MOSFET です。また、しきい値電圧は 2.0V、総ゲート電荷は 46nC です。
さらに、最大ドレイン・ソース間電圧は 45V、最大ドレイン・ソース間オン状態抵抗は 0.013 オーム、最大ゲート・ソース間電圧は 20V です。MOSFETは、RoHS準拠のPowerPAK SO-8Nパッケージに収容されています。これは、最大ドレイン・ソース間電圧100VのNチャネルMOSFETです。RDS(on) は 0.45Ω、ID は 45A です。高速スイッチング用途に最適です。
特徴：
• 最大ドレイン・ソース間電圧: 100V
• RDS(オン): 0.45Ω
• ID: 45A
• 高速スイッチング速度
• 低いゲートしきい値電圧
• 低いオン抵抗
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