IPP045N10N3GXKSA1 MOSFET パワー エレクトロニクス NC チャネル MOSFET スイッチング アプリケーション用
型式番号:IPP045N10N3GXKSA1
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IPP045N10N3GXKSA1 MOSFET 電源
スイッチング用途向けエレクトロニクス NC チャネル MOSFET
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.5ミリオーム @ 100A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 150μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 117 nC @ 10 V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 8410 pF @ 50 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 214W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～175℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO220-3 | |
パッケージ・ケース |
説明：
IPP045N10N3GXKSA1 MOSFET は、高速スイッチング アプリケーション向けに設計されています。これは、アバランシェエネルギー定格が 70mJ、ドレイン電流定格が 45A、ドレイン・ソース間オン状態抵抗が 0.010 オーム、ゲート充電定格が 31nC の N チャネルエンハンスメントモード MOSFET です。また、しきい値電圧は 2.0V、総ゲート電荷は 46nC です。
さらに、最大ドレイン・ソース間電圧は 45V、最大ドレイン・ソース間オン状態抵抗は 0.013 オーム、最大ゲート・ソース間電圧は 20V です。MOSFETは、RoHS準拠のPowerPAK SO-8Nパッケージに収容されています。これは、最大ドレイン・ソース間電圧100VのNチャネルMOSFETです。RDS(on) は 0.45Ω、ID は 45A です。高速スイッチング用途に最適です。
特徴：
• 最大ドレイン・ソース間電圧: 100V
• RDS(オン): 0.45Ω
• ID: 45A
• 高速スイッチング速度
• 低いゲートしきい値電圧
• 低いオン抵抗
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IPP045N10N3GXKSA1 MOSFET パワー エレクトロニクス NC チャネル MOSFET スイッチング アプリケーション用
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