国際直線機 モスフェット

限られる優秀な総合システムは（限られるEIS） IRLML6346TRPBF - IR （国際的な整流器） -の専門のストッキングのディストリビューターHEXFET力MOSFETです.........

FDMS7660AS 高効率パワー エレクトロニクス アプリケーション向け N チャネル 30V 82A 同期整流 MOSFET 8-PQFN パッケージ 雨から電源までの電圧 (Vdss) 30V.........

GS5M 5Aの標準的な整流器の国際的な整流器ダイオード 標準的な国際的な整流器ダイオードGS5M 5A 1000Vの表面の台紙のダイオード GS5A~GS5M SMC Datasheet.pdf 特徴: プラスチック パッケージは保険業者の実験室の燃焼性の分類94V-0を運ぶ プリント基板のための......

製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

MOSFET力トランジスターを転換するIRF640NPBFのすくいTRANS Nチャネル200V 18A記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETの®力MOSFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFE.........

速い切換えのIRF540NS Nチャネル100V 33A 130W D2PAK MOSFET 特徴 高度の加工技術 超低いオン抵抗 動的dv/dtの評価 175°C実用温度 速い切換え 評価される十分になだれ 無鉛 記述 高度HEXFET®力のMOSFETsからの 国際的な整流器は高度の処理を利用し......

HEXFETパワーMOSFETトランジスタ、パワーMOSFETモジュールIRF7329 トレンチ技術 超低オン抵抗 デュアルPチャネルMOSFET ロープロファイル（<1.8ミリメートル） テープ＆リールで利用可能 無鉛の 説明 インターナショナル.........

IRF640N汎用整流ダイオードNチャネル200V 18A（Tc）150W（Tc）スルーホールTO-220AB 高度なプロセス技術ダイナミックdv / dt定格175°C動作温度高速スイッチング完全な雪崩定格簡単な並列駆動の要件 International Rectifierの第5世代HEXFET®......

新しく、元のIRLML6401 N-Channel MOSFET SOT23-3 IRLML6401TRPBF プロダクト 記述: MOSFET;力;P CH;VDSS -12V;RDS （） 0.05Ohm;ID -4.3A;Micro3;PD 1.3W;VGS +/-8V......

IRLML5203TRPBF Infineon/IR MOSFET MOSFT P CH -30V -3A 98mOhm 9.5nCの丸太Lvl 1.超低いオン抵抗P-Channel MOSFET表面の台紙テープ及び巻き枠で利用できる低いゲート充満無鉛迎合的なRoHSハロゲンなし.........

HEXFET力Mosfetのトランジスター、力mosfetモジュールIRF7329 か。堀の技術か。 超低いオン抵抗 か。二重P-Channel MOSFET か。 控えめ（ テープ及び巻き枠で利用できるか。 無鉛 記述 国際的な整流.........

IRF3205PBFのケイ素のNpn力トランジスター55V 110A 8.0mΩ力MOSFET Npn力トランジスター 記述 国際的な整流器からの高度HEXFET®力のMOSFETsは達成するのに高度の加工の技巧を利用する ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。速い切り替え速度と結合され、高耐久.........

オリジナルPチャネルMosfet IRLML6402TRPBF /集積回路IC Pチャネル 説明： International RectifierのこれらのPチャネルMOSFETは、 非常に低いオン抵抗を実現する高度な処理技術 シリコン面積ごと。 この利点は、高速と組み合わせて.........

製品の説明 Infineon HEXFET力MOSFET Nチャネル55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBFインフィニオン・テクノロジーズ/国際的な整流器IOR HEXFET MOSFETのN-Channel 55V 30A DPAKの分離した半導.........

IRLR3915TRPBF Infineon Technologies / International Rectifier IOR HEXFET MOSFET N-Channel 55V 30ADPAKディスクリート半導体製品 Nチャンネル55V 30A（Tc）120W（Tc）表面.........

高い発電MOSFET FDMQ8205 GreenBridgeTM 2つの一連の高性能橋整流器 [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学（香港）のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客のためのサービス、専門にするであり、未.........

電池直す器 / 設備コンパートメント付き,ガルバン化鋼防水屋外電源キャビネット 詳細は 原産地:中国 (本土) シェンゼン 外部寸法:W×D×H 900×900×2100mm 内部寸法:W×D×H 800×800×1800mm ブランド名:ESTEL 構造:サンドイッチ.........