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製品の説明
IRLR3915TRPBFインフィニオン・テクノロジーズ/国際的な整流器IOR HEXFET MOSFETのN-Channel 55V 30A DPAKの分離した半導体製品
N-Channel 55 V 30A （Tc）の120W （Tc）表面の台紙D朴
記述
このHEXFET®力MOSFETはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに最も最近の加工の技巧を利用する。
このプロダクトの付加的な特徴は175°C接続点実用温度、速く切り替え速度および改善された反復的ななだれの評価である。これらの特徴はこの設計にいろいろ適用の使用のための非常に有効な、信頼できる装置をするために結合する。
特徴:
Tjmax D朴IRLR3915PbF私朴IRLU3915PbFの草原まで許可される高度の加工技術の超低いオン抵抗175°Cの実用温度の速い転換の反復的ななだれ
| 部品番号 | IRLR3915TRPBF |
| 基礎部品番号 | IRLR3915 |
| EU RoHS | 免除と迎合的 |
| ECCN （米国） | EAR99 |
| 部分の状態 | 活動的 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
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部門
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分離した半導体製品
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単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
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Mfr
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インフィニオン・テクノロジーズ
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シリーズ
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HEXFET®
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パッケージ
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テープ及び巻き枠（TR）
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部分の状態
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活動的
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FETのタイプ
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N-Channel
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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55ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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30A （Tc）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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14mOhm @ 30A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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3V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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92 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±16V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1870 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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120W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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D朴
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パッケージ/場合
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TO-252-3、DPak （2つの鉛+タブ）、SC-63
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基礎プロダクト数
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IRLR3915
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