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IRF640Nの一般目的の整流器ダイオードのN-Channel 200V 18A （穴TO-220ABを通したTc） 150W （Tc）
か。高度の加工技術か。動的dv/dtの評価か。175°C実用温度か。速い切換えか。評価される十分になだれか。平行になる容易さか。簡単なドライブ条件
国際的な整流器からの第5世代HEXFET®力のMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。TO-220パッケージはおよそ50ワットへの電力損失のレベルのすべての商業産業適用のために一般に好まれる。TO-220の低い熱抵抗そして低いパッケージの費用は企業中の広い受諾に貢献する。D2PakはHEX-4まで死ぬ収容するサイズことができる表面の台紙力のパッケージである。それはあらゆる既存の表面の台紙のパッケージの高い発電の機能そして最も低く可能なonresistanceを提供する。D2Pakは低い内部関係の抵抗のために高い現在の適用のために適して、典型的な表面の台紙の塗布の2.0Wまで散ることができる。によ穴版（IRF640NL）は控えめな適用のために利用できる。
www.irf.com 1
か。
| 製品特質 | 完全に選びなさい |
| 部門 | 分離した半導体製品 |
| 単一トランジスター- FETs、MOSFETs - | |
| 製造業者 | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | HEXFET® |
| 包装 | 管 |
| 部分の状態 | 活動的 |
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 200V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 18A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 150 mOhm @ 11A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 67nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1160pF @ 25V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 150W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） |
| タイプの取付け | 穴を通して |
| 製造者装置パッケージ | TO-220AB |
デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社
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