FDMS7660AS MOSFET パワーエレクトロニクス 30V 82A 同期整流 MOSFET
型式番号:FDMS7660AS
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細
会社概要
製品詳細
FDMS7660AS 高効率パワー エレクトロニクス アプリケーション向け N チャネル 30V 82A 同期整流 MOSFET 8-PQFN パッケージ
雨から電源までの電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.4ミリオーム @ 25A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 1mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 90nC @ 10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6120 pF @ 15 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 2.5W(Ta)、83W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
パッケージ・ケース |
ON Semiconductor FDMS7660AS N チャネル パワー MOSFET、8-PQFN
製品説明：
FDMS7660AS は、電力変換およびスイッチング アプリケーションにおいて高効率と低電力損失を提供するように設計された N チャネル パワー MOSFET です。このデバイスは 8-PQFN パッケージで提供され、最大ドレイン・ソース間電圧 600V、最大ドレイン電流 12A、および最大ゲート電荷 90nC を特長としています。
特徴：
• NチャンネルパワーMOSFET
• 最大ドレイン・ソース間電圧: 600V
• 最大ドレイン電流: 12A
• 最大ゲート電荷: 90nC
• パッケージ: 8-PQFN
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FDMS7660AS MOSFET パワーエレクトロニクス 30V 82A 同期整流 MOSFET
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