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FDMS7660AS 高効率パワー エレクトロニクス アプリケーション向け N チャネル 30V 82A 同期整流 MOSFET 8-PQFN パッケージ
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雨から電源までの電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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2.4ミリオーム @ 25A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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3V @ 1mA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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90nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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6120 pF @ 15 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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2.5W(Ta)、83W(Tc)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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8-PQFN (5x6)
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パッケージ・ケース
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ON Semiconductor FDMS7660AS N チャネル パワー MOSFET、8-PQFN
製品説明：
FDMS7660AS は、電力変換およびスイッチング アプリケーションにおいて高効率と低電力損失を提供するように設計された N チャネル パワー MOSFET です。このデバイスは 8-PQFN パッケージで提供され、最大ドレイン・ソース間電圧 600V、最大ドレイン電流 12A、および最大ゲート電荷 90nC を特長としています。
特徴：
• NチャンネルパワーMOSFET
• 最大ドレイン・ソース間電圧: 600V
• 最大ドレイン電流: 12A
• 最大ゲート電荷: 90nC
• パッケージ: 8-PQFN
