gan on si substrate

GaN-on-Si ((111) N/P T型基板 エピタキシ 4インチ 6インチ 8インチ GaN-on-Si 基質抽象 GaN-on-Si (111) 基質は高性能電子機器および光電子機器において,その広い帯域隙間,高い電子移動性,熱伝導性により不可欠である.この基板は,シリコンのコスト効率と拡......

Si 化合物・ウェーファー,Si ウェーファー,シリコン・ウェーファー,化合物・ウェーファー,Si 基板上の GaN,シリコン・カービッド基板,4インチ,6インチ,8インチ,シリコン (Si) 基板上のガリウムナイトリド (GaN) 層 Si ワッフル上のGaNの特性 製造のために.........

2インチ支えがないSiGaN GaN （ガリウム窒化物）の基質およびウエファーPAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立した。水素化合物の蒸気段階のエピタクシー（HVPE）の技術によって育てられて、GaNの私......

ZnO結晶基板は,GaN (青いLED) エピタキシアル基板のブロードバンド接続装置および他の分野で使用されます. 亜鉛酸化物 (ZnO) の結晶基板は,GaN (青いLED) の表軸基板,ブロードバンド接続装置,その他の分野で使用されている.亜鉛酸化物単結晶は,室温で60mevのエキソン結合エネル......

記述ScAlMgO4 （MgScAlO4SCAM）の水晶は一種のGaNであり、heteroepitaxy ZnOは理想的な基質材料と最近成長した、0.3246 nm =定数に格子をつける新しい基質materials.ScAlMgO4の水晶で現在それGaNにおよびZnOは最もよく一致させるために六角形......

青および緑LEDの部品のためのサファイアの基質 製品の説明 青および緑の発光ダイオードで使用される材料は主にGaNである。GaNの早い研究はエピタキシアル水晶の欠陥の密度に終って主にずっとそれがGaNの格子定数に一致させる基質を見つけることはないので重要な進歩をしなかった。同じ鏡のよ.........

製品説明: アルミナイトリドセラミック製品概要 GaN-on-QSTは,米国Qromis社によって提供され,シリコン基板または種子結晶として使用できます. 2017年,彼らは,Kyma Technologiesと協力して,QST基材技術に基づく最初の自由立体GaN基板 (4インチ) を生産.........

2インチのGaNの型板:次元:Ф 50.8mmの± 0.1mmの厚さ:4 µm、20 µm;4つのµmのオリエンテーション:C平面の（0001） ± 0.5°の伝導のタイプ:Nタイプ（Undoped）;Nタイプ（Si添加される）;Pタイプの（Mg添加された）抵抗（300K）:<0.5 Ω·cm;<0......

大幅な直接帯域差 (3.4 eV),強い原子結合,高熱伝導性,優れた放射線抵抗性により,GaNは短波長光電子材料だけでなく,高温半導体装置の代替材料でもあります安定した物理的および化学的性質に基づいて,GaNはLEDアプリケーション (青,緑,UV光),紫外線検出器および高電力および高周波の光電子機......

トランジスターIMZA120R014M1HXKSA1 1200V 14mΩ SiC堀MOSFET TO247のパッケージ 記述 CoolSiC™ 1200ボルト、信頼性と性能を結合するために最大限に活用される最新式の堀の半導体プロセスのTO247-4パッケージの造りの14のmΩ SiC M.........

2400MHz-2500MHz 2.4GHz 2.5GHz 20W GANドローンFPVジャマー 1. 記述 ACASOMが独立して開発した 50W ドローン FPV ジャマーが主にドローンとFPVをシールドするために使用され,シールド距離は1-2kmです.この製品は,最新世.........

熱伝導性の窒化アルミニウムのAlNの産業高い陶磁器の基質 AlNの陶磁器の基質の主な特長 1. 高い熱伝導性（170 ~220） W/m.kのそれはアルミナのそれの高く5~8.5倍です 2. ケイ素(Si)のそれはのそれへの同じような熱膨張率Siの破片の高い信頼性の達成を助けます 3. 高.........

LED基板のための磨き車 適用する LED基板の磨き機は,主に2 ′′,4 ′′,6 ′′LEDエピタキシアルウエフルのバックスライディングに使用されます.高性能の韓国と台湾の磨き機. 工件:サファイアエピタキシャル・ウエファー,SiC基板エピタキシャル・ウエファー,Si基板エピタキシャル・ウエ........

ボロンドーピングダイヤモンドCVDBdd電極,シ/ニオビウム基板を覆う 仕様 製品名 ボロンドーピングダイヤモンドCVDBdd電極,シ/ニオビウム基板を覆う 色 ブラック 形状 方形,長方形,丸いなど 厚さ 0.3mm-0.8mm 使用 純粋な水 タイプ 吹.........

ナノグレード 基板チップ アルミナ 磨き粉 アルファアルミナ (コロンドム) は高硬さと良好な安定性を有する.ナノスケールアルミナは,光学レンズ,単核繊維コネクタ,微結晶ガラス基板の精密磨きに適しています.,現在では,この技術が非常に広く使われています.高明るさのGaNベースのブルーLE.........

CVDホウ素ドープダイヤモンドBDD電極、Si/ニオブ基板コーティング用 製品属性 属性 値 形状 丸型、正方形、ま...

HT-BGWのガリウム砒素のGaNのウエファーの高性能のためのガラス粉砕車輪 Hongtuoは、主要なデザイナーのような、ダイヤモンドおよびCBNの粉砕車輪の製造業者そしてディストリビューター、背部粉砕車輪の優秀な選択を提供できます。この特定の粉砕用具は2つのタイプ入って来ます:シリコンの薄.........

磨かれた表面Siのケイ素の単結晶 黒い無定形のケイ素はカーボンが付いている砂（SiO2）の減少によって得られる。ケイ素に青灰色の金属光沢があればUltra-pure水晶。バルク ケイ素は酸素、水および酸の方にun-reactive （HFを除いて）であるが、熱いアルカリで分解する。ケイ素は半導体、合......