GaNの型板2の及び4インチ

2インチのGaNの型板:

次元:Ф 50.8mmの± 0.1mm
厚さ:4 µm、20 µm;4 µm
オリエンテーション:C平面（0001）の± 0.5°
伝導のタイプ:Nタイプ（Undoped）;Nタイプ（Si添加される）;Pタイプ（Mg添加される）
抵抗（300K）:< 0.5 Ω·cm;< 0.05 Ω·cm;| 10 Ω·cm
キャリア集中:< 5x1017 cm3;> 1x1018 cm3;> 6x1016 cm3
移動性:| 300cm2/V·s;| 200 cm2/V·s;| 10 cm2/V·s
転位密度:5x108 cm-2よりより少し
基質の構造:サファイア（標準のGaN:SSPの選択:DSP）
使用可能な表面積:> 90%

4インチのGaNの型板:

次元:Ф 50.8mmの± 0.1mm
厚さ:4 µm、20 µm;4 µm
オリエンテーション:C平面（0001）の± 0.5°
伝導のタイプ:Nタイプ（Undoped）;Nタイプ（Si添加される）;Pタイプ（Mg添加される）
抵抗（300K）:< 0.5 Ω·cm;< 0.05 Ω·cm:| 10 Ω·cm
キャリア集中:< 5x1017 cm3;> 1x1018 cm3;> 6x1016 cm3
移動性:| 300cm2/V·s;| 200 cm2/V·s;| 10 cm2/V·s
転位密度:5x108 cm-2よりより少し
基質の構造:サファイア（標準のGaN:SSPの選択:DSP）
使用可能な表面積:> 90%

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現在、私達の会社は主に次のプロダクト シリーズがある:

光学コーティング材料（ケイ素酸化物および二酸化ケイ素の、チタニウム ターゲット、高純度の金属ターゲット、高純度の合金ターゲット、陶磁器ターゲット、Pt/チタニウム/SiO2のような酸化物の蒸発材料/Siのウエファーの単結晶の基質）

ナノ材料（を含む:hydroxyapatite、ナノの混合物、Au/Ag/CUのnanowires、カーボンNanohorn、 Fullerene、 Graphene）

金属材料（を含む金属板の棒、ワイヤー）

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