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企業との接触

重慶Newsinの技術Co.、株式会社

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省/州：chongqing

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GaNの型板2の及び4インチ

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原産地 :中国

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2インチのGaNの型板:

次元:Ф 50.8mmの± 0.1mm
厚さ:4 µm、20 µm;4 µm
オリエンテーション:C平面（0001）の± 0.5°
伝導のタイプ:Nタイプ（Undoped）;Nタイプ（Si添加される）;Pタイプ（Mg添加される）
抵抗（300K）:< 0.5 Ω·cm;< 0.05 Ω·cm;| 10 Ω·cm
キャリア集中:< 5x1017 cm3;> 1x1018 cm3;> 6x1016 cm3
移動性:| 300cm2/V·s;| 200 cm2/V·s;| 10 cm2/V·s
転位密度:5x108 cm-2よりより少し
基質の構造:サファイア（標準のGaN:SSPの選択:DSP）
使用可能な表面積:> 90%

4インチのGaNの型板:

次元:Ф 50.8mmの± 0.1mm
厚さ:4 µm、20 µm;4 µm
オリエンテーション:C平面（0001）の± 0.5°
伝導のタイプ:Nタイプ（Undoped）;Nタイプ（Si添加される）;Pタイプ（Mg添加される）
抵抗（300K）:< 0.5 Ω·cm;< 0.05 Ω·cm:| 10 Ω·cm
キャリア集中:< 5x1017 cm3;> 1x1018 cm3;> 6x1016 cm3
移動性:| 300cm2/V·s;| 200 cm2/V·s;| 10 cm2/V·s
転位密度:5x108 cm-2よりより少し
基質の構造:サファイア（標準のGaN:SSPの選択:DSP）
使用可能な表面積:> 90%

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