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青および緑LEDの部品のためのサファイアの基質
製品の説明
青および緑の発光ダイオードで使用される材料は主にGaNである。GaNの早い研究はエピタキシアル水晶の欠陥の密度に終って主にずっとそれがGaNの格子定数に一致させる基質を見つけることはないので重要な進歩をしなかった。同じ鏡のような表面を得るには、1991年まで高い、S. Nakamura余りにもNichia Co.の研究者はa.c. -軸線のサファイアの基質のGaNの無定形の緩衝層の低温成長を、高温でそれからそれ育てられて使用し。GaNのために、エピタキシアル部分の問題は現時点で主要な進歩を得た。
現在、高明るさの青緑色の高ライト出るダイオードのGaNの部品はサファイアのウエファーで主に育つ、最高のサイズは6インチに達しcを含む異なった軸条件、m、aを提供できさらにr.は、顧客の必要性を満たすために、また他の次世代の基質開発された。
技術仕様
サファイア（Al2O3）のウエファー
| タイプ | オリエンテーション | 厚さ（mm） | 直径 | +Z/- Z |
| 磨かれる単一の側面 | c/a/m/r | 0.43/0.5/0.65 | 2"/4"/6" | 磨かれる/ひかれる |
| 磨かれる二重側面 | c/a/m/r | 0.43/0.5/0.65 | 2"/4"/6" | 磨かれる/磨かれる |
サファイアの平らなシートの指定
| 2" | 4" | 6" | ||||||||||
| 項目 | ターゲット | 許容 | 単位 | ターゲット | 許容 | 単位 | ターゲット | 許容 | 単位 | |||
| 直径: | 50.8 | ± | 0.1 | mm | 100 | ± | 0.1 | mm | 150 | ± | 0.2 | mm |
| 厚さ: | 430 | ± | 15 | um | 650 | ± | 15 | um | 1300 | ± | 25 | um |
| 平らな長さ: | 16 | ± | 1 | mm | 30 | ± | 1 | mm | 47.5 | ± | 1 | mm |
| C平面（0001）のオフセット角（M軸線）: | 0.2 | ± | 0.1 | 程度 | 0.2 | ± | 0.1 | 程度 | 0.2 | ± | 0.1 | 程度 |
| 平らなオフセット角: | 0 | ± | 0.25 | 程度 | 0 | ± | 0.3 | 程度 | 0 | ± | 0.3 | 程度 |
| 弓: | -10 | | | 0 | um | -15 | | | 0 | um | -15 | | | 15 | um |
| ゆがみ: | ≤ 15 | um | ≤ 20 | um | ≤ 30 | um | ||||||
| TTV: | ≤ 10 | um | ≤ 10 | um | ≤ 25 | um | ||||||
| LTV （5mm*5mm）: | ≤ 2 | um | ≤ 2 | um | ≤ 2 | um | ||||||
| 前側の荒さ: | ≤ 2 | Å | ≤ 2 | Å | ≤ 2 | Å | ||||||
| 裏側の荒さ: | 0.6 | | | 1.2 | um | 0.6 | | | 1.2 | um | 0.6 | | | 1.4 | um |
プロダクト利点
パターン サファイアの基質（PSS）:サファイアの基質は成長かエッチングによってLEDの出力ライト形態を制御するためにナノ スケールの特定の規則的な微細構造パターンを作り出すように設計されている。同時に、それはサファイアの基質で減らし、エピタクシーの質を育つことができ、GaNの欠陥をLEDの内部量子効率を改善し、軽い抽出の効率を高める改善する。
それに高く健全な速度、高温抵抗、耐食性、高い硬度、高く軽い伝送、高い融点（2045°C）、等の特徴がある。
