2インチ支えがないSiGaN GaN （ガリウム窒化物）の基質およびウエファー
Brand Name:PAM-XIAMEN
Minimum Order Quantity:1-10,000pcs
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Place of Origin:China
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#506BのHenghuiの繁華街、No.77のLingxiaナンの道、ハイテクの地帯、Huli、シアムン361006、中国
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2inch支えがないSiGaN GaNの基質
PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE)の技術によって育てられて、GaNの私達の基質に低い欠陥密度がおよびより少しか自由なマクロ欠陥密度があります。
PAM-XIAMENはさまざまなオリエンテーションのGaNの基質を含むGaNのフル レンジをそして関連III-N材料および電気伝導率、crystallineGaN&AlNの型板および注文III-Nのepiwafers提供します。
2inch支えがないSiGaN GaNの基質
| 項目 | PAM FSGaN -50-SI |
| 次元 | 50.8 ±1 mm |
| 厚さ | 350 ±25 μm 430±25μm |
| オリエンテーション | Cは（0001）平になりますM軸線0.35 ±0.15°の方に角度を離れて |
| 平らなオリエンテーション | （1-100） 0 ±0.5°、16 ±1 mm |
| 平らな二次オリエンテーション | （11-20） 0 ±3°、8 ±1 mm |
| 伝導のタイプ | 半絶縁 |
| 抵抗（300K） | >106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 15のμm |
| 弓 | -20 μmの≤の弓≤ 20のμm |
| 表面の粗さ: | 前側:epi準備ができたRa<0.2nm; 裏側:良い地面または磨かれる。 |
| 転位密度 | 1 x 105から5 x 10 6cm -2から（CLによって計算される）* |
| マクロ欠陥密度 | < 2 cm-2 |
| 使用可能な区域 | > 90% （端およびマクロ欠陥の排除） |
| パッケージ | 単一のウエファーの容器のそれぞれ、クラス100のクリーン ルームで詰まる窒素の大気の下で |
GaNの基質の適用
ソリッド ステート照明:GaN装置は超高い明るさの発光ダイオード（LEDs）として、TV、自動車および全般照明使用されます
DVDの貯蔵:青い半導体レーザー
力装置:GaN装置は細胞基地局、衛星、電力増幅器および電気自動車(EV)および雑種の電気自動車(HEV)のためにインバーター/コンバーターのような強力な、高周波パワー エレクトロニクスでさまざまな部品として使用されます。電離放射線へのGaNの低い感受性は（他のグループIIIの窒化物のように）それにコミュニケーションの衛星および強力な、高周波装置、天候および監視衛星のための太陽電池の配列のようなspaceborne適用のための適した材料をします
無線基地局:RF力トランジスター
無線広帯域アクセス:高周波MMICsのRF回路MMICs
圧力センサー:MEMS
熱センサー:Pyro電気探知器
力調節:複雑な兆候GaN/Siの統合
自動車電子工学:高温電子工学
送電線:高圧電子工学
フレーム センサー:紫外線探知器
太陽電池:GaNの広いバンド ギャップは0.65のeVからの（事実上全体の太陽スペクトルである）インジウム ガリウム窒化物を作る3.4 eVに太陽スペクトルをカバーします
（InGaN）太陽電池材料を作成するための完全合金にします。このような理由で利点、GaNの基質で育つGaNの基質のウエファーのための最も重要な新規アプリケーションそして成長の市場の1つになるためにInGaNの太陽電池は安定します。
HEMTs、FETsのための理想
GaNショットキーのダイオードのプロジェクト:私達はn-のHVPE育てられた、支えがないガリウム窒化物（GaN）の層およびpタイプで製造されるショットキー ダイオードの習慣specを受け入れます。
接触は両方とも（抵抗およびショットキー） Al/TiおよびPd/Ti/Auを使用して表面で沈殿しました。
亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造
| 注目 | Referens | ||
| エネルギー ギャップ、例えば | 3.28 eV | 0 K | 等Bougrov （2001年） |
| エネルギー ギャップ、例えば | 3.2 eV | 300 K | |
| 電子親和力 | 4.1 eV | 300 K | |
| 伝導帯 | |||
| Γの谷とXの谷EΓ間のエネルギー分離 | 1.4 eV | 300 K | 等Bougrov （2001年） |
| Γの谷とL谷EL間のエネルギー分離 | 1.6 ÷ 1.9のeV | 300 K | |
| 州の有効な伝導帯密度 | 1.2 x 1018 cm-3 | 300 K | |
| 原子価バンド | |||
| 回転軌道分裂Eのエネルギーそう | 0.02のeV | 300 K | |
| 州の有効な原子価バンド密度 | 4.1 x 1019 cm-3 | 300 K |
亜鉛閃亜鉛鉱GaNのためのバンド構造
| 亜鉛閃亜鉛鉱（立方） GaNのバンド構造。原子価の伝導帯そして最高の重要な最低はバンドが付きます。 300K;例えば=3.2 eVeV;EX = 4.6 eV;EL = 4.8-5.1 eV;そうE = 0.02のeV 細部についてはSuzuki、Uenoyama及びYanase （1995年）に会って下さい。 |
| ダイヤモンドの面心立方の格子、ブラベ格子およびzincblendeの構造のブリュアン ゾーン。 |
2インチ支えがないSiGaN GaN （ガリウム窒化物）の基質およびウエファー
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