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大幅な直接帯域差 (3.4 eV),強い原子結合,高熱伝導性,優れた放射線抵抗性により,GaNは短波長光電子材料だけでなく,高温半導体装置の代替材料でもあります安定した物理的および化学的性質に基づいて,GaNはLEDアプリケーション (青,緑,UV光),紫外線検出器および高電力および高周波の光電子機器に適しています.
| 仕様 | ||
| タイプ | GaN-FS-10 | GaN-FS-15 |
| サイズ | 10.0mm×10.5mm | 14.0mm×15.0mm |
| 厚さ |
ランク300 ランク350 ランク400 |
300 ± 25 μm,350 ± 25 μm 400 ± 25 μm |
| オリエンテーション | C 軸 ((0001) ± 0.5° | |
| TTV | ≤15 μm | |
| ボウ | ≤20 μm | |
| キャリア濃度 | >5×1017/cm3 | / |
| 導管の種類 | N型 | 半断熱装置 |
| 抵抗性 ((@300K) | < 0.5 Ω•cm | >106オー•cm |
| 変位密度 | 5×10未満6cm-2 | |
| 使用可能な表面面積 | > 90% | |
| 磨き |
前面:Ra < 0.2nm.エピプリープに磨かれた 裏面: 細い地面 |
|
| パッケージ | 100級 クリーンルーム環境で,単一ワッフル容器で,窒素環境で梱包します. | |