トランジスタ IPP65R050CFD7A 集積回路チップ 650V シングルFET トランジスタ TO-220-3 製品説明IPP65R050CFD7A IPP65R050CFD7AはシングルFET,MOSFETトランジスタ パッケージはTO-220-3, Through Holeです 仕.........
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製品説明: 高電圧MOSゲートトランジスタ (High Voltage MOS-Gate Transistor,High Voltage FET) は,高電圧アプリケーションで使用するために設計された半導体装置の一種である.このデバイスは,その強力なパフォーマンスと幅広いアプリケーションのために........
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プロダクト細部 包装切りなさいテープ（CT）を部分の状態Digiキーで中断されるFETのタイプN-Channel技術MOSFET （金属酸化物）流出させなさいに源の電圧（Vdss）100V現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C2.5A （Ta）、11A （Tc）ドライブ電圧（最高Rds、最低Rd......
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MRF150 N/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路MRF150 指定 項目 価値 D/C 新しい 条件...
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DMT6009LSS-13単一MOSFET Nチャネル60V 10.8Aのトランジスター FETS MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2の分離した半導体 DMT6009LSS-13指定: 部品番号 DMT60......
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FLM0910-25F RF力トランジスターXバンド内部的に一致させたFET 記述 FLM0910-25Fはmatchedfor 50Ωsystemの最適力そして利益を提供する標準的なコミュニケーション バンド内部的にある力GaAs FETです 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG......
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オリジナルのトランジスター 2SK1305 ケイ素 N チャネル MOS FET IC の部品 オリジナルのトランジスター 2SK1305 ケイ素 N チャネル MOS FET TO-3P 特徴 • 低いオン抵抗 • 高速切換え •.........
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FDV303N デジタルFET Nチャンネル半RFトランジスタ 製造者: 一半 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-23-3 トランジスタの偏.........
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NTZD3154NT1Gの指定 部分の状態 活動的 FETのタイプ 2 N...
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2.7GHzへの優秀なTheramalの安定性Rfの電力増幅器のトランジスターLDMOS FET 28V HF...
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NTTFS3A08PZTAGのトランジスターFETsのMOSFETs単一P-CH 20V 9A 8WDFNのP-Channel 製品の説明: 1. -20V、- 15A、6.7 Mω、P-channel力MOSFET 2. P-channel 20V 9A （Ta）の840mW （Ta）.........
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プロダクト:HMC442LC3BTR RF力トランジスター 記述: HMC442LC3BTRは高利得の宇宙航空および商業軍隊を含む広い応用範囲の使用のために適しているSiCのヘテロ接合FETの中型力GaNである。 特徴: - 高利得、SiCの.........
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製品の説明IRF1404ZPBF Nチャネルのトランジスター180A 200W HEXFET FET MOSFET 穴TO-220AB HEXFETのFETsのMOSFETsを通したIRF1404ZPBFのトランジスターN-Channel 180A 200W N-Channel 180A （穴TO-......
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P-CHの集積回路ICはSUD50P06-15L-E3 TO252の堀FETシリーズを欠く 商品は調節する: 真新しい 部分の状態: 活動的 無鉛/Rohs: 不平 機能: Mosfet タイプの取付け.........
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小さいSOT23 （TO-236AB）のNX7002AK NEXPERIAのN-channelの強化モードField-Effectのトランジスター（FET）はDを表面取付けたプロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN （米国） EAR99.........
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部品番号:AOTF14N50 記述:MOSFET N-CH 500V 14A TO220F 部門:分離した半導体Products>>FETs -選抜して下さい 包装:管 FETのタイプ:Nチャネル 技術:MOSFET （金属酸化物） 源の電圧（Vdss）に流出させて下さい:500V 現在-連続的下水......
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IPP65R110CFDAのN-Channel 650 V 31.2A （穴PG-TO220-3を通したTc） 277.8W （Tc） 特徴: 部門 単一のFETs、MOSFETs Mfr インフィニオン・テクノロジーズ シリーズ 、AEC-Q101、CoolMOS自動車 プロダクト状態 活動的 ......
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元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用するMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、あります。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれます。力MOSF.........
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