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China NX7002AK NEXPERIAの電界効果トランジスタFET SOT23 TO-236AB表面によって取付けられるD supplier

NX7002AK NEXPERIAの電界効果トランジスタFET SOT23 TO-236AB表面によって取付けられるD

NX7002AK NEXPERIAの電界効果トランジスタFET SOT23 TO-236AB表面によって取付けられるD

型式番号:NX7002AK
原産地:中国
最低順序量:パッケージQty
包装の細部:テープおよび巻き枠
受渡し時間:2週
支払の言葉:T/T
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限られる太陽光線の電子工学（香港）
正会員
Shenzhen China
住所： 国際ロジスティクスの中心A-702の第1中国南部道、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 2 時間
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製品詳細 会社概要
製品詳細

小さいSOT23 （TO-236AB）のNX7002AK NEXPERIAのN-channelの強化モードField-Effectのトランジスター（FET）はDを表面取付けた

プロダクト技術仕様

EU RoHS迎合的
ECCN （米国）EAR99
部分の状態活動的
SVHCはい
自動車いいえ
PPAPいいえ
製品カテゴリ小さい信号
構成単一
加工技術TMOS
チャネル モード強化
チャネル タイプN
破片ごとの要素の数1
最高の下水管の源の電圧（v）60
最高のゲート源電圧（v）20
最高のゲートの境界の電圧（v）2.1
最高の連続的な下水管現在の（a）0.19
最高のゲートの源の漏出流れ（nA）2000年
最高IDSS （uA）1
最高の下水管の源の抵抗（MOhm）4500@10V
典型的なゲート充満@ Vgs （NC）0.33@4.5V
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF）15@10V
最高の電力損失（MW）325
典型的な落下時間（ns）5
典型的な上昇時間（ns）7
典型的なTurn-Off遅れ時間（ns）11
典型的なTurn-On遅れ時間（ns）6
最低の実用温度（°C）-55
最高使用可能温度（°C）150
包装テープおよび巻き枠
製造者のパッケージSOT-23
ピン・カウント3
標準パッケージの名前SOT
土台表面の台紙
パッケージの高さ1 （最高）
パッケージの長さ3 （最高）
パッケージの幅1.4 （最高）
PCBは変わった3
鉛の形カモメ翼
商品のタグ：
mosの電界効果トランジスタ 3 段階 Bldc 表面マウントダイオードの識別
China NX7002AK NEXPERIAの電界効果トランジスタFET SOT23 TO-236AB表面によって取付けられるD supplier

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