シンセンHuahao Gaoshengの技術Co.、株式会社

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統合されたMosfet力トランジスター破片SUD50P06-15L-E3の堀fetシリーズ

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シティ:shenzhen
国/地域:china
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統合されたMosfet力トランジスター破片SUD50P06-15L-E3の堀fetシリーズ

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型式番号 :SUD50P06-15L-E3
原産地 :元の製造業者
最低順序量 :最低順序量: 10 PCS
支払の言葉 :先立ってT/T、ウェスタン・ユニオン、Xtransfer
供給の能力 :1000
受渡し時間 :3daysの中では
包装の細部 :標準的な包装
タイプ :集積回路
D/C :Newst
港 :シンセンか香港
調達期間 :1-3働く幾日
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P-CHの集積回路ICはSUD50P06-15L-E3 TO252の堀FETシリーズを欠く

 

商品は調節する: 真新しい 部分の状態: 活動的
無鉛/Rohs: 不平 機能: Mosfet
タイプの取付け: 表面の台紙 パッケージ: TO-252
高いライト:

nチャネルmosfetのトランジスター

nチャネルのトランジスター

 

 

SUD50P06-15L-E3集積回路ICの破片MOSFET P-CH 60V 50A TO252 TrenchFETシリーズ

P-Channel 60 V (D-S)、175の°C MOSFET

特徴
1、TrenchFET®力MOSFET
2の175の°Cの接合部温度
3、RoHS指導的な2002/95/ECに迎合的

製造業者 Vishay Siliconix  
シリーズ TrenchFET®  
包装 テープ及び巻き枠(TR)  
部分の状態 活動的  
FETのタイプ P-Channel  
技術 MOSFET (金属酸化物)  
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 60V  
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 50A (Tc)  
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 4.5V、10V  
Vgs ((最高) Th) @ ID 3V @ 250µA  
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 165nC @ 10V  
Vgs (最高) ±20V  
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 4950pF @ 25V  
FETの特徴 -  
電力損失(最高) 3W (Ta)、136W (Tc)  
(最高) @ ID、VgsのRds 15 mOhm @ 17A、10V  
実用温度 -55°C | 175°C (TJ)  
タイプの取付け 表面の台紙  
製造者装置パッケージ TO-252、(D朴)  
パッケージ/場合 TO-252-3、DPak (2つの鉛+タブ)、SC-63

 

在庫の他の電子部品のリスト
部品番号 MFG/BRAND   部品番号 MFG/BRAND
9LPRS133BKLFT IDT   ISL62882HRTZ-T INTERSIL
1ZB18 東芝   S1D13513B00B200 EPSON
W2F15C1038AT1A AVX   MABACT0071 MA/COM
UP7719ASU8 マイクロ   CRG05 (TE85LのQ) 東芝
MSN3010-472 COILCRAFT   PCI2050IPDV チタニウム
HA2-5033/883 ハリス   MP4013 東芝
SLQ2592 UDMHGT   LT1017CS8 線形
PACDN010QS CMD   FBMH2012HM121-T TAIYO
APL431AAC-TRG ANPEC   MSP3415G-B8-V3 MICRONAS
ADM4850ARZ ADI   LTC5505-2ES5#TRPBF LT
23Z104SMNLT 脈拍   LPR550ALTR ST
TMX320DM8148CCYE2 チタニウム   TLE4269GL SIEMENS
TJA1050 PHLIPH   PS8710BTQFN24GTR2-A1 パレード
LM2674MX-ADJ NSC   CXD3117AR ソニー
BCM56340AOKFSBG BRADCOM   ADS1000A0QDBVRQ1 チタニウム
TPS79901DRVT チタニウム   TC74VHC273FT 東芝
TC358723XBG 東芝   MCM20027IBBL MOTOROLA
STI5202DUD ST   SC2677TSTR SEMTECH
ST16C552CJ EXAR   RT9181CB RICHTEK
VIPER53-DIP-E ST   DS2482S-100+T$R 格言
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