最新の価格を尋ねる
正会員
6 年
Add to Cart
12"は模造の等級/機械等級のシリコンの薄片DSPの厚さ650-700/700-750/750μm傷のフィルム パターンをエッチングしない
PAM-XIAMENは高度の結晶成長およびエピタクシーの技術、シリコン基板からの化合物半導体、12"への1'からの直径が付いているPAM-XIAMENの提供の半導体のシリコン基板への範囲を『（25.4 mm） 『開発する（300のmm）。私達はどちらかのCz （Czochralski）またはFZ （浮遊物の地帯）のシリコン基板を働かせる。磨くプロセスはまた標準に従って半なされる（半導体装置および材料の国際規格）。私達はまたシリコン基板の超薄いウエファー、ケイ素酸化物のウエファーSiO2の薄膜、窒化珪素のウエファーSi3N4の薄膜、メタライゼーション、およびepiのウエファー サービスを働かせる。
12"は模造の等級/機械等級のシリコンの薄片、DSPの厚さ650-700/700-750/750μm、傷/フィルム/パターンか残余をエッチングしない
| 等級 | 伝導のタイプ | オリエンテーション | 直径（mm） | 抵抗（Ω•cm） |
| テスト | N&P | <100><110>&<111> | 50-300 | 顧客の要求 |
| ダミー | N&P | <100><110>&<111> | 50-300 | 顧客の要求 |
| 矯正 | N&P | <100><110>&<111> | 50-300 | 顧客の要求 |
| 変数 | 単位 | 価値 |
| 結晶の構造 | - | モノクリスタル |
| 等級 | - | ダミー |
| 水晶オリエンテーション | - | - |
| 導電率のタイプ | - | - |
| 添加物 | - | - |
| 直径 | mm | 300 |
| 抵抗 | Ωcm | - |
| 厚さ | um | 650-700µm 700-750µm >750µm |
| TTV | um | 顧客の要求 |
| 弓 | um | 顧客の要求 |
| ゆがみ | um | 顧客の要求 |
| （G）混乱 | um | 顧客の標準 |
| 場所の平坦混乱 | um | 顧客の標準 |
| 端の除外ゾーン | mm | 半STDか顧客の要求 |
| LPD | - | - |
| 酸素濃度 | ppma | - |
| カーボン集中 | ppma | - |
| RRG | - | - |
| 前部表面 | - | 磨かれる |
| 背部表面 | - | 磨かれる |
| 端の表面状態 | 半STDか顧客の要求 | |
| 第一次平らな長さ | mm | 半STD |
| 第一次平らなオリエンテーション（100/111）及び角度（°） | 半STD | |
| 二次平らな長さ | mm | 半STD |
| 二次平らなオリエンテーション（100/111）及び角度（°） | 半STD | |
| ノッチ | - | 半STD |
| わずかな傷（汚れまたは重く/深い傷無しで） | ||
| レーザーの印 | - | 半STDか顧客の要求 |
| 包装 | 泡のプラスチック ケースか黒いピザ箱で包まれる | |
| 条件は顧客によって特定なら、それに応じて調節する | ||
シリコンの薄片は何であるか。
シリコンの薄片は共通の半導体であり、ケイ素の純度を変えるために集積回路の主要部分である添加物の成長プロセス計画的な付加の間の電子および技術セクターの広く利用されたのにそれの目的がであるものによる、ほう素、アルミニウム、窒素、ガリウム加えることができ、インジウムは共通のケイ素の添加物である。どんなによってレベルをケイ素が添加されたか、半導体は非本質的か退化と考慮することができる。退化の半導体が製作の間にそれの添加のハイ レベルのためにコンダクターとしてもっと起こる機能する一方非本質的適度に添加されるに軽くありなさい。
PAM-XIAMENは技術を提供でき、ウエファー サポートは、より多くの情報のために、私達のウェブサイトを訪問する:https://www.powerwaywafer.com、
sales@powerwaywafer.comおよびpowerwaymaterial@gmail.comで私達に電子メールを送りなさい
質は私達の最優先である。PAM-XIAMENはずっとISO9001である:2008年は、私達の顧客の異なった必要性を満たすために修飾されたプロダクトの大きい範囲をかなり提供できるあらゆる順序は私達の厳密な品質システムを通して扱われなければならない4現代facoriesを所有し、共有し。テスト レポートは各郵送物に提供され、各ウエファーは保証である。1990年の前に、私達は示された所有された凝縮させた問題の物理学の研究所である。1990年に、中心はシアムンPowerwayの先端材料Co.、株式会社（PAM-XIAMEN）、今それをである中国の化合物半導体材料の一流の製造業者進水させた。