3つはケイ素のエピタキシアル ウエファーの基質の厚さ381±25µm/抵抗<0.018Ωcm Epi厚さ20-25μmを層にする

3つはケイ素のエピタキシアル ウエファーの基質の厚さ381±25µm/抵抗<0.018Ωcm Epi厚さ20-25μmを層にする

ケイ素のエピタキシアル ウエファーは単結晶のシリコンの薄片（ノートに沈殿する単結晶のケイ素の層である:それは非常に単独で添加された結晶のシリコンの薄片の上に多結晶のケイ素の層の層を育てることは利用できるがバルクSiの基質および上のエピタキシアル層の間の緩衝層を（酸化物か多Siのような）必要とする）

エピタキシアル層は精密な添加の集中に基質の結晶の構造を続けている間沈殿すると同時に、添加することができる。

Epilayerの抵抗:<1オームcm 150までオームcm

Epilayerの厚さ:< 1 um 150までum

構造:N/N+、N-/N/N+、N/P/N+、N/N+/P-、N/P/P+、P/P+、P-/P/P+。

ウエファーの塗布:、力線形、デジタルMOSのBiCMOS装置。

私達の利点一目で

1. 高度のエピタクシーの成長装置および試験装置。

2. 低い欠陥密度およびよい表面の粗さとの良質を提供しなさい。

3. 私達の顧客のための強い調査チームサポートそして技術サポート

PAM-XIAMENのエピタキシアル ウエファー サービス指定:

•直径:50mm、75mm、100mm、125mm、150mm

•ウエファーのオリエンテーション:<100>、<111>、<110>

•EPIの厚さ:4μmから150μm

•添加物:ヒ素、リン、ほう素

•典型的な抵抗の範囲

•0.05 – 1,200オームcm

•3000 – 5,000オームcm （本質的な層）

3つはケイ素のエピタキシアル ウエファーの基質の厚さ381の± 25µm/抵抗<0.018Ωcm、Epi厚さ20 - 25μm/抵抗7.5 - 10Ωcmを層にする

ケイ素のエピタキシアル ウエファーは何であるか。

ケイ素のepiのウエファーは最初におよそ1966年開発され、1980年代初期までに商業受諾を達成した。[モノクリスタル ケイ素または他のウエファーのエピタキシアル層を育てるための5つの]方法は下記のものを含んでいる:さまざまなタイプの大気圧CVD （APCVD）または金属の有機性化学気相堆積（MOCVD）として分類される化学気相堆積（CVD）、また分子線エピタキシャル成長法（MBE）。基質からエピタキシアル層を分けるための2つの「kerfless」方法は（研摩の鋸引きなしで） 「インプラント裂く」「圧力離昇」の呼ばれ。epi-layerおよび基質が同じ材料のとき適当な方法は意図されていたepiの層の厚さの精密な深さで水晶不純物原子および生じる機械圧力の薄層を沈殿させるためにイオン・インプランテーションを用いる。引き起こされた集中させた圧力は次の開裂のステップのひび伝播に管理された道を提供する。[7]適当なひび伝播を援助するために乾燥した圧力の離昇プロセスでepi-layerおよび基質が適切に異なった材料のとき、管理されたひびはepiの層と基質間の熱拡張の外的な機械力または用具のための必要なしで不適当な組み合わせに、よる熱圧力によるepi/ウエファー インターフェイスの温度変化によって全く運転される。このプロセスが磨き、10回まで基質の多数の再使用を可能にするポストの離昇のための必要性を減らす単一の原子平らな開裂をもたらすことが報告された

シリコンの薄片を捜しているか。

PAM-XIAMENは私達がずっとほぼ30年間それをしているように、半導体ウエハーのためのあなたの主力の場所、シリコンの薄片を含んでである!詳細を私達が提供する、そしていかにについての学ぶために私達に照会を私達があなたの次のプロジェクトとの助けてもいいウエファー送りなさい。私達のグループのチームは技術サポートを与えることができる。sales@powerwaywafer.comかpowerwaymaterial@gmail.comで私達に電子メールを送りなさい