シアムンPOWERWAYは先端材料CO.、株式会社を。

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
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4つはケイ素のエピタキシアル ウエファーの最上層のInstrinctのケイ素の層/リン層のイオン・インプランテーションの層のケイ素の潜水艦を添加しました

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シアムンPOWERWAYは先端材料CO.、株式会社を。
シティ:xiamen
省/州:fujian
国/地域:china
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4つはケイ素のエピタキシアル ウエファーの最上層のInstrinctのケイ素の層/リン層のイオン・インプランテーションの層のケイ素の潜水艦を添加しました

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原産地 :中国
最低順序量 :1-10,000pcs
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :10,000のウエファー/月
受渡し時間 :5-50仕事日
製品名 :4インチのケイ素エピタキシアルWafe
ブランド :Powerway
応用分野 :、力線形、デジタルMOS
EPIの厚さ :4μmから150μm
添加物:ヒ素 :リン、ほう素
寸法 :4"
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4つはケイ素のエピタキシアル ウエファーの最上層のInstrinctのケイ素の層/リン層のイオン・インプランテーションの層のケイ素の潜水艦を添加しました

 

ケイ素のエピタキシアル ウエファーは単結晶のシリコンの薄片(ノートに沈殿する単結晶のケイ素の層です:それは非常に単独で添加された結晶のシリコンの薄片の上に多結晶のケイ素の層の層を育てることは利用できますが大きさSiの基質および上のエピタキシアル層の間の緩衝層を(酸化物か多Siのような)必要とします)

エピタキシアル層は精密な添加の集中に基質の結晶の構造を続けている間沈殿すると同時に、添加することができます。

Epilayerの抵抗: <1 ohm-cm="" up="" to="" 150="" ohm-cm="">

Epilayerの厚さ: < 1="" um="" up="" to="" 150="" um="">

構造:N/N+、N-/N/N+、N/P/N+、N/N+/P-、N/P/P+、P/P+、P-/P/P+。

ウエファーの塗布:、力線形、デジタルMOSのBiCMOS装置。

 

 

私達の利点一目で

1. 高度のエピタクシーの成長装置および試験装置。

2. 低い欠陥密度およびよい表面の粗さとの良質を提供して下さい。

3. 私達の顧客のための強い調査チーム サポートそして技術サポート

 

 

PAM-XIAMENのエピタキシアル ウエファーは指定を整備します:

•直径:50mm、75mm、100mm、125mm、150mm

•ウエファーのオリエンテーション: <100> <111>、 <110>

•EPIの厚さ:4μmから150μm

•添加物:ヒ素、リン、ほう素

•典型的な抵抗の範囲

•0.05 – 1,200オームcm

•3000 – 5,000オームcm (本質的な層)

 

 

4"ケイ素のエピタキシアル ウエファーの最上層のInstrinctのケイ素の層/リンによって添加される層/イオン・インプランテーションの層/シリコン基板

 

4"ケイ素のエピタキシアル ウエファー
Si Epiのウエファーの構造 最上層のInstrinctのケイ素の層/リンによって添加される層/イオン・インプランテーションの層/シリコン基板
最上層のInstrinctのケイ素の層 Risistivity≥50Ωcm、
厚さ5μm、
残りのキャリア集中<1>
リンによって添加される層 0.025ΩcmのまわりのRisistivity
(集中によって添加されるリン7×017/cm3)、
厚さ20μm、
残りのキャリア集中<2>
イオン・インプランテーションの層 顧客の供給
シリコン基板 ケイ素Substrate1:
4" FZ Siのウエファー
Nのタイプ(100)
厚さ500±15μm
Resistivity>2000Ωcm
磨かれるDSPの倍の側面

ケイ素Substrate2:
4" Siのウエファー
Nは(100)、(ヒ素)添加されるようにタイプします、
厚さ250±25μm、
抵抗0.001-0.005Ωcm
磨かれるDSPの倍の側面
ケイ素のエピタキシアル ウエファーの均等性:
リンによって添加される層:厚さUniformity<4%の抵抗Uniformity<4%
Instrinctのケイ素の層:厚さUniformity<4%の10%のまわりの抵抗の均等性
 

ケイ素のepiのウエファーは何ですか。

エピタクシーは付加的なモノクリスタル ケイ素の層がシリコンの薄片の磨かれた水晶表面に沈殿するプロセスです。このプロセスは物質的な特性を磨かれた基質とは関係なく選び、従って基質およびエピタキシアル層で異なった特性があるウエファーを作成することを可能にします。多くの場合これは半導体の部品の機能に必要です。

 

PAM-XIAMENは技術を提供でき、ウエファー サポートは、より多くの情報のために、私達のウェブサイトを訪問します:https://www.powerwaywafer.com、

sales@powerwaywafer.comおよびpowerwaymaterial@gmail.comで私達に電子メールを送って下さい

質は私達の最優先です。PAM-XIAMENはずっとISO9001です:2008年は、私達の顧客の異なった必要性を満たすために修飾されたプロダクトの大きい範囲をかなり提供できるあらゆる順序は私達の厳密な品質システムを通して扱われなければなりません4現代facoriesを所有し、共有し。テスト レポートは各郵送物に提供され、各ウエファーは保証です。1990年の前に、私達は所有しました凝縮させた問題の物理学の研究所を示されます。1990年に、シアムン中心の進水させたPowerwayの先端材料Co.、株式会社(PAM-XIAMEN)、今それは中国の化合物半導体材料の一流の製造業者です。

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