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4インチCZの1基の側面に放出させることCr/Auの主なシリコンの薄片は層にする厚さ10nm/50nm 4"を
、シアムンPowerwayの先端材料Co. 1990年に見つけられて、株式会社（PAM-XIAMEN）は中国のsemiconの医者の半導体材料の一流の製造業者である。PAM-XIAMENは高度の結晶成長およびエピタクシーの技術、製造工程、設計された基質および半導体デバイスを発達させる。PAM-XIAMENの技術は半導体ウエハーの高性能そして低価格の製造業を可能にする。ほぼ30年間、PAM-XIAMENはクリーニング プロセスである、およびepiの成長（ケイ素のepiのウエファー）に縦に統合を向ける最後の段階までインゴット得るために引きプロセスからのモノクリスタル シリコンの薄片を製造することを。この生産およびepiの成長の流れは信頼でき、質的な一貫性を維持することを割り当てる。私達のエンジニアのチームを尋ねるために歓迎すれば私達は完全な技術サポートを与える。
4inch CZの1基の側面に放出させることCr/Auの主なシリコンの薄片は層にする厚さ10nm/50nm 4"を
| タイプ | 伝導のタイプ | オリエンテーション | 直径（mm） | 抵抗（Ω•cm） |
| CZ | N&P | <100><110>&<111> | 50-300 | 1-300 |
| MCZ | N&P | <100><110>&<111> | 50-200 | 1-300 |
| 重添加 | N&P | <100><110>&<111> | 50-200 | 0.001-1 |
| 変数 | 単位 | 価値 |
| 結晶の構造 | - | モノクリスタル |
| 成長の技術 | - | CZ |
| 水晶オリエンテーション | - | 100±0.5° |
| 導電率のタイプ | - | PかN |
| 添加物 | - | ほう素かリン |
| 直径 | mm | 100 |
| 抵抗 | Ω/cm2 | |
| 厚さ | um | 200±25µm |
| TTV | um | ≤10 um |
| 弓 | um | ≤30 um |
| （G）混乱 | um | 顧客の標準 |
| 場所の平坦混乱 | um | 顧客の標準 |
| 端の除外ゾーン | mm | 半STDか顧客の要求 |
| LPD | - | 0.33µmの<qty30か顧客の要求 |
| 酸素濃度 | ppma | <1E16/cc |
| カーボン集中 | ppma | <1E16/cc |
| RRG | - | ≤15% |
| 前部表面 | - | 磨かれる |
| 背部表面 | - | 磨かれる |
| 端の表面状態 | 半STDか顧客の要求 | |
| 第一次平らな長さ | mm | 半STD |
| 第一次平らなオリエンテーション（100/111）及び角度（°） | 半STD | |
| 二次平らな長さ | mm | 半STD |
| 二次平らなオリエンテーション（100/111）及び角度（°） | 半STD | |
| レーザーの印 | - | 半STDか顧客の要求 |
| 厚さ10nm/50nmの1つの側面のCr/Au放出させる層 | ||
| 包装 | クラス100のクリーン ルームの環境で包まれる、 ヒート シールされたプラスチック内部/アルミ ホイル外袋、 真空のパッキング |
|
| 条件は顧客によって特定なら、それに応じて調節する | ||
シリコンの薄片は何のために使用されるか。
シリコンの薄片の第一次使用は集積回路にある。集積回路は毎日現代社会の使用装置の多数に動力を与える。コンピュータおよびsmartphonesはこの技術に依存している装置のちょうど2つである。他の半導体が時間外でテストされてしまったが、ケイ素は安定した選択であると証明した。他の使用はセンサー、タイヤ空気圧 センサー システムのような、および太陽電池を含んでいる。シリコンの薄片は電気を作成するために日光およびこれの光子を次々と吸収する。
シリコンの薄片を捜しているか。
PAM-XIAMENは私達がずっとほぼ30年間それをしているように、半導体ウエハーのためのあなたの主力の場所、シリコンの薄片を含んでである!詳細を私達が提供する、そしていかにについての学ぶために私達に照会を私達があなたの次のプロジェクトとの助けてもいいウエファー送りなさい。私達のグループのチームは技術サポートを与えることができる。sales@powerwaywafer.comかpowerwaymaterial@gmail.comで私達に電子メールを送りなさい