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3インチのシリコンの薄片FZ Pのタイプほう素は添加したオリエンテーション111の主な等級3"を
PAM-XIAMENは高度の結晶成長およびエピタクシーの技術、シリコン基板からの化合物半導体、12"への1'からの直径が付いているPAM-XIAMENの提供の半導体のシリコン基板への範囲を『(25.4 mm) 『開発する(300のmm)。私達はどちらかのCz (Czochralski)またはFZ (浮遊物の地帯)のシリコン基板を働かせる。磨くプロセスはまた標準に従って半なされる(半導体装置および材料の国際規格)。私達はまたシリコン基板の超薄いウエファー、ケイ素酸化物のウエファーSiO2の薄膜、窒化珪素のウエファーSi3N4の薄膜、メタライゼーション、およびepiのウエファー サービスを働かせる。
3inchシリコンの薄片FZ Pのタイプほう素は添加したオリエンテーション111の主な等級3"を
タイプ | 伝導のタイプ | オリエンテーション | 直径(mm) | 抵抗(Ω•cm) |
抗力が高い | N&P | <100>&<111> | 50 - 300 | >1000 |
NTD | N | <100>&<111> | 50 - 300 | 30-800 |
CFZ | N&P | <100>&<111> | 50 - 300 | 1-50 |
GD | N&P | <100>&<111> | 50 - 300 | 0.001-300 |
変数 | 単位 | 価値 |
結晶の構造 | - | モノクリスタル |
成長の技術 | - | FZ |
水晶オリエンテーション | - | 111 |
導電率のタイプ | - | P |
添加物 | - | ほう素 |
直径 | mm | 76.2 |
抵抗 | Ω/cm2 | >1000、30-800、1-50、0.001-300 |
厚さ | um | 350±15um 230±15um 380±25um |
TTV | um | ≤10 um |
弓 | um | ≤40 um |
ゆがみ | um | ≤40 um |
(G)混乱 | um | 顧客の標準 |
場所の平坦混乱 | um | 顧客の標準 |
端の除外ゾーン | mm | 半STDか顧客の要求 |
LPD | - | ≥0.3μm、<30countまたは顧客の要求 |
酸素濃度 | ppma | <1E16/cc |
カーボン集中 | ppma | <1E16/cc |
RRG | - | ≤15% |
前部表面 | - | 磨かれる |
背部表面 | - | 磨かれるか、またはエッチングされる |
端の表面状態 | 半STDか顧客の要求 | |
第一次平らな長さ | mm | 半STD |
第一次平らなオリエンテーション(100/111)及び角度(°) | 半STD | |
二次平らな長さ | mm | 半STD |
二次平らなオリエンテーション(100/111)及び角度(°) | 半STD | |
レーザーの印 | - | 半STDか顧客の要求 |
包装 | クラス100のクリーン ルームの環境で包まれる、 ヒート シールされたプラスチック内部/アルミ ホイル外袋、 真空のパッキング |
|
条件は顧客によって特定なら、それに応じて調節する |
シリコンの薄片の適用は何であるか。
モノクリスタル シリコンの薄片が主に半導体の部品、細部の塗布を作るのに使用されている:それはCzochralski方法によって育つモノクリスタル ケイ素が半導体の集積回路で主に使用される高い発電の整流器、高い発電のトランジスター、ダイオード、スイッチ装置を、等、ダイオード、エピタキシアル ウエファーの基質および太陽電池を作るために使用される半導体のケイ素装置の原料である。地帯溶ける単結晶は強力な送電でおよび変形、電気機関車、整流器、周波数変換、電気機械の統合、省エネランプ、テレビおよび他のプロダクト広く利用された高圧強力で制御可能な整流器装置の分野で主に使用される。エピタキシアル ウエファーは集積回路の分野で主に使用される
シリコンの薄片を捜しているか。
PAM-XIAMENは私達がずっとほぼ30年間それをしているように、半導体ウエハーのためのあなたの主力の場所、シリコンの薄片を含んでである!詳細を私達が提供する、そしていかにについての学ぶために私達に照会を私達があなたの次のプロジェクトとの助けてもいいウエファー送りなさい。私達のグループのチームは技術サポートを与えることができる。sales@powerwaywafer.comかpowerwaymaterial@gmail.comで私達に電子メールを送りなさい