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3インチのシリコンの薄片FZ Nのタイプ リンは添加したオリエンテーション111の主な等級3"を
、シアムンPowerwayの先端材料Co. 1990年に見つけられて、株式会社（PAM-XIAMEN）は中国のsemiconの医者の半導体材料の一流の製造業者である。PAM-XIAMENは高度の結晶成長およびエピタクシーの技術、製造工程、設計された基質および半導体デバイスを発達させる。PAM-XIAMENの技術は半導体ウエハーの高性能そして低価格の製造業を可能にする。ほぼ30年間、PAM-XIAMENはクリーニング プロセスである、およびepiの成長（ケイ素のepiのウエファー）に縦に統合を向ける最後の段階までインゴット得るために引きプロセスからのモノクリスタル シリコンの薄片を製造することを。この生産およびepiの成長の流れは信頼でき、質的な一貫性を維持することを割り当てる。私達のエンジニアのチームを尋ねるために歓迎すれば私達は完全な技術サポートを与える。
3inchシリコンの薄片FZ Nのタイプ リンは添加したオリエンテーション111の主な等級3"を
| タイプ | 伝導のタイプ | オリエンテーション | 直径（mm） | 抵抗（Ω•cm） |
| 抗力が高い | N&P | <100>&<111> | 50 - 300 | >1000 |
| NTD | N | <100>&<111> | 50 - 300 | 30-800 |
| CFZ | N&P | <100>&<111> | 50 - 300 | 1-50 |
| GD | N&P | <100>&<111> | 50 - 300 | 0.001-300 |
| 変数 | 単位 | 価値 |
| 結晶の構造 | - | モノクリスタル |
| 成長の技術 | - | FZ |
| 水晶オリエンテーション | - | 111 |
| 導電率のタイプ | - | N |
| 添加物 | - | P/As/Sb |
| 直径 | mm | 76.2 |
| 抵抗 | Ω/cm2 | >1000、30-800、1-50、0.001-300 |
| 厚さ | um | 350±15um 230±15um 380±25um |
| TTV | um | ≤10 um |
| 弓 | um | ≤40 um |
| ゆがみ | um | ≤40 um |
| （G）混乱 | um | 顧客の標準 |
| 場所の平坦混乱 | um | 顧客の標準 |
| 端の除外ゾーン | mm | 半STDか顧客の要求 |
| LPD | - | ≥0.3μm、<30countまたは顧客の要求 |
| 酸素濃度 | ppma | <1E16/cc |
| カーボン集中 | ppma | <1E16/cc |
| RRG | - | ≤15% |
| 前部表面 | - | 磨かれる |
| 背部表面 | - | 磨かれるか、またはエッチングされる |
| 端の表面状態 | 半STDか顧客の要求 | |
| 第一次平らな長さ | mm | 半STD |
| 第一次平らなオリエンテーション（100/111）及び角度（°） | 半STD | |
| 二次平らな長さ | mm | 半STD |
| 二次平らなオリエンテーション（100/111）及び角度（°） | 半STD | |
| レーザーの印 | - | 半STDか顧客の要求 |
| 包装 | クラス100のクリーン ルームの環境で包まれる、 ヒート シールされたプラスチック内部/アルミ ホイル外袋、 真空のパッキング |
|
| 条件は顧客によって特定なら、それに応じて調節する | ||
シリコンの薄片はいかに作ったあるか。
ケイ素のインゴットの成長:単結晶のシリコンの薄片はCzochralski （CZによって）育ち、FZ方法、CZのインゴット成長は、添加物によって、新しい多結晶性ケイ素の固まりをインゴットなるPまたはNのタイプ インゴット（ほう素に要求する:Pのタイプ;リン、アンチモン、ヒ素:Nのタイプ）。
スライス:インゴットがfully-grownなら、最終的なシリコンの薄片のターゲット直径よりわずかに大きい荒いサイズの直径へ地面である。インゴットにノッチがまたはそれのスライスへのインゴット収入にきっかり割り込むためにある。ダイヤモンドの端はウエファー、厚さの変化および弓およびゆがみの欠陥への損傷を最小にするために助けを見た。
ウエファーがスライスされた後、重なり合うプロセスは始まる。
クリーニング:製造工程の最終的な、重要な一歩はウエファーを磨いている。このプロセスはクリーン ルームで起こる。クリーン ルームに10,000を分類するためにクラス1から及ぶ評価システムがある。これらの粒子は肉眼に目に見えないし、自由な大気で、労働者はボディをクリーン ルームのスーツを身に着けなければ全身にカバーするなり、粒子を集めなかったりまたは運ばない。
ポーランド語:ほとんどの主な等級のシリコンの薄片は漸進的により良いスラリーか磨く混合物を使用して磨くことの2-3の段階を通って、行く。磨くプロセスは標準的な取り外しおよび最終的な化学機械光沢（CMP）である2つのステップに起こる。プロセスは両方とも磨くパッドおよび磨くスラリーを使用する。標準的な取り外しプロセスはケイ素のまさに薄層を取除き、無傷性であるウエファーの表面を作り出して必要である。、シリコンの薄片長い一連のきれいな浴室を使用する最終的なクリーニングの段階に進む磨くことの後。このプロセスは表面の粒子、微量金属および残余を取除く。頻繁に裏側はされる小粒子を取除くためにごしごし洗う。
包装:ウエファーが最終的なはっきりしているステップを完了すれば、エンジニアは指定によってそれらを分類し、高輝度ライトかレーザー スキャン システムの下で点検する。これは製作の間に起こるかもしれない他の欠陥か不必要な粒子を検出する。適切な指定に合うすべてのウエファーはカセットで包まれ、テープによって密封される。ウエファーは気密ホイル外袋が付いている真空密封のポリ袋で出荷する。これは粒子か湿気がクリーン ルームを去った上でカセットに入らないことを保障する。
シリコンの薄片を捜しているか。
PAM-XIAMENは私達がずっとほぼ30年間それをしているように、半導体ウエハーのためのあなたの主力の場所、シリコンの薄片を含んでである!詳細を私達が提供する、そしていかにについての学ぶために私達に照会を私達があなたの次のプロジェクトとの助けてもいいウエファー送りなさい。私達のグループのチームは技術サポートを与えることができる。sales@powerwaywafer.comかpowerwaymaterial@gmail.comで私達に電子メールを送りなさい