
Add to Cart
2インチのシリコンの薄片FZ Nのタイプ リンは添加したオリエンテーション100の主な等級2"を
、シアムンPowerwayの先端材料Co. 1990年に見つけられて、株式会社(PAM-XIAMEN)は中国のsemiconの医者の半導体材料の一流の製造業者である。PAM-XIAMENは高度の結晶成長およびエピタクシーの技術、製造工程、設計された基質および半導体デバイスを発達させる。PAM-XIAMENの技術は半導体ウエハーの高性能そして低価格の製造業を可能にする。ほぼ30年間、PAM-XIAMENはクリーニング プロセスである、およびepiの成長(ケイ素のepiのウエファー)に縦に統合を向ける最後の段階までインゴット得るために引きプロセスからのモノクリスタル シリコンの薄片を製造することを。この生産およびepiの成長の流れは信頼でき、質的な一貫性を維持することを割り当てる。私達のエンジニアのチームを尋ねるために歓迎すれば私達は完全な技術サポートを与える。
2inchシリコンの薄片FZ Nのタイプ リンは添加したオリエンテーション100の主な等級2"を
タイプ | 伝導のタイプ | オリエンテーション | 直径(mm) | 抵抗(Ω•cm) |
抗力が高い | N&P | <100>&<111> | 50 - 300 | >1000 |
NTD | N | <100>&<111> | 50 - 300 | 30-800 |
CFZ | N&P | <100>&<111> | 50 - 300 | 1-50 |
GD | N&P | <100>&<111> | 50 - 300 | 0.001-300 |
変数 | 単位 | 価値 |
結晶の構造 | - | モノクリスタル |
成長の技術 | - | FZ |
水晶オリエンテーション | - | 100 |
導電率のタイプ | - | N |
添加物 | - | P/As/Sb |
直径 | mm | 50 |
抵抗 | Ω/cm2 | >1000、30-800、1-50、0.001-300 |
厚さ | um | 350±15um 230±15um 380±25um |
TTV | um | ≤15 um |
弓 | um | ≤40 um |
ゆがみ | um | ≤40 um |
(G)混乱 | um | 顧客の標準 |
場所の平坦混乱 | um | 顧客の標準 |
端の除外ゾーン | mm | 半STDか顧客の要求 |
LPD | - | ≥0.3μm、<30countまたは顧客の要求 |
酸素濃度 | ppma | <1E16/cc |
カーボン集中 | ppma | <1E16/cc |
RRG | - | ≤15% |
前部表面 | - | 磨かれる |
背部表面 | - | 磨かれるか、またはエッチングされる |
端の表面状態 | 半STDか顧客の要求 | |
第一次平らな長さ | mm | 半STD |
第一次平らなオリエンテーション(100/111)及び角度(°) | 半STD | |
二次平らな長さ | mm | 半STD |
二次平らなオリエンテーション(100/111)及び角度(°) | 半STD | |
レーザーの印 | - | 半STDか顧客の要求 |
包装 | クラス100のクリーン ルームの環境で包まれる、 ヒート シールされたプラスチック内部/アルミ ホイル外袋、 真空のパッキング |
|
条件は顧客によって特定なら、それに応じて調節する |
CZ方法とFZ方法の違いは何であるか。
CZ (Czochralski)方法
CZのケイ素はモノクリスタル ケイ素の成長の主流の技術である市場の約95%を占める論理およびメモリー チップで主に使用される。ウエファーの添加はまた単結晶の引きの過程において、通常そこにである方法の2添加種類の添加遂行される:liquid-phase添加し、気相塩基性の添加。液体段階の添加はるつぼのpタイプかnタイプの要素の混合を示す。単結晶の引きの過程において、これらの要素はケイ素の棒に直接引っ張ることができる。主要なプロセスは次の通りある:
単結晶の形成:るつぼへの置かれた多結晶性ケイ素は、それを、それから単結晶のケイ素の種結晶を溶けさせる熱し、それをるつぼの、まっすぐな引っ張るとき中断し溶けることまでの溶解に1つの端を締め金で止め、そして次に上向きにゆっくり引っ張るために回り、挿入し。このように、液体および固体インターフェイスは次第に単結晶を形作るために凝縮する。全プロセスが種結晶を再生するプロセスとして見ることができるのでケイ素の水晶はであるモノクリスタル ケイ素発生した。
直径の圧延の粉砕:単結晶の、従って標準的な直径のケイ素の棒を引きの過程において単結晶のケイ素の棒の直径を制御することは、困難6インチのような、8インチ、12インチ等得るためにである。単結晶を引っ張った後、インゴットの直径は転がり、転がされたインゴットの表面は滑らかであり、サイズ エラーはより小さい。
小さな溝の切断:ケイ素のインゴットを得た後、ウエファーを切りなさい、固定打抜き機にケイ素のインゴット、および一定の切断プログラムに従って切口を置きなさい。ウエファーの厚さが小さいので、切られたウエファーの端は非常に鋭い。溝を彫る目的は滑らかな端を形作ることである。溝を彫られたシリコンの薄片にそれを固体にする、ありより遅い破片の製造業で分解し易くないより低い中央圧力が。
ポーランド語:磨く主な目的は表面をウエファーのスムーザーの、平ら、無傷作り、各ウエファーの厚さの一貫性を保障することである。
テスト パッケージ:磨かれたシリコンの薄片が得られた後、抵抗および他の変数のような、テストされるシリコンの薄片の必要性の電気特徴。ほとんどのケイ素の工場にエピタキシアル ウエファー サービスがある。エピタキシアル ウエファーが必要とされれば、エピタキシアル ウエファーの成長は遂行される。エピタキシアル ウエファーのための必要性がなければ、それらは他のエピタキシアル ウエファーの工場かウエファーの工場に詰まり、運ばれる。
FZ (地帯溶けること)方法
FZのウエファーは市場の約4%を占めるある力の破片で主に使用される;FZのウエファーは力装置として主に使用される。現在、シリコンの薄片の約15%は地帯溶けることによってなされる。CZ方法と比較されて、FZ方法の最も大きい特徴は比較的高い抵抗、高い純度および高圧抵抗であるが、大規模なウエファーを作ることは困難であり機械特性は粗末である、従って力装置ケイ素で頻繁に使用される、および集積回路でより少なく使用されて。
地帯溶けることによって単結晶の棒を作り出す3つのステップがある:多結晶性ケイ素を熱し、種結晶に連絡し、そして単結晶を下方に引っ張る。真空または不活性ガスの環境の下の炉の部屋では、多結晶性ケイ素の棒は溶ける区域を形作る熱くする区域の溶解の多結晶性ケイ素までの電界によって熱される。それから接触種結晶および溶解との溶ける地帯。最後に、polysiliconの電界の暖房の位置の、溶ける区域は移動によって種結晶はゆっくり回り、モノクリスタル ケイ素の棒を次第に形作るために伸びるが、絶えず動く。るつぼが地帯溶ける方法で適していないので、多くの汚染の源は避ける。地帯溶けることファラデーの単結晶に高い純度の特徴がある。