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高抵抗およびよい寿命の浮遊物地帯のシリコンの薄片。
FZケイ素
低い外国材料の内容、低い欠陥密度および完全な結晶構造の特徴のモノクリスタル ケイ素は浮遊物地帯プロセスと作り出される;輸入原料は結晶成長の間にもたらされない。FZケイ素の伝導性は1000 Ω cmの上に通常あり、高い反対電圧要素およびphotoelectronic装置を作り出すのにFZケイ素が主に使用されている。
NTDFZケイ素
高抵抗のモノクリスタル ケイ素をおよび均等性FZケイ素の中性子照射によって、作り出された要素の収穫そして均等性保障するために達成することができケイ素整流器（SR）、ケイ素制御（SCR）、巨大なトランジスター（GTR）、ゲート回転サイリスタ（GTO）、静的な誘導のサイリスタ（SITH）、絶縁ゲートの両極トランジスター（IGBT）、余分HVのダイオード（PIN）、スマートな力および力IC、等作り出すのに主に使用されている;それはさまざまな頻度コンバーター、整流器、大き力の制御要素、新しい力の電子デバイス、探知器、センサー、photoelectronic装置および特別な力装置のための主要な機能材料である。
GDFZケイ素
外国材料の拡散のメカニズムを利用して、根からの浮遊物地帯プロセスの添加問題を解決するためにモノクリスタル ケイ素の浮遊物地帯プロセスの間に気相塩基性外国材料を、加えればNタイプまたはPタイプであるGDFZケイ素を得るために、抵抗を0.001-300 Ω.cm、相対的でよい抵抗の均等性および中性子照射持っている。それはさまざまな半導体力の要素、絶縁ゲートの両極トランジスター（IGBT）および高性能の太陽電池、等を作り出すために適当である。
CFZケイ素
モノクリスタル ケイ素はCzochralskiおよび浮遊物地帯プロセスの組合せと作り出され、CZのモノクリスタル ケイ素とFZのモノクリスタル ケイ素間の質がある;特別な要素はGa、GEおよび他のような、添加することができる。new-generation CFZのケイ素の太陽ウエファーは各性能の索引の全体的なPV工業のさまざまなシリコンの薄片よりよい;太陽電池パネルの変換効率は24-26%までである。プロダクトはLEDの特別な構造が付いている高性能の太陽電池で主に、バック接触、衝突および他の特別なプロセス、および広く利用された、力の要素、自動車、衛星および他のさまざまなプロダクトおよび分野加えられる。
私達の利点一目で
1.Advancedエピタクシーの成長装置および試験装置。
2.Offer低い欠陥密度およびよい表面の粗さとの良質。
私達の顧客のための3.Strong調査チームサポートそして技術サポート
FZのモノクリスタル ケイ素の指定
| タイプ | 伝導のタイプ | オリエンテーション | 直径（mm） | 伝導性（Ω•cm） |
| 抗力が高い | N&P | <100>&<111> | 76.2-200 | >1000 |
| NTD | N | <100>&<111> | 76.2-200 | 30-800 |
| CFZ | N&P | <100>&<111> | 76.2-200 | 1-50 |
| GD | N&P | <100>&<111> | 76.2-200 | 0.001-300 |
ウエファーの指定
| インゴット変数 | 項目 | 記述 |
| 成長方法 | FZ | |
| オリエンテーション | <111> | |
| 以外オリエンテーション | 最も近い<110>への4±0.5程度 | |
| タイプ/添加物 | P/Boron | |
| 抵抗 | 10-20 W.cm | |
| RRV | ≤15% （最高端Cen） /Cen |
| ウエファー変数 | 項目 | 記述 |
| 直径 | 150±0.5 mm | |
| 厚さ | 675±15 um | |
| 第一次平らな長さ | 57.5±2.5 mm | |
| 第一次平らなオリエンテーション | <011>±1程度 | |
| 二次平らな長さ | どれも | |
| 二次平らなオリエンテーション | どれも | |
| TTV | ≤5 um | |
| 弓 | ≤40 um | |
| ゆがみ | ≤40 um | |
| 端のプロフィール | 半標準 | |
| 前部表面 | 化学薬品Mechenicalのポーランド語 | |
| LPD | ≥0.3 um@≤15のPC | |
| 背部表面 | エッチングされる酸 | |
| 端の破片 | どれも | |
| パッケージ | 真空のパッキング;内部のプラスチック、外アルミニウム |