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単結晶(GE)のゲルマニウムのウエファー
PAMXIAMENoffers半導体材料、VGF/LECによって育つGE (ゲルマニウム)の単結晶およびウエファー
ゲルマニウムのウエファーの概要の特性
一般的な特性は構成する | 、= 5.6754 Å立方 | ||
密度:5.765 g/cm3 | |||
融点:937.4 oc | |||
熱伝導性:640 | |||
結晶成長の技術 | Czochralski | ||
利用できる添加 | Undoped | Sbの添加 | 添加またはGa |
伝導性のタイプ | / | N | P |
抵抗、ohm.cm | >35 | < 0.05 | 0.05 – 0.1 |
EPD | < 5×103/cm2 | < 5×103/cm2 | < 5×103/cm2 |
< 5×102/cm2 | < 5×102/cm2 | < 5×102/cm2 |
ゲルマニウムのウエファーの等級そして適用
電子等級 | ダイオードおよびトランジスターのために使用される、 |
赤外線かopitical等級 | IR光学窓かディスクのために使用される、opitical部品 |
細胞の等級 | 太陽電池の基質のために使用される |
ゲルマニウムの水晶およびウエファーの標準的なSpecs
水晶オリエンテーション | <111>、<100>および<110>の± 0.5oまたは注文のオリエンテーション | |||
育てられる水晶boule | 1つの″ | 6つの″の直径X 200のmmの長さ | |||
切口として標準的なブランク | 1つの″ x 0.5mm | 2 ″ x0.6mm | 4 ″ x0.7mm | 5 ″ &6の″ x0.8mm |
標準的な磨かれたウエファー(磨かれた1/双方) | 1つの″ x 0.30 mm | 2 ″ x0.5mm | 4 ″ x0.5mm | 5 ″ &6の″ x0.6mm |
特別なサイズおよびオリエンテーションは要求されたウエファーに利用できる
ゲルマニウムのウエファーの指定
項目 | 指定 | 注目 |
成長方法 | VGF | |
伝導のタイプ | 、undoped pのタイプnタイプ | |
添加物 | ガリウムかアンチモン | |
ウエファーDiamter | 2、3,4及び6 | インチ |
水晶オリエンテーション | (100)、(111)、(110) | |
厚さ | 200~550 | um |
の | EJか米国 | |
キャリア集中 | 顧客に要求 | |
RTの抵抗 | (0.001~80) | Ohm.cm |
腐食ピット密度 | <5000 | /cm2 |
レーザーの印 | 要望に応じて | |
表面の終わり | P/EまたはP/P | |
準備ができたEpi | はい | |
パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
4インチGEのウエファーの指定 | 太陽電池のため | |
添加 | P | |
物質の添加 | GE Ga | |
直径 | 100±0.25 mm | |
オリエンテーション | (100) 9° <111>+/-0.5の方に | |
以外オリエンテーションの傾き角度 | N/A | |
第一次平らなオリエンテーション | N/A | |
第一次平らな長さ | 32±1 | mm |
二次平らなオリエンテーション | N/A | |
二次平らな長さ | N/A | mm |
cc | (0.26-2.24) E18 | /c.c |
抵抗 | (0.74-2.81) E-2 | ohm.cm |
電子移動度 | 382-865 | cm2/v.s。 |
EPD | <300 | /cm2 |
レーザーの印 | N/A | |
厚さ | 175±10 | μm |
TTV | <15 | μm |
TIR | N/A | μm |
弓 | <10 | μm |
ゆがみ | <10 | μm |
前部表面 | 磨かれる | |
背部表面 | 地面 |
ゲルマニウムのウエファー プロセス
ゲルマニウムのウエファーの工程では、残余の処理からのゲルマニウムの二酸化物は塩素処理および加水分解のステップで更に浄化される。
1)高い純度のゲルマニウムは地帯の精錬の間に得られる。
2)ゲルマニウムの水晶はCzochralskiプロセスによって作り出される。
3)ゲルマニウムのウエファーはステップを切り、ひき、そしてエッチングする複数によって製造される。
4)ウエファーは点検きれいになり。このプロセスの間に、ウエファーは磨かれた単一の側面であるまたは注文条件に従って磨かれる二重側面はepi準備ができたウエファー来る。
5)ウエファーは窒素の大気の下の単一のウエファーの容器で、詰まる。
適用:
ゲルマニウムのブランクか窓は商業保証、消火活動および産業モニター装置のために夜間視界およびthermographicイメージ投射解決で使用される。また、それらは遠隔温度の測定のために分析的な、測定装置、窓、およびレーザーのためにミラーのためにフィルターとして使用される。
薄いゲルマニウムの基質はIII-Vの三重接続点の太陽電池でそして力によって集中されるPV (CPV)システムのために使用される。