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Nのタイプ、シングルまたはダブルの側面のポーランド語が付いているゲルマニウムのウエファー、2"
PAM-XIAMENはゲルマニウムのウエファーに単結晶を提供し、VGF/LECによって育つウエファー私達に2インチからの6インチへ直径の範囲のマイクロエレクトロニクスおよび光電子工学の企業にGEのウエファーを提供することで強い利点がある。ゲルマニウムのウエファーは優秀な結晶学の特性および独特な電気特性のゲルマニウムのウエファーに元素であり、普及した半導体材料は、よるセンサー、太陽電池および赤外線光学適用で広く利用されている。PAM-XIAMENはあなたの独特なゲルマニウムの条件を満たすために低い転位およびepiの準備ができたゲルマニウムのウエファーを提供できる。
ゲルマニウムのウエファーの概要の特性
| 一般的な特性は構成する | 、= 5.6754 Å立方 | ||
| 密度:5.765 g/cm3 | |||
| 融点:937.4 oc | |||
| 熱伝導性:640 | |||
| 結晶成長の技術 | Czochralski | ||
| 利用できる添加 | Undoped | Sbの添加 | 添加またはGa |
| 伝導性のタイプ | / | N | P |
| 抵抗、ohm.cm | >35 | < 0.05 | 0.05 – 0.1 |
| EPD | < 5×103/cm2 | < 5×103/cm2 | < 5×103/cm2 |
| < 5×102/cm2 | < 5×102/cm2 | < 5×102/cm2 | |
ゲルマニウムのウエファーの指定
| 項目 | 指定 | 注目 |
| 成長方法 | VGF | |
| 伝導のタイプ | nタイプ | |
| 添加物 | アンチモン | |
| ウエファーDiamter | 2 | インチ |
| 水晶オリエンテーション | （100）、（111）、（110） | |
| 厚さ | 200~550 | um |
| の | EJか米国 | |
| キャリア集中 | 顧客に要求 | |
| RTの抵抗 | （0.001~80） | Ohm.cm |
| 腐食ピット密度 | <5000 | /cm2 |
| レーザーの印 | 要望に応じて | |
| 表面の終わり | P/EまたはP/P | |
| 準備ができたEpi | はい | |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
ゲルマニウムのウエファーの工程は何であるか。
無傷性、鏡のようで、きれいな表面が付いている薄いウエファーに要素を変形させるプロセスは容易な仕事ではない。それは一連のステップを要求する。ゲルマニウムのウエファーの工程の5つのステップはここにある:
1) 非常に純粋なゲルマニウムは地帯の精錬の間に達成される。
2) Czochralskiプロセスはゲルマニウムの水晶に要素を変形させる。
3) 水晶は切れ、ひき、そしてエッチングのプロセスによるウエファーに製造される。
4) GEのウエファーはきれいになり、点検される。このステップはウエファーが顧客の必要性によって1つのまたは両側で、磨かれるように要求する。
5) 良質のウエファーは単一のウエファーの容器の窒素の大気の下で詰まる。
ゲルマニウムのウエファーを捜しているか。
PAM-XIAMENの提供のゲルマニウムのウエファー。プロジェクトか使用がある、私達に競争価格で利用できるゲルマニウムのウエファーがある。学ぶために私達を私達がすべてのあなたのウエファーの必要性とのいかにについての助けてもいいか詳細を今日尋ねなさい。