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CZ、3"によるUndoped GEの基質、磨かれたウエファー- Powerwayのウエファー
PAM-XIAMENは単結晶のゲルマニウムのウエファー（GEのウエファー）の世界的な製造業者であり、単結晶GEのインゴット、私達に2インチからの6インチへ直径の範囲のマイクロエレクトロニクスおよび光電子工学の企業にGEのウエファーを提供することで強い利点がある。ゲルマニウムのウエファーは優秀な結晶学の特性および独特な電気特性のゲルマニウムのウエファーに元素であり、普及した半導体材料は、よるセンサー、太陽電池および赤外線光学適用で広く利用されている。PAM-XIAMENはあなたの独特なゲルマニウムの必要性を満たすために低い転位およびepiの準備ができたゲルマニウムのウエファーを提供できる。ゲルマニウムのウエファーは半によって作り出される。、高品質管理システムとクリーン ルームの環境の真空密封の標準的なカセットで標準的な、詰められて、PAM-XIAMENはきれいな、良質のゲルマニウムのウエファー プロダクトの提供に専用されている。PAM-XIAMENは電子工学の等級を提供でき、IRの等級GEのウエファーは、より多くのGEの製品に関する情報のための私達に連絡する
ゲルマニウムのウエファーの等級そして適用
| 電子等級 | ダイオードおよびトランジスターのために使用される、 |
| 赤外線かopitical等級 | IR光学窓かディスクのために使用される、opitical部品 |
| 細胞の等級 | 太陽電池の基質のために使用される |
ゲルマニウムのウエファーの指定
| 項目 | 指定 | 注目 |
| 成長方法 | VGF | |
| 伝導のタイプ | undoped | |
| 添加物 | どれも | |
| ウエファーDiamter | 3 | インチ |
| 水晶オリエンテーション | （100）、（111）、（110） | |
| 厚さ | 200~550 | um |
| の | EJか米国 | |
| キャリア集中 | 顧客に要求 | |
| RTの抵抗 | （0.001~80） | Ohm.cm |
| 腐食ピット密度 | <5000 | /cm2 |
| レーザーの印 | 要望に応じて | |
| 表面の終わり | P/EまたはP/P | |
| 準備ができたEpi | はい | |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
ゲルマニウムのウエファーの工程は何であるか。
無傷性、鏡のようで、きれいな表面が付いている薄いウエファーに要素を変形させるプロセスは容易な仕事ではない。それは一連のステップを要求する。ゲルマニウムのウエファーの工程の5つのステップはここにある:
1) 非常に純粋なゲルマニウムは地帯の精錬の間に達成される。
2) Czochralskiプロセスはゲルマニウムの水晶に要素を変形させる。
3) 水晶は切れ、ひき、そしてエッチングのプロセスによるウエファーに製造される。
4) GEのウエファーはきれいになり、点検される。このステップはウエファーが顧客の必要性によって1つのまたは両側で、磨かれるように要求する。
5) 良質のウエファーは単一のウエファーの容器の窒素の大気の下で詰まる。
問題プロジェクトか使用法、私達は私達のゲルマニウムのウエファーの良質のゲルマニウムの一部を特色にしない。学ぶ今日照会私達があなたの次のプロジェクトのためのゲルマニウムのウエファーをいかにについての得てもいいか詳細を。