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本質的なゲルマニウムのウエファーとの（111）、（100）または（110の）オリエンテーション、4"
PAM-XIAMENはゲルマニウムのウエファーに単結晶を提供し、VGF/LECによって育つウエファー私達に2インチからの6インチへ直径の範囲のマイクロエレクトロニクスおよび光電子工学の企業にGEのウエファーを提供することで強い利点がある。ゲルマニウムのウエファーは優秀な結晶学の特性および独特な電気特性のゲルマニウムのウエファーに元素であり、普及した半導体材料は、よるセンサー、太陽電池および赤外線光学適用で広く利用されている。PAM-XIAMENはあなたの独特なゲルマニウムの条件を満たすために低い転位およびepiの準備ができたゲルマニウムのウエファーを提供できる。
ゲルマニウムの水晶およびウエファーの標準的なSpecs
| 水晶オリエンテーション | <111>、<100>および<110>の± 0.5oまたは注文のオリエンテーション | |||
| 育てられる水晶boule | 1つの″ | 6つの″の直径X 200のmmの長さ | |||
| 切口として標準的なブランク | 1つの″ x 0.5mm | 2 ″ x0.6mm | 4 ″ x0.7mm | 5 ″ &6の″ x0.8mm |
| 標準的な磨かれたウエファー（磨かれた1/双方） | 1つの″ x 0.30 mm | 2 ″ x0.5mm | 4 ″ x0.5mm | 5 ″ &6の″ x0.6mm |
ゲルマニウムのウエファーの指定
| 項目 | 指定 | 注目 |
| 成長方法 | VGF | |
| 伝導のタイプ | undoped | |
| 添加物 | どれも | |
| ウエファーDiamter | 4 | インチ |
| 水晶オリエンテーション | （100）、（111）、（110） | |
| 厚さ | 200~550 | um |
| の | EJか米国 | |
| キャリア集中 | 顧客に要求 | |
| RTの抵抗 | （0.001~80） | Ohm.cm |
| 腐食ピット密度 | <5000 | /cm2 |
| レーザーの印 | 要望に応じて | |
| 表面の終わり | P/EまたはP/P | |
| 準備ができたEpi | はい | |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
ゲルマニウムのウエファーの特性は何であるか。
ゲルマニウムのウエファーにそれらに非常に魅力的な半導体をする独特な特性がある。GEのウエファーは低い重量と機械的に強い。これらのまたウエファーの武装隊300のmm大きい直径と作り出される機能。
GEのウエファーの塗布は何であるか。
ゲルマニウムのウエファーは優秀な結晶学の特性および独特な電気特性のおかげで多数の適用で使用される。ある特定のゲルマニウムのウエファーの使用はスペース太陽電池、地球太陽電池（CPV）、センサー、赤外線光学、高い明るさLEDS、および他の多くの半導体の塗布を含んでいる。
PAM-XIAMENの提供のゲルマニウムのウエファー。プロジェクトか使用がある、私達に競争価格で利用できるゲルマニウムのウエファーがある。学ぶために私達を私達がすべてのあなたのウエファーの必要性とのいかにについての助けてもいいか詳細を今日尋ねなさい。