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Pのタイプ、単結晶のゲルマニウム(GE)のウエファー、2"
PAM-XIAMENはゲルマニウムのウエファーに単結晶を提供し、VGF/LECによって育つウエファー私達に2インチからの6インチへ直径の範囲のマイクロエレクトロニクスおよび光電子工学の企業にGEのウエファーを提供することで強い利点がある。ゲルマニウムのウエファーは優秀な結晶学の特性および独特な電気特性のゲルマニウムのウエファーに元素であり、普及した半導体材料は、よるセンサー、太陽電池および赤外線光学適用で広く利用されている。PAM-XIAMENはあなたの独特なゲルマニウムの条件を満たすために低い転位およびepiの準備ができたゲルマニウムのウエファーを提供できる。
ゲルマニウムのウエファーの概要の特性
一般的な特性は構成する | 、= 5.6754 Å立方 | ||
密度:5.765 g/cm3 | |||
融点:937.4 oc | |||
熱伝導性:640 | |||
結晶成長の技術 | Czochralski | ||
利用できる添加 | Undoped | Sbの添加 | 添加またはGa |
伝導性のタイプ | / | N | P |
抵抗、ohm.cm | >35 | < 0.05 | 0.05 – 0.1 |
EPD | < 5×103/cm2 | < 5×103/cm2 | < 5×103/cm2 |
< 5×102/cm2 | < 5×102/cm2 | < 5×102/cm2 |
ゲルマニウムのウエファーの指定
項目 | 指定 | 注目 |
成長方法 | VGF | |
伝導のタイプ | pのタイプ | |
添加物 | ガリウム | |
ウエファーDiamter | 2 | インチ |
水晶オリエンテーション | (100)、(111)、(110) | |
厚さ | 200~550 | um |
の | EJか米国 | |
キャリア集中 | 顧客に要求 | |
RTの抵抗 | (0.001~80) | Ohm.cm |
腐食ピット密度 | <5000 | /cm2 |
レーザーの印 | 要望に応じて | |
表面の終わり | P/EまたはP/P | |
準備ができたEpi | はい | |
パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
ゲルマニウムに関しては、5つの自然発生する同位体がある。それらはゲルマニウム70、ゲルマニウム72、ゲルマニウム73、ゲルマニウム74およびゲルマニウム76である。同位体は質量数に従って互いと異なるそれぞれの要素の2つ以上の形態である。質量数はこの場合70、72、73、74、および76の要素の右へある数である。質量数は要素の原子の核心の中性子とプロトンの数を表す。ゲルマニウムの少なくとも9つの放射性同位体はまた知られている。
ゲルマニウムは最初に半導体の使用のために重要になった。実際、使用され、作り出されるすべてのゲルマニウムの15%のための半導体の使用記述。ゲルマニウムのためにさらにもっと普及している繊維光学システムの製造業の使用は。それらの米国の全面的な生産の約40%のための記述。また軍の適用のための専門にされたガラスを作ることを使用する。
PAM-XIAMENの提供のゲルマニウムのウエファー。プロジェクトか使用がある、私達に競争価格で利用できるゲルマニウムのウエファーがある。学ぶために私達を私達がすべてのあなたのウエファーの必要性とのいかにについての助けてもいいか詳細を今日尋ねなさい。