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Pのタイプは、Ga添加した単結晶のゲルマニウム（GE）のウエファー、3"を
PAM-XIAMENは単結晶のゲルマニウムのウエファー（GEのウエファー）の世界的な製造業者であり、単結晶GEのインゴット、私達に2インチからの6インチへ直径の範囲のマイクロエレクトロニクスおよび光電子工学の企業にGEのウエファーを提供することで強い利点がある。ゲルマニウムのウエファーは優秀な結晶学の特性および独特な電気特性のゲルマニウムのウエファーに元素であり、普及した半導体材料は、よるセンサー、太陽電池および赤外線光学適用で広く利用されている。PAM-XIAMENはあなたの独特なゲルマニウムの必要性を満たすために低い転位およびepiの準備ができたゲルマニウムのウエファーを提供できる。ゲルマニウムのウエファーは半によって作り出される。、高品質管理システムとクリーン ルームの環境の真空密封の標準的なカセットで標準的な、詰められて、PAM-XIAMENはきれいな、良質のゲルマニウムのウエファー プロダクトの提供に専用されている。PAM-XIAMENは電子工学の等級を提供でき、IRの等級GEのウエファーは、より多くのGEの製品に関する情報のための私達に連絡する
ゲルマニウムのウエファーの等級そして適用
| 電子等級 | ダイオードおよびトランジスターのために使用される、 |
| 赤外線かopitical等級 | IR光学窓かディスクのために使用される、opitical部品 |
| 細胞の等級 | 太陽電池の基質のために使用される |
ゲルマニウムのウエファーの指定
| 項目 | 指定 | 注目 |
| 成長方法 | VGF | |
| 伝導のタイプ | pのタイプ | |
| 添加物 | ガリウム | |
| ウエファーDiamter | 3 | インチ |
| 水晶オリエンテーション | （100）、（111）、（110） | |
| 厚さ | 200~550 | um |
| の | EJか米国 | |
| キャリア集中 | 顧客に要求 | |
| RTの抵抗 | （0.001~80） | Ohm.cm |
| 腐食ピット密度 | <5000 | /cm2 |
| レーザーの印 | 要望に応じて | |
| 表面の終わり | P/EまたはP/P | |
| 準備ができたEpi | はい | |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
ゲルマニウムのウエファー プロセス
ゲルマニウムのウエファーの工程では、残余の処理からのゲルマニウムの二酸化物は塩素処理および加水分解のステップで更に浄化される。
1) 高い純度のゲルマニウムは地帯の精錬の間に得られる。
2) ゲルマニウムの水晶はCzochralskiプロセスによって作り出される。
3) ゲルマニウムのウエファーはステップを切り、ひき、そしてエッチングする複数によって製造される。
4) ウエファーは点検きれいになり。このプロセスの間に、ウエファーは磨かれた単一の側面であるまたは注文条件に従って磨かれる二重側面はepi準備ができたウエファー来る。
5) ウエファーは窒素の大気の下の単一のウエファーの容器で、詰まる。
適用:
ゲルマニウムのブランクか窓は商業保証、消火活動および産業モニター装置のために夜間視界およびthermographicイメージ投射解決で使用される。また、それらは遠隔温度の測定のために分析的な、測定装置、窓、およびレーザーのためにミラーのためにフィルターとして使用される。
薄いゲルマニウムの基質はIII-Vの三重接続点の太陽電池でそして力によって集中されるPV （CPV）システムのために使用される
問題プロジェクトか使用法、私達は私達のゲルマニウムのウエファーの良質のゲルマニウムの一部を特色にしない。学ぶ今日照会私達があなたの次のプロジェクトのためのゲルマニウムのウエファーをいかにについての得てもいいか詳細を。