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Nのタイプは、GaSbのウエファー、2"を、テスト等級- Wafer Company Te添加した
PAM-XIAMENはCzochralski液体の内部に閉じ込められた（LEC）方法によって単結晶GaSb （ガリウム アンチモン化物）のウエファーの成長を提供する。GaSb （ガリウム アンチモン化物）はようにカットかの、エッチングされるか、または磨かれた終わりとウエファーとして供給することができ、キャリアの集中、直径および厚さの広い範囲で利用できる。PAM-XIAMENはあなたのMOCVD及びMBEのエピタキシアル適用にepiの準備ができた等級のGaSbのウエファーを提供できる。より多くのウエファー情報のための私達のエンジニアのチームに連絡しなさい。
| 2" GaSbのウエファーの指定 | ||
| 項目 | 指定 | |
| 添加物 | テルル | |
| 伝導のタイプ | Nタイプ | |
| ウエファーの直径 | 2" | |
| ウエファーのオリエンテーション | （100） ±0.5° | |
| ウエファーの厚さ | 500±25um | |
| 第一次平らな長さ | 16±2mm | |
| 二次平らな長さ | 8±1mm | |
| キャリア集中 | （1-20） x1017cm-3 | |
| 移動性 | 2000-3500cm2/V.s | |
| EPD | <2x103cm-2 | |
| TTV | <10um | |
| 弓 | <10um | |
| ゆがみ | <12um | |
| レーザーの印 | 要望に応じて | |
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | |
| 準備ができたEpi | はい | |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |
GaSbのウエファーのバンド構造およびキャリア集中は流体静力学圧力へのエネルギー ギャップの基本的な変数、温度、依存、依存、有効質量、提供者およびアクセプターを含んでいる
基本的な変数
| エネルギー ギャップ | 0.726のeV |
| ΓとL谷間のエネルギー分離（EΓL） | 0.084のeV |
| ΓおよびXの谷間のエネルギー分離（EΓX） | 0.31のeV |
| エネルギー回転軌道分裂 | 0.80のeV |
| 本質的なキャリア集中 | 1.5·1012 cm3 |
| 本質的な抵抗 | 103 Ω·cm |
| 州の有効な伝導帯密度 | 2.1·1017 cm3 |
| 州の有効な原子価バンド密度 | 1.8·1019 cm3 |
 | GaSbのバンド構造およびキャリア集中。300 K 例えば= 0.726のeV EL = 0.81のeV 前の= 1.03のeV Eso = 0.8のeV |
例えば= 0.813 - 3.78·10-4·T2 （T+94） （eV）、
Tが程度K （0 < T < 300）の温度であるところ。
EL = 0.902 - 3.97·10-4·T2 （T+94） （eV）
前の= 1.142 - 4.75·10-4·T2 （T+94） （eV）
NC = 4.0·1013·T3/2 （cm3）
NC = 4.0·1013·T3/2 （cm3）
Nv = 3.5·1015·T3/2 （cm3）
| 本質的なキャリア集中の温度の依存。 |
例えば=例えば（0） + 14.5·10-3P （eV）
EL = EL （0） + 5.0·10-3P （eV）
前=前の（0） - 1.5·10-3P （eV）、
Pがkbarの圧力であるところ。
| 密度を添加するアクセプターのアクセプター対狭くなるエネルギー ギャップ。 カーブはp-GaSbのためにに従って計算される ポイントは実験結果を示す |
例えば= 13.6·10-9·Nd1/3 + 1.66·10-7·Nd1/4 + 119·10-12·Nd1/2 （eV）
例えば= 8.07·10-9·Na1/3 + 2.80·10-7·Na1/4+ 4.12·10-12·Na1/2 （eV）
| Γ谷のため | mΓ = 0.041mo |
| L-谷で等しいエネルギーの表面は楕円体である | |
| ml= 0.95mo | |
| mt= 0.11mo | |
| 州の密度の有効質量 | |
| mL= 16 （mlmt2） 1/3= 0.57mo | |
| X-の谷で等しいエネルギーの表面は楕円体である | |
| ml= 1.51mo | |
| mt= 0.22mo | |
| 州の密度の有効質量 | |
| mX= 9 （mlmt2） 1/3= 0.87mo | |
| 重い | mh = 0.4mo |
| ライト | mlp = 0.05mo |
| 割れ目バンド | mso = 0.14mo |
| 州の密度の有効質量 | mv = 0.8mo |
| 伝導性の密度の有効質量 | mvc = 0.3mo |
| IVグループの供給の州の図表 |
| Te （L） | Te （X） | Se （L） | Se （X） | S （L） | S （X） |
| ~0.02 | ≤0.08 | ~0.05 | ~0.23 | ~0.15 | ~0.30 |
典型的な供給の集中Nd≥ 1017 cm3のためにΓ谷と接続された浅い供給の州は現われなかった。
undoped GaSbの支配的なアクセプターは原産の欠陥のようである。
このアクセプターは二倍にイオン化可能である
| Ea1 | Ea2 | Si | GE | Zn |
| 0.03 | 0.1 | ~0.01 | ~0.009 | ~0.037 |
GaSbの基質を捜しているか。
PAM-XIAMENはすべての異なった種類のプロジェクトのためのガリウム アンチモン化物の基質を提供して自慢している。GaSbのウエファーを捜したら、学ぶために私達に照会をあなたがあなたの次のプロジェクトのために必要とするGaSbのウエファーを得るために私達がいかにについてのあなたと働いてもいいか詳細を今日送りなさい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしている!