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GaSbのUndopedウエファー、2"、ようにカットのウエファー、機械ウエファー、または磨かれたウエファー
LEC （液体の内部に閉じ込められたCzochralski）によって別のオリエンテーション（111）のnのタイプ、pのタイプまたはsemi-insulatingのepi準備ができたか機械等級としてまたは育つPAM-XIAMENはGaSbのウエファー–ガリウム アンチモン化物--を提供する（100）。
ガリウム アンチモン化物（GaSb）はIII-V家族のガリウムそしてアンチモンの半導体混合物である。それに約0.61 nmの格子定数がある。GaSbは赤外線探知器に、赤外線LEDsおよびレーザーおよびトランジスターおよびthermophotovoltaicシステム使用することができる。
2" GaSbのウエファーの指定
| 項目 | 指定 |
| 添加物 | Undoped |
| 伝導のタイプ | Pタイプ |
| ウエファーの直径 | 2" |
| ウエファーのオリエンテーション | （100） ±0.5° |
| ウエファーの厚さ | 500±25um |
| 第一次平らな長さ | 16±2mm |
| 二次平らな長さ | 8±1mm |
| キャリア集中 | （1-2） x1017cm-3 |
| 移動性 | 600-700cm2/V.s |
| EPD | <2x103cm-2 |
| TTV | <10um |
| 弓 | <10um |
| ゆがみ | <12um |
| レーザーの印 | 要望に応じて |
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E |
| 準備ができたEpi | はい |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
GaSbのウエファーのバンド構造およびキャリア集中は流体静力学圧力へのエネルギー ギャップの基本的な変数、温度、依存、依存、有効質量、提供者およびアクセプターを含んでいる
基本的な変数
| エネルギー ギャップ | 0.726のeV |
| ΓとL谷間のエネルギー分離（EΓL） | 0.084のeV |
| ΓおよびXの谷間のエネルギー分離（EΓX） | 0.31のeV |
| エネルギー回転軌道分裂 | 0.80のeV |
| 本質的なキャリア集中 | 1.5·1012 cm3 |
| 本質的な抵抗 | 103 Ω·cm |
| 州の有効な伝導帯密度 | 2.1·1017 cm3 |
| 州の有効な原子価バンド密度 | 1.8·1019 cm3 |
 | GaSbのバンド構造およびキャリア集中。300 K 例えば= 0.726のeV EL = 0.81のeV 前の= 1.03のeV Eso = 0.8のeV |
例えば= 0.813 - 3.78·10-4·T2 （T+94） （eV）、
Tが程度K （0 < T < 300）の温度であるところ。
EL = 0.902 - 3.97·10-4·T2 （T+94） （eV）
前の= 1.142 - 4.75·10-4·T2 （T+94） （eV）
NC = 4.0·1013·T3/2 （cm3）
NC = 4.0·1013·T3/2 （cm3）
Nv = 3.5·1015·T3/2 （cm3）
| 本質的なキャリア集中の温度の依存。 |
例えば=例えば（0） + 14.5·10-3P （eV）
EL = EL （0） + 5.0·10-3P （eV）
前=前の（0） - 1.5·10-3P （eV）、
Pがkbarの圧力であるところ。
| 密度を添加するアクセプターのアクセプター対狭くなるエネルギー ギャップ。 カーブはp-GaSbのためにに従って計算される ポイントは実験結果を示す |
例えば= 13.6·10-9·Nd1/3 + 1.66·10-7·Nd1/4 + 119·10-12·Nd1/2 （eV）
例えば= 8.07·10-9·Na1/3 + 2.80·10-7·Na1/4+ 4.12·10-12·Na1/2 （eV）
| Γ谷のため | mΓ = 0.041mo |
| L-谷で等しいエネルギーの表面は楕円体である | |
| ml= 0.95mo | |
| mt= 0.11mo | |
| 州の密度の有効質量 | |
| mL= 16 （mlmt2） 1/3= 0.57mo | |
| X-の谷で等しいエネルギーの表面は楕円体である | |
| ml= 1.51mo | |
| mt= 0.22mo | |
| 州の密度の有効質量 | |
| mX= 9 （mlmt2） 1/3= 0.87mo | |
| 重い | mh = 0.4mo |
| ライト | mlp = 0.05mo |
| 割れ目バンド | mso = 0.14mo |
| 州の密度の有効質量 | mv = 0.8mo |
| 伝導性の密度の有効質量 | mvc = 0.3mo |
| IVグループの供給の州の図表 |
| Te （L） | Te （X） | Se （L） | Se （X） | S （L） | S （X） |
| ~0.02 | ≤0.08 | ~0.05 | ~0.23 | ~0.15 | ~0.30 |
典型的な供給の集中Nd≥ 1017 cm3のためにΓ谷と接続された浅い供給の州は現われなかった。
undoped GaSbの支配的なアクセプターは原産の欠陥のようである。
このアクセプターは二倍にイオン化可能である
| Ea1 | Ea2 | Si | GE | Zn |
| 0.03 | 0.1 | ~0.01 | ~0.009 | ~0.037 |
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