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Pは、GaSbのウエファー、2"、主な等級、準備ができたepiタイプします
LEC （液体によって内部に閉じ込められるCzochralski）によって別のオリエンテーション（111）のnのタイプ、pのタイプまたは半絶縁を用いるepi準備ができたか機械等級としてまたは育つPAM-XIAMENはGaSbのウエファー–ガリウム アンチモン化物--を提供します（100）。
ガリウム アンチモン化物（GaSb）はIII-V家族のガリウムそしてアンチモンの半導体混合物です。それに約0.61 nmの格子定数があります。GaSbは赤外線探知器に、赤外線LEDsおよびレーザーおよびトランジスターおよびthermophotovoltaicシステム使用することができます。
2" GaSbのウエファーの指定
| 項目 | 指定 |
| 添加物 | 亜鉛 |
| 伝導のタイプ | Pタイプ |
| ウエファーの直径 | 2" |
| ウエファーのオリエンテーション | （100） ±0.5° |
| ウエファーの厚さ | 500±25um |
| 第一次平らな長さ | 16±2mm |
| 二次平らな長さ | 8±1mm |
| キャリア集中 | （5-100） x1017cm-3 |
| 移動性 | 200-500cm2/V.s |
| EPD | <2x103cm-2 |
| TTV | <10um |
| 弓 | <10um |
| ゆがみ | <12um |
| レーザーの印 | 要望に応じて |
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E |
| 準備ができたEpi | はい |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
GaSbのウエファーの300 Kの基本的な変数
| 結晶構造 | 亜鉛閃亜鉛鉱 |
| 対称のグループ | Td2-F43m |
| 1 cm3の原子の数 | 3.53·1022 |
| Debyeの温度 | 266 K |
| 密度 | 5.61 g cm3 |
| 比誘電率（静的な） | 15.7 |
| 比誘電率（高周波） | 14.4 |
| 有効な電子固まり | 0.041mo |
| 有効な穴はmhを集中します | 0.4mo |
| 有効な穴はmlpを集中します | 0.05mo |
| 電子親和力 | 4.06 eV |
| 格子定数 | 6.09593 A |
| 光学音量子エネルギー | 0.0297のeV |
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