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LEC （液体によって内部に閉じ込められるCzochralski）によって別のオリエンテーション（111）のnのタイプ、pのタイプまたは半絶縁を用いるepi準備ができたか機械等級としてまたは育つPAM-XIAMENは化合物半導体のGaSbのウエファー–ガリウム アンチモン化物--を提供します（100）。
ガリウム アンチモン化物（GaSb）はIII-V家族のガリウムそしてアンチモンの半導体混合物です。それに約0.61 nmの格子定数があります。GaSbは赤外線探知器に、赤外線LEDsおよびレーザーおよびトランジスターおよびthermophotovoltaicシステム使用することができます。
詳細仕様はここにあります:
2つの″ （50.8mm）のGaSbのウエファーの指定
3つの″ （50.8mm）のGaSbのウエファーの指定
4つの″ （100mm）のGaSbのウエファーの指定
2つの″のGaSbのウエファーの指定
| 項目 | 指定 | ||
| 添加物 | Undoped | 亜鉛 | テルル |
| 伝導のタイプ | Pタイプ | Pタイプ | Nタイプ |
| ウエファーの直径 | 2 ″ | ||
| ウエファーのオリエンテーション | （100） ±0.5° | ||
| ウエファーの厚さ | 500±25um | ||
| 第一次平らな長さ | 16±2mm | ||
| 二次平らな長さ | 8±1mm | ||
| キャリア集中 | （1-2） x1017cm-3 | （5-100） x1017cm-3 | （1-20） x1017cm-3 |
| 移動性 | 600-700cm2/V.s | 200-500cm2/V.s | 2000-3500cm2/V.s |
| EPD | <2>3つのcm-2 | ||
| TTV | <10um> | ||
| 弓 | <10um> | ||
| ゆがみ | <12um> | ||
| レーザーの印 | 要望に応じて | ||
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | ||
| 準備ができたEpi | はい | ||
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | ||
3つの″のGaSbのウエファーの指定
| 項目 | 指定 | ||
| 伝導のタイプ | Pタイプ | Pタイプ | Nタイプ |
| 添加物 | Undoped | 亜鉛 | テルル |
| ウエファーの直径 | 3 ″ | ||
| ウエファーのオリエンテーション | （100） ±0.5° | ||
| ウエファーの厚さ | 600±25um | ||
| 第一次平らな長さ | 22±2mm | ||
| 二次平らな長さ | 11±1mm | ||
| キャリア集中 | （1-2） x1017cm-3 | （5-100） x1017cm-3 | （1-20） x1017cm-3 |
| 移動性 | 600-700cm2/V.s | 200-500cm2/V.s | 2000-3500cm2/V.s |
| EPD | <2>3つのcm-2 | ||
| TTV | <12um> | ||
| 弓 | <12um> | ||
| ゆがみ | <15um> | ||
| レーザーの印 | 要望に応じて | ||
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | ||
| 準備ができたEpi | はい | ||
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | ||
4つの″のGaSbのウエファーの指定
| 項目 | 指定 | ||
| 添加物 | Undoped | 亜鉛 | テルル |
| 伝導のタイプ | Pタイプ | Pタイプ | Nタイプ |
| ウエファーの直径 | 4 ″ | ||
| ウエファーのオリエンテーション | （100） ±0.5° | ||
| ウエファーの厚さ | 800±25um | ||
| 第一次平らな長さ | 32.5±2.5mm | ||
| 二次平らな長さ | 18±1mm | ||
| キャリア集中 | （1-2） x1017cm-3 | （5-100） x1017cm-3 | （1-20） x1017cm-3 |
| 移動性 | 600-700cm2/V.s | 200-500cm2/V.s | 2000-3500cm2/V.s |
| EPD | <2>3つのcm-2 | ||
| TTV | <15um> | ||
| 弓 | <15um> | ||
| ゆがみ | <20um> | ||
| レーザーの印 | 要望に応じて | ||
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | ||
| 準備ができたEpi | はい | ||
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | ||
1）2 ″ （50.8mm）、3つの″ （76.2mm）のGaSbのウエファー
オリエンテーション:（100） ±0.5°
厚さ（μm）:500±25;600±25
タイプ/添加物:P/undoped;P/Si;P/Zn
NC （cm3）:（1~2） E17
移動性（cm2/V·s）:600~700
成長方法:CZ
ポーランド語:SSP
2）2つの″ （50.8mm）のGaSbのウエファー
オリエンテーション:（100） ±0.5°
厚さ（μm）:500±25;600±25
タイプ/添加物:N/undoped;P/Te
NC （cm3）:（1~5） E17
移動性（cm2/V·s）:2500~3500
成長方法:LEC
ポーランド語:SSP
3）2つの″ （50.8mm）のGaSbのウエファー
オリエンテーション:（111） A±0.5°
厚さ（μm）:500±25
タイプ/添加物:N/Te;P/Zn
NC （cm3）:（1~5） E17
移動性（cm2/V·s）:2500~3500;200~500
成長方法:LEC
ポーランド語:SSP
4）2つの″ （50.8mm）のGaSbのウエファー
オリエンテーション:（111） B±0.5°
厚さ（μm）:500±25;450±25
タイプ/添加物:N/Te;P/Zn
NC （cm3）:（1~5） E17
移動性（cm2/V·s）:2500~3500;200~500
成長方法:LEC
ポーランド語:SSP
5）2つの″ （50.8mm）のGaSbのウエファー
オリエンテーション:（111） B 2deg.off
厚さ（μm）:500±25
タイプ/添加物:N/Te;P/Zn
NC （cm3）:（1~5） E17
移動性（cm2/V·s）:2500~3500;200~500
成長方法:LEC
ポーランド語:SSP
相対的なプロダクト:
InAsのウエファー
InSbのウエファー
INPウエファー
GaAsのウエファー
GaSbのウエファー
ギャップのウエファー
ガリウム アンチモン化物（GaSb）はようにカットの、エッチングされたか、または磨かれた終わりとウエファーとして供給することができ、キャリアの集中、直径および厚さの広い範囲で利用できます。
GaSbの文書は単一の接続点のthermophotovoltaic (TPV)装置のための興味深い特性を示します。GaSb:Czochralski (Cz)または変更されたCzo-のchralski （Mo Cz）方法と育つTeの単結晶は示され、Teの同質性の問題は論議されます。キャリア移動度がバルク水晶のための急所の1つであるので、ホールの測定は遂行されます。私達は材料加工の視点に基づいてある補足の開発をここに示します:バルク結晶成長、ウエファーの準備およびウエファーのエッチング。これらの後のそれに続くステップはp/r n/pの接続点の精密さと関連していません。異なった薄層の精密さのアプローチのために得られるある結果は示されます。従って金属の有機性化学気相堆積プロセスまでの簡単な蒸気段階の拡散液体段階のエピタクシー プロセスから私達は物質的な特定性を報告します。