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ガラスウエファー

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シアムンPOWERWAYは先端材料CO.、株式会社を。

シティ：xiamen

省/州：fujian

国/地域：china

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別の東洋のnのタイプpのタイプか半絶縁が付いているepiの準備ができたか機械等級としてLECによるインジウムのヒ化物のウエファー

Name: 別の東洋のnのタイプpのタイプか半絶縁が付いているepiの準備ができたか機械等級としてLECによるインジウムのヒ化物のウエファー
Brand: PAM-XIAMEN
Price: 1 USD

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Brand Name :PAM-XIAMEN

Place of Origin :China

MOQ :1-10,000pcs

Price :By Case

Payment Terms :T/T

Supply Ability :10,000 wafers/month

Delivery Time :5-50 working days

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別の東洋のnのタイプ、pのタイプまたは半絶縁を用いるepi準備ができたか機械等級としてLECによるインジウムのヒ化物のウエファー

Produktbeschreibung

PAM-XIAMENのbietetのINPウエファー- Indiumphosphidはals、unterschiedlicher Orientierung （111）オーデル（100）のp-Typのオーデルhalbisolierend epi準備ができたオーデルがTypen mitのn-Typをmechanischen durch LEC （液体によって内部に閉じ込められるCzochralski）オーデルVGF （縦の勾配の氷結） aufgewachsen死にます。

Indiumphosphid (InP) istのeinのbinärerのHalbleiterのausのインジウムのundの蛍光体のzusammengesetzt ist。ESの帽子のeineは（„亜鉛閃亜鉛鉱「） Kristallstruktur、undがmeisten der III-Vの半導体を死ぬidentisch mit demフォンGaAsをkubisch-flächenzentrierten。インジウムのPhosphidのkannのausのderのReaktionフォンweißem PhosphorのundのIndiumiodid [Klärungsbedarf] bei 400のhergestelltは、° C. [5]、オーシュのdurchのdirekteのKombinationのder gereinigten Elementeのbeiをhohen TemperaturのundのDruckオーデルのdurchのthermischeのZersetzungのeinesのGemischesのausのeinemのTrialkyl Indiumverbindungのund Phosphidをwerden。Hochleistungs-のundのHochfrequenzelektronik [Bearbeiten] wegenのseinerのINP wirdはBezug auf dasのüblichereのHalbleiter Siliziumのund GalliumarsenidのElektronengeschwindigkeitをüberlegenen。

Hier istはausführliche Beschreibung死にます:

2" （50,8のmm） INPウエファーSpezifikation

3" （76,2のmm）ウエファーINP指定

4" （100つのmm）ウエファーINP Specificatio

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