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Pは、InAsの基質、3"、主な等級タイプします
PAM-XIAMENは光電子工学の適用のための高い純度の単結晶のインジウムのヒ化物のウエファーを製造します。私達の標準的なウエファーの直径は25.4 mm （1インチ）から100つのmm （6インチ）まで及びます;ウエファーは磨かれたかつや出しされていない側面とのさまざまな厚さそしてオリエンテーションで作り出し、添加物を含むことができます。PAM-XIAMENは広い範囲の等級を作り出すことができます:主な等級、機械等級、テスト等級、模造の等級、技術的な等級および光学等級。PAM-XIAMENはまた注文の構成に加えて要求によってコマーシャルおよび研究の塗布および新しい専有技術のための顧客の指定に材料を、提供します。
3" InAsのウエファーの指定
| 項目 | 指定 |
| 添加物 | 亜鉛 |
| 伝導のタイプ | Pタイプ |
| ウエファーの直径 | 3" |
| ウエファーのオリエンテーション | （100） ±0.5° |
| ウエファーの厚さ | 600±25um |
| 第一次平らな長さ | 22±2mm |
| 二次平らな長さ | 11±1mm |
| キャリア集中 | （1-10） x1017cm-3 |
| 移動性 | 100-400cm2/V.s |
| EPD | <3x104cm-2 |
| TTV | <12um |
| 弓 | <12um |
| ゆがみ | <15um |
| レーザーの印 | 要望に応じて |
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E |
| 準備ができたEpi | はい |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
InAsのウエファーは何ですか。
インジウムのヒ化物は一種のインジウムおよびヒ素で構成されるIII-Vの化合物半導体材料です。それは室温に閃亜鉛鉱の結晶構造が付いている銀製灰色の固体です。格子定数は0.6058nmであり、密度は5.66g/cm （固体）および5.90g/cm （融点の液体）です。バンド構造は0.033mpaだけある、単結晶は大気圧の溶解から育てることができますように0.45evのバンド ギャップ（300K）の直接遷移分離圧力のであり。一般的な方法はHbおよびLECです。InAsは浄化しにくいの一種の半導体材料です。残りのキャリア集中はl × 10/cmが、室温の電子移動度3.3 × 10の^ 3cm/であるより高いです（V·s）、および正孔移動度は460cm/です（V·s）。1に近いように硫黄の有効な析出係数および、従ってそれはnタイプの添加物として縦方向のキャリア集中の配分の均等性を改善するのに使用されています。InAs産業（s）の単結晶のため、nの≥ 1の× 10/cm3のμの≤ 2.0の× 10cm/（V·s）、EPDの≤ 5の× 10/cm3。
InAsの水晶に高い電子移動度がおよび移動性の比率（μ E/μ H = 70）、低い磁石抵抗の効果および低い抵抗の温度係数があります。それはホール装置および磁石抵抗装置を製造するための理想的な材料です。InAsの放出波長はGaAs B、InAsPSbの3.34 μ M.であり、格子一致を用いるinasbの多数のエピタキシアル材料はInAsの基質で育てることができます。2-4 μ Mバンドの光ファイバー コミュニケーションのためのレーザーそして探知器は製造されたである場合もあります。
InAsテスト ウエファーは何ですか。
ほとんどのテスト ウエファーは主な指定から落ちたウエファーです。テスト ウエファーがマラソン、上限R & Dのための試験装置を動かすのに使用され。それらは頻繁にウエファーの発動を促す費用効果が大きい代わりです。
| 故障分野 | ≈4·104ボルトcm-1 |
| 電子の移動性 | ≤4·104 cm2V-1s-1 |
| 穴の移動性 | ≤5·V-1s-1 102のcm2の |
| 電子の拡散係数 | ≤103 cm2s-1 |
| 穴の拡散係数 | ≤13 cm2 s-1の |
| 電子上昇温暖気流の速度 | 7.7·105のm s-1 |
| 穴の上昇温暖気流の速度 | 2·105のm s-1 |
 | 電子ホール移動性対別の電子集中のための温度: 完全な三角形のno= 4·1015 cm3、 no= 4を一周します·1016cm-3、 三角形のno= 1.7を開けて下さい·1016cm-3. 純粋なInAsのための固体カーブ計算。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 電子ホール移動性対電子集中。T = 77 K。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 電子ホール移動性対電子集中T = 300 K | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 電子ホール移動性（R·償われた材料のσ）
| ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 電子ホール移動性対横断磁界、T = 77 K。 Nd （cm3）: 1. 1.7·1016; 2. 5.8·1016。 |
T = 300 K純粋なn-InAs RH ~1.3の電子ホールの要因。
| 穴のホール移動性（R·異なったアクセプター密度のための温度対σ）。 300 K po （cm3）の穴集中:1. 5.7·1016;2. 2.6·1017;3. 4.2·1017;4. 1.3·1018。 |
| ホール係数対異なったアクセプター密度のための温度。 300 K po （cm3）の穴集中:1. 5.7·1016;2. 2.6·1017;3. 4.2·1017;4. 1.3·1018。 |
| 電子漂流速度の定常分野の依存、300 K、 F||（100）。理論的な計算 |
| 長い（マイクロ秒の）脈拍のための異なった横断磁場の電子漂流速度の分野の依存。 実験結果、77 K 磁界B （T）:1. 0.0;2. 0.3;3. 0.9;4. 1.5。 |
| 電子漂流速度の分野の依存、77 K。 別の非parabolicityのための理論的な計算の実線ショーの結果 α （eV-1）:1. 2.85;2. 2.0;3. 1.5。 ポイントは非常に急にのための実験結果を示します（ピコ秒の脈拍） |
| イオン化の依存は電子αiのために評価し、βi対1/F、T =77Kに穴をあけます |
αi = αoexp （- Fno/F）
αo = 1.8·105 cm-1;
Fno = 1.6·105ボルトcm-1 （K） 77
βi = βoexp （- Fpo/F）
77 K
| 1.5·104ボルトcm-1 < F < 3·104ボルトcm-1 | 3·104ボルトcm-1 < F < 6·104ボルトcm-1 |
| βo = 4.7·105 cm-1; | βo = 4.5·106 cm-1; |
| Fpo = 0.85·105ボルトcm-1。 | Fpo = 1.54·105ボルトcm-1 |
| 世代別率g対比較的低い分野のための電界、T = 77 K。 実線は計算の結果を示します。 実験結果:開いた、完全な円- undoped InAs、 三角形-償われたInAs --を開けて下さい。 |
| 絶縁破壊電圧および故障は突然のp-nの接続点のための密度、77 K.の添加対守備につきます。 |
| 純粋なnタイプ材料（=2無し·10-15cm-3） | |
| 穴の最も長い寿命 | τp | 3·10-6 s |
| 拡散距離LP | LP | 10 - 20 µm。 |
| 純粋なpタイプ材料 | |
| 電子の最も長い寿命 | τn | 3·10-8 s |
| 拡散距離Ln | Ln | 30 - 60 µm |
独特の表面の組み変え率（cm s-1） 102 - 104。
| 77 K | 1.2·10-9 cm3s-1 |
| 298 K | 1.1·10-10 cm3s-1 |
| 300 K | 2.2·10-27cm3s-1 |
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