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Nは、INPウエファー、2"、主な等級、準備ができたEpiタイプします
PAM-XIAMENは光電子工学の適用のための高い純度の単結晶のリン化インジウムのウエファーを製造します。私達の標準的なウエファーの直径は25.4 mm （1インチ）から200のmm （6インチ）まで及びます;ウエファーは磨かれたかつや出しされていない側面とのさまざまな厚さそしてオリエンテーションで作り出し、添加物を含むことができます。PAM-XIAMENは広い範囲の等級を作り出すことができます:主な等級、テスト等級、模造の等級、技術的な等級および光学等級。PAM-XIAMENはまた注文の構成に加えて要求によってコマーシャルおよび研究の塗布および新しい専有技術のための顧客の指定に材料を、提供します。
2" INPウエファーの指定
| 2" INPウエファーの指定 | ||||
| 項目 | 指定 | |||
| 伝導のタイプ | Nタイプ | Nタイプ | ||
| 添加物 | Undoped | 硫黄 | ||
| ウエファーの直径 | 2" | |||
| ウエファーのオリエンテーション | 100±0.5° | |||
| ウエファーの厚さ | 350±25um | |||
| 第一次平らな長さ | 16±2mm | |||
| 二次平らな長さ | 8±1mm | |||
| キャリア集中 | ≤3x1016cm-3 | （0.8-6） x1018cm-3 | （0.6-6） x1018cm-3 | N/A |
| 移動性 | （3.5-4） x103cm2/V.s | （1.5-3.5） x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| 抵抗 | N/A | N/A | N/A | >0.5x107Ωcm |
| EPD | <1000cm-2 | <500cm-2 | <1x103cm-2 | <5x103cm-2 |
| TTV | <10um | |||
| 弓 | <10um | |||
| ゆがみ | <12um | |||
| レーザーの印 | 要望に応じて | |||
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | |||
| 準備ができたEpi | はい | |||
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |||
INPウエファーは何ですか。
リン化インジウムはGaAsおよびケイ素に半導体の物質的な類似していますが、多く隙間商品です。それは非常に高速処理の開発で非常に有効で、原料を集め、開発することはすばらしい長さのためにGaAsより高いです。INPウエファーに関係するように私達をリン化インジウムについてのもう少しの事実を見てみることを許可して下さい。
衝撃イオン化
 | イオン化の依存は電子αiのために評価し、βiに対1/F、300 K.穴をあけます。 （コックの の等 [1982年]）。 |
| 絶縁破壊電圧および故障は突然のp-nの接続点のための密度、300 Kの添加対守備につきます （KyuregyanおよびYurkov [1989年]）。 |
INPは強力な、高周波電子工学[必要とされる参照]で共通の半導体ケイ素およびガリウム砒素に関して優秀な電子速度のために使用されます。
インジウムのガリウム砒素と記録破りのpseudomorphicヘテロ接合に604のGHzで作動できる両極トランジスターをすることを使用しました。
それにまたそれを半導体レーザーのような光電子工学装置のために有用にさせる直接bandgapがあります。会社Infineraは光学テレコミュニケーション工業のために波長分割の多重型になる適用を可能にするために光通信の集積回路を製造するために主要な科学技術材料としてリン化インジウムを、使用します。
INPはまたエピタキシアル インジウムのガリウム砒素基づいた光電子工学装置のために基質として使用されます。
PAM-XIAMENは私達がずっとほぼ30年間それをしているように、すべてのためのあなたの主力の場所ウエファー、INPウエファーを含んでです!詳細を私達が提供する、そしていかにについての学ぶために私達を私達があなたの次のプロジェクトとの助けてもいいウエファー今日尋ねて下さい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしています!