最新の価格を尋ねる
正会員
6 年
Add to Cart
Nは、INP基質、3"、主な等級タイプします
LEC （液体によって内部に閉じ込められるCzochralski）またはVGF （縦の勾配の氷結）によって別のオリエンテーション（111）のnのタイプ、pのタイプまたは半絶縁を用いるepi準備ができたか機械等級としてまたは育つPAM-XIAMENはINPウエファー–リン化インジウム--を提供します（100）。
リン化インジウム(InP)はインジウムおよびリンで構成される二進半導体です。それにGaAsのそれおよびIII-Vの半導体のほとんどと同一の表面集中させた立方（「亜鉛閃亜鉛鉱」）結晶構造があります。リン化インジウムは400 °C.の黄リンおよびインジウムのヨウ素化合物[必要とされる説明]の反作用から高温および圧力の浄化された要素の直接組合せ、またはtrialkylのインジウムの混合物およびリン化物の混合物の熱分解によって、[5]また準備することができます。INPは強力な、高周波電子工学[必要とされる参照]で共通の半導体ケイ素およびガリウム砒素に関して優秀な電子速度のために使用されます。
Nは、INP基質、3"、主な等級タイプします
| 3" INPウエファーの指定 | ||||
| 項目 | 指定 | |||
| 伝導のタイプ | Nタイプ | Nタイプ | ||
| 添加物 | Undoped | 硫黄 | ||
| ウエファーの直径 | 3" | |||
| ウエファーのオリエンテーション | 100±0.5° | |||
| ウエファーの厚さ | 600±25um | |||
| 第一次平らな長さ | 16±2mm | |||
| 二次平らな長さ | 8±1mm | |||
| キャリア集中 | ≤3x1016cm-3 | （0.8-6） x1018cm-3 | （0.6-6） x1018cm-3 | N/A |
| 移動性 | （3.5-4） x103cm2/V.s | （1.5-3.5） x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| 抵抗 | N/A | N/A | N/A | >0.5x107Ω.cm |
| EPD | <1000cm-2 | <500cm-2 | <1x103cm-2 | <5x103cm-2 |
| TTV | <12um | |||
| 弓 | <12um | |||
| ゆがみ | <15um | |||
| レーザーの印 | 要望に応じて | |||
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | |||
| 準備ができたEpi | はい | |||
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |||
ほとんどのテスト ウエファーは主な指定から落ちたウエファーです。テスト ウエファーがマラソン、上限R & Dのための試験装置を動かすのに使用され。それらは頻繁にウエファーの発動を促す費用効果が大きい代わりです。
 | 電子ホール移動性は対別の添加のための温度水平になります。 最下のカーブ- no=Nd-Na=8·1017 cm3; 中間のカーブ- no=2·1015 cm3; 上のカーブ- no=3·1013 cm3。 （Razeghi等[1988年]）および（Walukiewicz??等の [1980年]）。 |
| 電子ホール移動性対温度（高温）: 最下のカーブ- no=Nd-Na~3·1017 cm3; 中間のカーブ- no~1.5·1016 cm3; 上のカーブ- no~3·1015 cm3。 （GalavanovおよびSiukaev [1970年]）。 |
µn = （4.2÷5.4）·103·（300/T） （cm2V-1 s-1）
| ホール移動性対異なった補償の比率のための電子集中。 θ = Na/Nd、77 K。 ダッシュで結ばれるカーブは理論的な計算です:1. θ = 0;2. θ = 0.2;3. θ = 0.4;4. θ = 0.6;5. θ = 0.8; （Walukiewiczの の等 [1980年]）。 実線は平均の観察された値（アンダーソンの の等 [1985年]）です。 |
| ホール移動性対異なった補償の比率のための電子集中 θ =Na/Nd、300 K。 ダッシュで結ばれるカーブは理論的な計算です:1. θ = 0;2. θ = 0.2;3. θ = 0.4;4. θ = 0.6;5. θ = 0.8; （Walukiewiczの の等 [1980年]）。 実線は平均の観察された値（アンダーソンの の等 [1985年]）です。 |
Μ=ΜOH/[1+ （Nd/107） 1/2]、
ΜOH=5000 cm2V-1 s-1ところ、
cm3 （のNd- Hilsum [1974年]）
300 K、n INPの電子ホールの要因rn≈1。
のためNd > 1015 cm3。
| ホール移動性に対異なった添加の（Znの）レベルのための温度穴をあけて下さい。 300 Kの穴集中:1. 1.75·1018 cm3;2. 3.6·1017 cm3;3. 4.4·1016 cm3。 θ=Na/Nd~0.1. （Kohanyukの の等 [1988年]）。 |
µpH~150·（300/T） 2.2 （cm2V-1 s-1）。
| 穴のホール移動性対穴密度、300 K （ワイリー[1975年]）。 穴のホール移動性のためのおおよその方式: µp=µpo/[1 + （Na/2·1017） 1/2]、ところµpo~150 cm2V-1 s-1、cm3のNa- |
300 K、純粋なp INPの穴の要因:rp~1
INPはレーザーを基づかせ、LEDsは12 µmまで1200 nmの非常に広い範囲のライトを出すことができます。このライトはデジタル化された世界のすべての区域で繊維によって基づく電気通信およびデータ通信の適用のために使用されます。ライトはまた適用を感じるために使用されます。一方では例えば非常に薄くされたガスを検出するためにある特定の波長が問題と相互に作用するように必要の分光適用があります。光電子工学のterahertzは超高感度の分光検光子、ポリマーのそして自動車産業の多層コーティングの検出のための厚さの測定で使用されます。一方ではそれらが目の金庫であるので特定のINPレーザーの巨大な利点があります。放射は人間の目のガラス質ボディで吸収され、網膜に害を与えることができません。LiDARのINPレーザーは（軽い検出および及ぶこと）未来およびオートメーション工業の移動性のための主要部分です。
PAM-XIAMENは私達がずっとほぼ30年間それをしているように、すべてのためのあなたの主力の場所ウエファー、INPウエファーを含んでです!詳細を私達が提供する、そしていかにについての学ぶために私達を私達があなたの次のプロジェクトとの助けてもいいウエファー今日尋ねて下さい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしています!