最新の価格を尋ねる
正会員
6 年
Add to Cart
Nは、INP基質、3"、模造の等級タイプします
PAM-XIAMENは光電子工学の適用のための高い純度の単結晶のリン化インジウムのウエファーを製造します。私達の標準的なウエファーの直径は25.4 mm （1インチ）から200のmm （6インチ）まで及びます;ウエファーは磨かれたかつや出しされていない側面とのさまざまな厚さそしてオリエンテーションで作り出し、添加物を含むことができます。PAM-XIAMENは広い範囲の等級を作り出すことができます:主な等級、テスト等級、模造の等級、技術的な等級および光学等級。PAM-XIAMENはまた注文の構成に加えて要求によってコマーシャルおよび研究の塗布および新しい専有技術のための顧客の指定に材料を、提供します。
Nは、INP基質、3"、模造の等級タイプします
| 3" INPウエファーの指定 | ||||
| 項目 | 指定 | |||
| 伝導のタイプ | Nタイプ | Nタイプ | ||
| 添加物 | Undoped | 硫黄 | ||
| ウエファーの直径 | 3" | |||
| ウエファーのオリエンテーション | 100±0.5° | |||
| ウエファーの厚さ | 600±25um | |||
| 第一次平らな長さ | 16±2mm | |||
| 二次平らな長さ | 8±1mm | |||
| キャリア集中 | ≤3x1016cm-3 | （0.8-6） x1018cm-3 | （0.6-6） x1018cm-3 | N/A |
| 移動性 | （3.5-4） x103cm2/V.s | （1.5-3.5） x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| 抵抗 | N/A | N/A | N/A | >0.5x107Ω.cm |
| EPD | <1000cm-2 | <500cm-2 | <1x103cm-2 | <5x103cm-2 |
| TTV | <12um | |||
| 弓 | <12um | |||
| ゆがみ | <15um | |||
| レーザーの印 | 要望に応じて | |||
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | |||
| 準備ができたEpi | はい | |||
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |||
ウエファーのクリーニング
ウエファーのクリーニングはウエファー工業の重要部分です。クリーニング プロセスは半導体からの微粒子および化学不純物の取り外しを含みます。それは基質がまったく傷つかないことクリーニング プロセスの間に命令的です。ウエファーのクリーニングは使用されるのは共通の要素であるのでケイ素ベースの材料にとって理想的です。ウエファーのクリーニングの利点のいくつかは下記のものを含んでいます:
 | INPの電子漂流速度の依存、300 K.の守備について下さい。 固体カーブは理論的な計算です。 紛砕され、点を打たれたカーブは測定されたデータです。 （MaloneyおよびFrey [1977年]）および（Gonzalezサンチェスの 等[1992年]）。 |
| 高い電界のための電子漂流速度の分野の依存。 T （K）:1. 95;2. 300;3. 400。 （Windhornの の等 [1983年]）。 |
| 異なった温度で電子漂流速度の依存の守備について下さい。 1 -77 K （Gonzalezサンチェスの の等 [1992年]）曲げて下さい。 カーブ2 - 300 K、3つ曲げて下さい- 500 Kを（FawcettおよびHill [1975年]）。 |
| 電子温度対77 Kおよび300 K.のための電界。 （MaloneyおよびFrey [1977年]） |
| 電界の機能としてLおよびXの谷nL/noおよびnX/no、300 K.の電子の一部分。 （BorodovskiiおよびOsadchii [1987年]）。 |
| 効率のηの最初は（実線）そしてLSAモードの第2 （破線の）倍音の頻度依存。 モンテ カルロのシミュレーション。 F = Fo + F1·罪（2π·ft） + F2·[罪（4π·ft） +3π/2]、 Fo=F1=35 kV cm-1、 F2=10.5 kV cm-1 （BorodovskiiおよびOsadchii [1987年]）。 |
| 縦方向（D||F）および横断（300 K.のDの⊥ F）の電子拡散係数。 アンサンブルのモンテ カルロのシミュレーション。 （Aishimaおよび福島[1983年]）。 |
| 縦方向（D||F）および横断（77KのDの⊥ F）の電子拡散係数。 アンサンブルのモンテ カルロのシミュレーション。 （Aishimaおよび福島[1983年]）。 |
それが直接bandgap III-Vの化合物半導体材料であるのでリン化インジウム(InP)が普通テレコミュニケーション、すなわち、1550のnmの波長に使用する波長の窓の有効なレーザー、敏感なフォトディテクターおよび変調器を作り出すのに使用されています。約1510 nmと1600 nm間の波長に光ファイバー（約0.26 dB/km）で利用できる最も低い減少があります。INPは電子的形態に戻ってレーザー信号および検出の生成およびそれらの信号の転換のための一般的な材料です。ウエファーの直径は2-4インチから及びます。
適用は次のとおりです:
•遠距離上の長距離貨物輸送の光ファイバー関係5000までのkm普通>10 Tbit/s
•地下鉄リング アクセス ネットワーク
•会社ネットワークおよびデータ センタ
•家への繊維
•無線3G、LTEおよび5G基地局への関係
•自由空間の衛星通信
INP基質を捜していますか。
PAM-XIAMENはすべての異なった種類のプロジェクトのためのリン化インジウムの基質を提供して自慢しています。INPウエファーを捜したら、学ぶために私達に照会をあなたがあなたの次のプロジェクトのために必要とするINPウエファーを得るために私達がいかにについてのあなたと働いてもいいか詳細を今日送って下さい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしています!