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Nは、リン化インジウムのウエファー、6"、テスト等級- Powerwayのウエファー タイプします
PAM-XIAMENは直径のマイクロエレクトロニックの（HBT/HEMT）および光電子工学の企業（LED/DWDM/PIN/VCSELs）に単結晶INP （リン化インジウム）ウエファーを6インチまで提供します。リン化インジウムの(InP)の水晶は2つの要素、インジウムおよびリン化物の液体によってCzochralski内部に閉じ込められる(LEC)方法またはVGF方法による成長によって形作られます。INPウエファーは重要な半導体材料優秀な電気および熱特性がある、INPウエファー持っていますより高い電子移動度、より高い頻度、低い電力の消費、より高い熱伝導性および低雑音の性能をです。PAM-XIAMENはあなたのMOCVD及びMBEのエピタキシアル適用にepiの準備ができた等級INPウエファーを提供できます。より多くのウエファー情報のための私達のエンジニアのチームに連絡して下さい。
Nは、リン化インジウムのウエファー、6"、テスト等級タイプします
| 6" INPウエファーの指定 | ||||
| 項目 | 指定 | |||
| 伝導のタイプ | Nタイプ | Nタイプ | ||
| 添加物 | Undoped | 硫黄 | ||
| ウエファーの直径 | 6" | |||
| ウエファーのオリエンテーション | 100±0.5° | |||
| ウエファーの厚さ | ||||
| 第一次平らな長さ | ||||
| 二次平らな長さ | ||||
| キャリア集中 | ≤3x1016cm-3 | （0.8-6） x1018cm-3 | （0.6-6） x1018cm-3 | N/A |
| 移動性 | （3.5-4） x103cm2/V.s | （1.5-3.5） x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| 抵抗 | N/A | N/A | N/A | >0.5x107Ω.cm |
| EPD | <1000cm>-2 | <1x10>3cm-2 | <1x10>3cm-2 | <5x10>3cm-2 |
| TTV | ||||
| 弓 | ||||
| ゆがみ | ||||
| レーザーの印 | 要望に応じて | |||
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | |||
| 準備ができたEpi | はい | |||
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |||
リン化インジウムの事実
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電子ホール移動性は対別の添加のための温度水平になります。 最下のカーブ- no=Nd-Na=8·1017 cm3; 中間のカーブ- no=2·1015 cm3; 上のカーブ- no=3·1013 cm3。 （Razeghi等[1988年]）および（Walukiewicz??等の [1980年]）。 |
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電子ホール移動性対温度（高温）: 最下のカーブ- no=Nd-Na~3·1017 cm3; 中間のカーブ- no~1.5·1016 cm3; 上のカーブ- no~3·1015 cm3。 （GalavanovおよびSiukaev [1970年]）。 |
µn = （4.2÷5.4）·103·（300/T） （cm2V-1 s-1）
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ホール移動性対異なった補償の比率のための電子集中。 θ = Na/Nd、77 K。 ダッシュで結ばれるカーブは理論的な計算です:1. θ = 0;2. θ = 0.2;3. θ = 0.4;4. θ = 0.6;5. θ = 0.8; （Walukiewiczの の等 [1980年]）。 実線は平均の観察された値（アンダーソンの の等 [1985年]）です。 |
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ホール移動性対異なった補償の比率のための電子集中 θ =Na/Nd、300 K。 ダッシュで結ばれるカーブは理論的な計算です:1. θ = 0;2. θ = 0.2;3. θ = 0.4;4. θ = 0.6;5. θ = 0.8; （Walukiewiczの の等 [1980年]）。 実線は平均の観察された値（アンダーソンの の等 [1985年]）です。 |
Μ=ΜOH/[1+ （Nd/107） 1/2]、
ΜOH=5000 cm2V-1 s-1ところ、
cm3 （のNd- Hilsum [1974年]）
300 K、n INPの電子ホールの要因rn≈1。
のためNd > 1015 cm3。
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ホール移動性に対異なった添加の（Znの）レベルのための温度穴をあけて下さい。 300 Kの穴集中:1. 1.75·1018 cm3;2. 3.6·1017 cm3;3. 4.4·1016 cm3。 θ=Na/Nd~0.1. （Kohanyukの の等 [1988年]）。 |
µpH~150·（300/T） 2.2 （cm2V-1 s-1）。
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穴のホール移動性対穴密度、300 K （ワイリー[1975年]）。 穴のホール移動性のためのおおよその方式: µp=µpo/[1 + （Na/2·1017） 1/2]、ところµpo~150 cm2V-1 s-1、cm3のNa- |
300 K、純粋なp INPの穴の要因:rp~1
効率的に電気エネルギーに太陽放射を変えるために最適のbandgapの組合せを達成する46%まで（新聞発表、Fraunhofer ISE、1. 2014年12月）道具INP基質の高性能の光電池。今日、INP基質だけ一定した高い結晶の質の必須の低いbandgap材料を育てるために格子を達成します。世界中研究グループはこれらの材料の高い費用による取り替えを捜しています。但し、今まで他の選択はすべてより低く物質的な質およびそれ故により低い変換効率をもたらします。それ以上の研究はそれ以上の太陽電池の生産のための型板としてINP基質の再使用に焦点を合わせます。
コンセントレイターのphotovoltaics (CPV)とスペース塗布のためのまた今日の最新式の高性能の太陽電池は（Ga） INPおよび必須のbandgapの組合せを達成するのに他のIII-Vの混合物を使用します。他の技術は、Siの太陽電池のような、III-Vの細胞が粗いスペース環境でなお大いにより強い低下を示すより半分だけ力提供し。最後に、Siベースの太陽電池はまたIII-Vの太陽電池より大いに重く、残骸より高い空きにもたらします。かなり地球PVシステムの変換効率を高める1つの方法はまた区域のパーセントの約10分の1だけが高性能III-Vの太陽電池によってカバーされるCPVシステムの同じようなIII-Vの太陽電池の使用です
INP基質を捜していますか。
PAM-XIAMENはすべての異なった種類のプロジェクトのためのリン化インジウムの基質を提供して自慢しています。INPウエファーを捜したら、学ぶために私達に照会をあなたがあなたの次のプロジェクトのために必要とするINPウエファーを得るために私達がいかにについてのあなたと働いてもいいか詳細を今日送って下さい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしています!