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、INP基質半絶縁して、2"は、等級、準備ができたEpiの発動を促します
LEC （液体によって内部に閉じ込められるCzochralski）またはVGF （縦の勾配の氷結）によって別のオリエンテーション（111）のnのタイプ、pのタイプまたは半絶縁を用いるepi準備ができたか機械等級としてまたは育つPAM-XIAMENはINPウエファー–リン化インジウム--を提供します（100）。
リン化インジウム(InP)はインジウムおよびリンで構成される二進半導体です。それにGaAsのそれおよびIII-Vの半導体のほとんどと同一の表面集中させた立方（「亜鉛閃亜鉛鉱」）結晶構造があります。リン化インジウムは400 °C.の黄リンおよびインジウムのヨウ素化合物[必要とされる説明]の反作用から高温および圧力の浄化された要素の直接組合せ、またはtrialkylのインジウムの混合物およびリン化物の混合物の熱分解によって、[5]また準備することができます。INPは強力な、高周波電子工学[必要とされる参照]で共通の半導体ケイ素およびガリウム砒素に関して優秀な電子速度のために使用されます。
、INP基質半絶縁して、2"は、等級、準備ができたEpiの発動を促します
| 2" INPウエファーの指定 | ||||
| 項目 | 指定 | |||
| 伝導のタイプ | SIタイプ | |||
| 添加物 | 鉄 | |||
| ウエファーの直径 | 2" | |||
| ウエファーのオリエンテーション | 100±0.5° | |||
| ウエファーの厚さ | 350±25um | |||
| 第一次平らな長さ | 16±2mm | |||
| 二次平らな長さ | 8±1mm | |||
| キャリア集中 | ≤3x1016cm-3 | （0.8-6） x1018cm-3 | （0.6-6） x1018cm-3 | N/A |
| 移動性 | （3.5-4） x103cm2/V.s | （1.5-3.5） x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| 抵抗 | N/A | N/A | N/A | >0.5x107Ωcm |
| EPD | <1000cm>-2 | <500cm>-2 | <1x10>3cm-2 | <5x10>3cm-2 |
| TTV | <10um> | |||
| 弓 | <10um> | |||
| ゆがみ | <12um> | |||
| レーザーの印 | 要望に応じて | |||
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | |||
| 準備ができたEpi | はい | |||
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |||
ほとんどのテスト ウエファーは主な指定から落ちたウエファーです。テスト ウエファーがマラソン、上限R & Dのための試験装置を動かすのに使用され。それらは頻繁にウエファーの発動を促す費用効果が大きい代わりです。
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INPの電子漂流速度の依存、300 K.の守備について下さい。 固体カーブは理論的な計算です。 紛砕され、点を打たれたカーブは測定されたデータです。 （MaloneyおよびFrey [1977年]）および（Gonzalezサンチェスの 等[1992年]）。 |
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高い電界のための電子漂流速度の分野の依存。 T （K）:1. 95;2. 300;3. 400。 （Windhornの の等 [1983年]）。 |
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異なった温度で電子漂流速度の依存の守備について下さい。 1 -77 K （Gonzalezサンチェスの の等 [1992年]）曲げて下さい。 カーブ2 - 300 K、3つ曲げて下さい- 500 Kを（FawcettおよびHill [1975年]）。 |
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電子温度対77 Kおよび300 K.のための電界。 （MaloneyおよびFrey [1977年]） |
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電界の機能としてLおよびXの谷nL/noおよびnX/no、300 K.の電子の一部分。 （BorodovskiiおよびOsadchii [1987年]）。 |
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効率のηの最初は（実線）そしてLSAモードの第2 （破線の）倍音の頻度依存。 モンテ カルロのシミュレーション。 F = Fo + F1·罪（2π·ft） + F2·[罪（4π·ft） +3π/2]、 Fo=F1=35 kV cm-1、 F2=10.5 kV cm-1 （BorodovskiiおよびOsadchii [1987年]）。 |
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縦方向（D||F）および横断（300 K.のDの⊥ F）の電子拡散係数。 アンサンブルのモンテ カルロのシミュレーション。 （Aishimaおよび福島[1983年]）。 |
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縦方向（D||F）および横断（77KのDの⊥ F）の電子拡散係数。 アンサンブルのモンテ カルロのシミュレーション。 （Aishimaおよび福島[1983年]）。 |
INPは強力な、高周波電子工学[必要とされる参照]で共通の半導体ケイ素およびガリウム砒素に関して優秀な電子速度のために使用されます。
インジウムのガリウム砒素と記録破りのpseudomorphicヘテロ接合に604のGHzで作動できる両極トランジスターをすることを使用しました。
それにまたそれを半導体レーザーのような光電子工学装置のために有用にさせる直接bandgapがあります。会社Infineraは光学テレコミュニケーション工業のために波長分割の多重型になる適用を可能にするために光通信の集積回路を製造するために主要な科学技術材料としてリン化インジウムを、使用します。
INPはまたエピタキシアル インジウムのガリウム砒素基づいた光電子工学装置のために基質として使用されます。
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