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、INP基質半絶縁して、2"は、等級- Powerwayのウエファー--をテストします
PAM-XIAMENは光電子工学の適用のための高い純度の単結晶のリン化インジウムのウエファーを製造します。私達の標準的なウエファーの直径は25.4 mm （1インチ）から200のmm （6インチ）まで及びます;ウエファーは磨かれたかつや出しされていない側面とのさまざまな厚さそしてオリエンテーションで作り出し、添加物を含むことができます。PAM-XIAMENは広い範囲の等級を作り出すことができます:主な等級、テスト等級、模造の等級、技術的な等級および光学等級。PAM-XIAMENはまた注文の構成に加えて要求によってコマーシャルおよび研究の塗布および新しい専有技術のための顧客の指定に材料を、提供します。
、INP基質半絶縁して、2"は、等級をテストします
| 2" INPウエファーの指定 | ||||
| 項目 | 指定 | |||
| 伝導のタイプ | SIタイプ | |||
| 添加物 | 鉄 | |||
| ウエファーの直径 | 2" | |||
| ウエファーのオリエンテーション | 100±0.5° | |||
| ウエファーの厚さ | 350±25um | |||
| 第一次平らな長さ | 16±2mm | |||
| 二次平らな長さ | 8±1mm | |||
| キャリア集中 | ≤3x1016cm-3 | （0.8-6） x1018cm-3 | （0.6-6） x1018cm-3 | N/A |
| 移動性 | （3.5-4） x103cm2/V.s | （1.5-3.5） x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| 抵抗 | N/A | N/A | N/A | >0.5x107Ωcm |
| EPD | <1000cm>-2 | <500cm>-2 | <1x10>3cm-2 | <5x10>3cm-2 |
| TTV | <10um> | |||
| 弓 | <10um> | |||
| ゆがみ | <12um> | |||
| レーザーの印 | 要望に応じて | |||
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | |||
| 準備ができたEpi | はい | |||
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |||
ウエファーのクリーニング
ウエファーのクリーニングはウエファー工業の重要部分です。クリーニング プロセスは半導体からの微粒子および化学不純物の取り外しを含みます。それは基質がまったく傷つかないことクリーニング プロセスの間に命令的です。ウエファーのクリーニングは使用されるのは共通の要素であるのでケイ素ベースの材料にとって理想的です。ウエファーのクリーニングの利点のいくつかは下記のものを含んでいます:
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イオン化の依存は電子αiのために評価し、βiに対1/F、300 K.穴をあけます。 （コックの の等 [1982年]）。 |
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絶縁破壊電圧および故障は突然のp-nの接続点のための密度、300 Kの添加対守備につきます （KyuregyanおよびYurkov [1989年]）。 |
- 光電子工学の部品のため
- 高速電子工学のため。
- photovoltaicsのため
今でも頻繁に「Terahertzと」言われるマイクロウェーブ間の電磁スペクトルに非常に十分に利用されていなく、けれども技術的に刺激的な地帯および赤外線が、あります。この範囲の電磁波は高周波および光学特徴を同時に示す雑種の特性を所有しています。INP基底部門は重要な新規アプリケーションのためのこのスペクトル領域の鍵を開けます。
INP基質を捜していますか。
PAM-XIAMENはすべての異なった種類のプロジェクトのためのリン化インジウムの基質を提供して自慢しています。INPウエファーを捜したら、学ぶために私達に照会をあなたがあなたの次のプロジェクトのために必要とするINPウエファーを得るために私達がいかにについてのあなたと働いてもいいか詳細を今日送って下さい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしています!