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Pは、INP基質、3"、主な等級タイプします
PAM-XIAMENは直径のマイクロエレクトロニックの（HBT/HEMT）および光電子工学の企業（LED/DWDM/PIN/VCSELs）に単結晶INP （リン化インジウム）ウエファーを6インチまで提供します。リン化インジウムの(InP)の水晶は2つの要素、インジウムおよびリン化物の液体によってCzochralski内部に閉じ込められる(LEC)方法またはVGF方法による成長によって形作られます。INPウエファーは重要な半導体材料優秀な電気および熱特性がある、INPウエファー持っていますより高い電子移動度、より高い頻度、低い電力の消費、より高い熱伝導性および低雑音の性能をです。PAM-XIAMENはあなたのMOCVD及びMBEのエピタキシアル適用にepiの準備ができた等級INPウエファーを提供できます。より多くのウエファー情報のための私達のエンジニアのチームに連絡して下さい。
Pは、INP基質、3"、主な等級タイプします
| 3" INPウエファーの指定 | ||||
| 項目 | 指定 | |||
| 伝導のタイプ | Pタイプ | |||
| 添加物 | 亜鉛 | |||
| ウエファーの直径 | 3" | |||
| ウエファーのオリエンテーション | 100±0.5° | |||
| ウエファーの厚さ | 600±25um | |||
| 第一次平らな長さ | 16±2mm | |||
| 二次平らな長さ | 8±1mm | |||
| キャリア集中 | ≤3x1016cm-3 | （0.8-6） x1018cm-3 | （0.6-6） x1018cm-3 | N/A |
| 移動性 | （3.5-4） x103cm2/V.s | （1.5-3.5） x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| 抵抗 | N/A | N/A | N/A | >0.5x107Ω.cm |
| EPD | <1000cm-2 | <500cm-2 | <1x103cm-2 | <5x103cm-2 |
| TTV | <12um | |||
| 弓 | <12um | |||
| ゆがみ | <15um | |||
| レーザーの印 | 要望に応じて | |||
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | |||
| 準備ができたEpi | はい | |||
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |||
私達が導入で触れたので、リン化インジウムはインジウムおよびリンから成っている半導体です。それは高い発電および高周波電子工学で使用され、高い電子速度があります。実際、INPの電子速度はケイ素およびガリウム砒素のような他の共通の半導体よりかなり高いです。それはまた半導体レーザーのような光電子工学装置にあります。
| 故障分野 | ≈5·105ボルトcm-1 |
| 移動性の電子 | ≤5400 cm2V-1s-1 |
| 移動性の穴 | ≤200 cm2 V-1s-1の |
| 拡散係数の電子 | ≤130 cm2 s-1の |
| 拡散係数の穴 | ≤5 cm2 s-1の |
| 電子上昇温暖気流の速度 | 3.9·105のm s-1 |
| 穴の上昇温暖気流の速度 | 1.7·105のm s-1 |
INPは強力な、高周波電子工学[必要とされる参照]で共通の半導体ケイ素およびガリウム砒素に関して優秀な電子速度のために使用されます。
インジウムのガリウム砒素と記録破りのpseudomorphicヘテロ接合に604のGHzで作動できる両極トランジスターをすることを使用しました。
それにまたそれを半導体レーザーのような光電子工学装置のために有用にさせる直接bandgapがあります。会社Infineraは光学テレコミュニケーション工業のために波長分割の多重型になる適用を可能にするために光通信の集積回路を製造するために主要な科学技術材料としてリン化インジウムを、使用します。
INPはまたエピタキシアル インジウムのガリウム砒素基づいた光電子工学装置のために基質として使用されます。
PAM-XIAMENは私達がずっとほぼ30年間それをしているように、すべてのためのあなたの主力の場所ウエファー、INPウエファーを含んでです!詳細を私達が提供する、そしていかにについての学ぶために私達を私達があなたの次のプロジェクトとの助けてもいいウエファー今日尋ねて下さい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしています!