シアムンPOWERWAYは先端材料CO.、株式会社を。

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
正会員
6 年
ホーム / 製品 / GaAsのウエファー /

GaAsのウエファーはLED、LDおよびマイクロエレクトロニクスのための2~6インチのインゴット/ウエファーを含んでいる

企業との接触
シアムンPOWERWAYは先端材料CO.、株式会社を。
シティ:xiamen
省/州:fujian
国/地域:china
企業との接触

GaAsのウエファーはLED、LDおよびマイクロエレクトロニクスのための2~6インチのインゴット/ウエファーを含んでいる

最新の価格を尋ねる
Brand Name :PAM-XIAMEN
Place of Origin :China
MOQ :1-10,000pcs
Payment Terms :T/T
Delivery Time :5-50 working days
Price :By Case
name :GaAs wafer
application :LD and Microelectronics
size :2-6 inch
type :Gallium Arsenide Wafer
Dopant :Silicon
Thickness :220~450um
more
企業との接触

Add to Cart

類似の動画を探す
製品の説明を表示

GaAsのウエファーはLED、LDおよびマイクロエレクトロニクスのための2~6インチのインゴット/ウエファーを含んでいます

製品の説明

GaAs)ガリウム砒素のウエファー

PWAMは化合物半導体基質ガリウム ヒ化物の水晶およびウエファーを開発し、製造します。私達は高度の結晶成長の技術、縦の勾配の氷結(VGF)およびGaAsのウエファーの加工技術使用し、結晶成長、磨く処理にひく切断からの生産ラインを確立し、そしてウエファーのクリーニングおよび包装のための100クラスのクリーン ルームを造りました。私達のGaAsのウエファーはLED、LDおよびマイクロエレクトロニクスの適用のための2~6インチのインゴット/ウエファーを含んでいます。私達は小国家の質を現在改善し、大型の基質を開発するために常に捧げられます。

(LEDの塗布のためのGaAs)ガリウム砒素のウエファー

 

項目 指定 注目
伝導のタイプ SC/nタイプ 利用できるZnのドープ塗料とSC/pタイプ
成長方法 VGF  
添加物 ケイ素 利用できるZn
ウエファーDiamter 2、3の及び4インチ インゴットかようにカットの利用できる
水晶オリエンテーション (100) 2°/6°/15°を離れた(110) 利用できる他のmisorientation
EJか米国  
キャリア集中 (0.4~2.5) E18/cm3  
RTの抵抗 (1.5~9) E-3 Ohm.cm  
移動性 1500~3000cm2/V.sec  
腐食ピット密度 <5000/cm2  
レーザーの印 要望に応じて  
表面の終わり P/EまたはP/P  
厚さ 220~450um  
準備ができたエピタクシー はい  
パッケージ 単一のウエファー容器かカセット

(LDの適用のためのGaAs)ガリウム砒素のウエファー

項目 指定 注目
伝導のタイプ SC/nタイプ  
成長方法 VGF  
添加物 ケイ素  
ウエファーDiamter 2、3の及び4インチ インゴットかようにカットの利用できる
水晶オリエンテーション (100) 2°/6°/15°off (110) 利用できる他のmisorientation
EJか米国  
キャリア集中 (0.4~2.5) E18/cm3  
RTの抵抗 (1.5~9) E-3 Ohm.cm  
移動性 1500~3000のcm2/V.sec  
腐食ピット密度 <500/cm2  
レーザーの印 要望に応じて  
表面の終わり P/EまたはP/P  
厚さ 220~350um  
準備ができたエピタクシー はい  
パッケージ 単一のウエファー容器かカセット

(マイクロエレクトロニクスの適用のために半絶縁するGaAs)ガリウム砒素のウエファー

項目 指定 注目
伝導のタイプ 絶縁  
成長方法 VGF  
添加物 Undoped  
ウエファーDiamter 2、3の及び4インチ 利用できるインゴット
水晶オリエンテーション (100) +/- 0.5°  
EJ、米国またはノッチ  
キャリア集中 n/a  
RTの抵抗 >1E7 Ohm.cm  
移動性 >5000のcm2/V.sec  
腐食ピット密度 <8000 /cm2  
レーザーの印 要望に応じて  
表面の終わり P/P  
厚さ 350~675um  
準備ができたエピタクシー はい  
パッケージ 単一のウエファー容器かカセット

マイクロエレクトロニクスの適用のために半絶縁する6つの″ (150mm) (GaAs)のガリウム砒素のウエファー

項目 指定 注目
伝導のタイプ 半絶縁  
方法を育てて下さい VGF  
添加物 Undoped  
タイプ N  
Diamater (mm) 150±0.25  
オリエンテーション (100) 0°±3.0°  
ノッチのオリエンテーション (010) ±2°  
ノッチDeepth (mm) (1-1.25の) mm 89°-95°  
キャリア集中 N/A  
抵抗(ohm.cm) >1.0×107か0.8-9 x10-3  
移動性(cm2/v.s) N/A  
転位 N/A  
厚さ(µm) 675±25  
弓およびゆがみ(mm)のための端の排除 N/A  
弓(µm) N/A  
ゆがみ(µm) ≤20.0  
TTV (µm) ≤10.0  
TIR (µm) ≤10.0  
LFPD (µm) N/A  
ポーランド語 Epi準備ができたP/P  

2つの″ (50.8mm)のLt GaAs (低い温度育てられたGaliumのヒ化物)ウエファーの指定

項目 指定 注目
Diamater (mm) Ф 50.8mmの± 1mm  
厚さ 1-2umか2-3um  
Marcoの欠陥密度 ≤ 5つのcm-2  
抵抗(300K) >108オームcm  
キャリア <0.5ps  
転位密度 <1x106cm-2  
使用可能な表面積 ≥80%  
ポーランド語 磨かれる単一の側面  
基質 GaAsの基質  
*私達はまた多水晶GaAs棒、99.9999%を提供してもいいです(6N)。

(GaAs)ガリウム砒素のウエファー

PWAMは化合物半導体基質ガリウム ヒ化物の水晶およびウエファーを開発し、製造します。私達は高度の結晶成長の技術、縦の勾配の氷結(VGF)およびGaAsのウエファーの加工技術使用し、結晶成長、磨く処理にひく切断からの生産ラインを確立し、そしてウエファーのクリーニングおよび包装のための100クラスのクリーン ルームを造りました。私達のGaAsのウエファーはLED、LDおよびマイクロエレクトロニクスの適用のための2~6インチのインゴット/ウエファーを含んでいます。私達は小国家の質を現在改善し、大型の基質を開発するために常に捧げられます。

(LEDの塗布のためのGaAs)ガリウム砒素のウエファー

 

項目 指定 注目
伝導のタイプ SC/nタイプ 利用できるZnのドープ塗料とSC/pタイプ
成長方法 VGF  
添加物 ケイ素 利用できるZn
ウエファーDiamter 2、3の及び4インチ インゴットかようにカットの利用できる
水晶オリエンテーション (100) 2°/6°/15°を離れた(110) 利用できる他のmisorientation
EJか米国  
キャリア集中 (0.4~2.5) E18/cm3  
RTの抵抗 (1.5~9) E-3 Ohm.cm  
移動性 1500~3000cm2/V.sec  
腐食ピット密度 <5000/cm2  
レーザーの印 要望に応じて  
表面の終わり P/EまたはP/P  
厚さ 220~450um  
準備ができたエピタクシー はい  
パッケージ 単一のウエファー容器かカセット

(LDの適用のためのGaAs)ガリウム砒素のウエファー

項目 指定 注目
伝導のタイプ SC/nタイプ  
成長方法 VGF  
添加物 ケイ素  
ウエファーDiamter 2、3の及び4インチ インゴットかようにカットの利用できる
水晶オリエンテーション (100) 2°/6°/15°を離れた(110) 利用できる他のmisorientation
EJか米国  
キャリア集中 (0.4~2.5) E18/cm3  
RTの抵抗 (1.5~9) E-3 Ohm.cm  
移動性 1500~3000のcm2/V.sec  
腐食ピット密度 <500/cm2  
レーザーの印 要望に応じて  
表面の終わり P/EまたはP/P  
厚さ 220~350um  
準備ができたエピタクシー はい  
パッケージ 単一のウエファー容器かカセット

(マイクロエレクトロニクスの適用のために半絶縁するGaAs)ガリウム砒素のウエファー

項目 指定 注目
伝導のタイプ 絶縁  
成長方法 VGF  
添加物 Undoped  
ウエファーDiamter 2、3の及び4インチ 利用できるインゴット
水晶オリエンテーション (100) +/- 0.5°  
EJ、米国またはノッチ  
キャリア集中 n/a  
RTの抵抗 >1E7 Ohm.cm  
移動性 >5000のcm2/V.sec  
腐食ピット密度 <8000 /cm2  
レーザーの印 要望に応じて  
表面の終わり P/P  
厚さ 350~675um  
準備ができたエピタクシー はい  
パッケージ 単一のウエファー容器かカセット

マイクロエレクトロニクスの適用のために半絶縁する6つの″ (150mm) (GaAs)のガリウム砒素のウエファー

項目 指定 注目
伝導のタイプ 半絶縁  
方法を育てて下さい VGF  
添加物 Undoped  
タイプ N  
Diamater (mm) 150±0.25  
オリエンテーション (100) 0°±3.0°  
ノッチのオリエンテーション (010) ±2°  
ノッチDeepth (mm) (1-1.25の) mm 89°-95°  
キャリア集中 N/A  
抵抗(ohm.cm) >1.0×107か0.8-9 x10-3  
移動性(cm2/v.s) N/A  
転位 N/A  
厚さ(µm) 675±25  
弓およびゆがみ(mm)のための端の排除 N/A  
弓(µm) N/A  
ゆがみ(µm) ≤20.0  
TTV (µm) ≤10.0  
TIR (µm) ≤10.0  
LFPD (µm) N/A  
ポーランド語 Epi準備ができたP/P  

2つの″ (50.8mm)のLt GaAs (低い温度育てられたGaliumのヒ化物)ウエファーの指定

項目 指定 注目
Diamater (mm) Ф 50.8mmの± 1mm  
厚さ 1-2umか2-3um  
Marcoの欠陥密度 ≤ 5つのcm-2  
抵抗(300K) >108オームcm  
キャリア <0.5ps  
転位密度 <1x106cm-2  
使用可能な表面積 ≥80%  
ポーランド語 磨かれる単一の側面  
基質 GaAsの基質  
*私達はまた多水晶GaAs棒、99.9999%を提供してもいいです(6N)。
商品のタグ:
お問い合わせカート 0