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(GaAs)ガリウム砒素のウエファー
PWAMは化合物半導体基質ガリウム ヒ化物の水晶およびウエファーを開発し、製造します。私達は高度の結晶成長の技術、縦の勾配の氷結(VGF)およびGaAsのウエファーの加工技術使用し、結晶成長、磨く処理にひく切断からの生産ラインを確立し、そしてウエファーのクリーニングおよび包装のための100クラスのクリーン ルームを造りました。私達のGaAsのウエファーはLED、LDおよびマイクロエレクトロニクスの適用のための2~6インチのインゴット/ウエファーを含んでいます。私達は小国家の質を現在改善し、大型の基質を開発するために常に捧げられます。
(LEDの塗布のためのGaAs)ガリウム砒素のウエファー
項目 | 指定 | 注目 |
伝導のタイプ | SC/nタイプ | 利用できるZnのドープ塗料とSC/pタイプ |
成長方法 | VGF | |
添加物 | ケイ素 | 利用できるZn |
ウエファーDiamter | 2、3の及び4インチ | インゴットかようにカットの利用できる |
水晶オリエンテーション | (100) 2°/6°/15°を離れた(110) | 利用できる他のmisorientation |
の | EJか米国 | |
キャリア集中 | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
RTの抵抗 | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
移動性 | 1500~3000cm2/V.sec | |
腐食ピット密度 | <5000/cm2 | |
レーザーの印 | 要望に応じて | |
表面の終わり | P/EまたはP/P | |
厚さ | 220~450um | |
準備ができたエピタクシー | はい | |
パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
(LDの適用のためのGaAs)ガリウム砒素のウエファー
項目 | 指定 | 注目 |
伝導のタイプ | SC/nタイプ | |
成長方法 | VGF | |
添加物 | ケイ素 | |
ウエファーDiamter | 2、3の及び4インチ | インゴットかようにカットの利用できる |
水晶オリエンテーション | (100) 2°/6°/15°off (110) | 利用できる他のmisorientation |
の | EJか米国 | |
キャリア集中 | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
RTの抵抗 | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
移動性 | 1500~3000のcm2/V.sec | |
腐食ピット密度 | <500/cm2 | |
レーザーの印 | 要望に応じて | |
表面の終わり | P/EまたはP/P | |
厚さ | 220~350um | |
準備ができたエピタクシー | はい | |
パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
(マイクロエレクトロニクスの適用のために半絶縁するGaAs)ガリウム砒素のウエファー
項目 | 指定 | 注目 |
伝導のタイプ | 絶縁 | |
成長方法 | VGF | |
添加物 | Undoped | |
ウエファーDiamter | 2、3の及び4インチ | 利用できるインゴット |
水晶オリエンテーション | (100) +/- 0.5° | |
の | EJ、米国またはノッチ | |
キャリア集中 | n/a | |
RTの抵抗 | >1E7 Ohm.cm | |
移動性 | >5000のcm2/V.sec | |
腐食ピット密度 | <8000 /cm2 | |
レーザーの印 | 要望に応じて | |
表面の終わり | P/P | |
厚さ | 350~675um | |
準備ができたエピタクシー | はい | |
パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
マイクロエレクトロニクスの適用のために半絶縁する6つの″ (150mm) (GaAs)のガリウム砒素のウエファー
項目 | 指定 | 注目 |
伝導のタイプ | 半絶縁 | |
方法を育てて下さい | VGF | |
添加物 | Undoped | |
タイプ | N | |
Diamater (mm) | 150±0.25 | |
オリエンテーション | (100) 0°±3.0° | |
ノッチのオリエンテーション | (010) ±2° | |
ノッチDeepth (mm) | (1-1.25の) mm 89°-95° | |
キャリア集中 | N/A | |
抵抗(ohm.cm) | >1.0×107か0.8-9 x10-3 | |
移動性(cm2/v.s) | N/A | |
転位 | N/A | |
厚さ(µm) | 675±25 | |
弓およびゆがみ(mm)のための端の排除 | N/A | |
弓(µm) | N/A | |
ゆがみ(µm) | ≤20.0 | |
TTV (µm) | ≤10.0 | |
TIR (µm) | ≤10.0 | |
LFPD (µm) | N/A | |
ポーランド語 | Epi準備ができたP/P |
2つの″ (50.8mm)のLt GaAs (低い温度育てられたGaliumのヒ化物)ウエファーの指定
項目 | 指定 | 注目 |
Diamater (mm) | Ф 50.8mmの± 1mm | |
厚さ | 1-2umか2-3um | |
Marcoの欠陥密度 | ≤ 5つのcm-2 | |
抵抗(300K) | >108オームcm | |
キャリア | <0.5ps | |
転位密度 | <1x106cm-2 | |
使用可能な表面積 | ≥80% | |
ポーランド語 | 磨かれる単一の側面 | |
基質 | GaAsの基質 |
(GaAs)ガリウム砒素のウエファー
PWAMは化合物半導体基質ガリウム ヒ化物の水晶およびウエファーを開発し、製造します。私達は高度の結晶成長の技術、縦の勾配の氷結(VGF)およびGaAsのウエファーの加工技術使用し、結晶成長、磨く処理にひく切断からの生産ラインを確立し、そしてウエファーのクリーニングおよび包装のための100クラスのクリーン ルームを造りました。私達のGaAsのウエファーはLED、LDおよびマイクロエレクトロニクスの適用のための2~6インチのインゴット/ウエファーを含んでいます。私達は小国家の質を現在改善し、大型の基質を開発するために常に捧げられます。
(LEDの塗布のためのGaAs)ガリウム砒素のウエファー
項目 | 指定 | 注目 |
伝導のタイプ | SC/nタイプ | 利用できるZnのドープ塗料とSC/pタイプ |
成長方法 | VGF | |
添加物 | ケイ素 | 利用できるZn |
ウエファーDiamter | 2、3の及び4インチ | インゴットかようにカットの利用できる |
水晶オリエンテーション | (100) 2°/6°/15°を離れた(110) | 利用できる他のmisorientation |
の | EJか米国 | |
キャリア集中 | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
RTの抵抗 | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
移動性 | 1500~3000cm2/V.sec | |
腐食ピット密度 | <5000/cm2 | |
レーザーの印 | 要望に応じて | |
表面の終わり | P/EまたはP/P | |
厚さ | 220~450um | |
準備ができたエピタクシー | はい | |
パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
(LDの適用のためのGaAs)ガリウム砒素のウエファー
項目 | 指定 | 注目 |
伝導のタイプ | SC/nタイプ | |
成長方法 | VGF | |
添加物 | ケイ素 | |
ウエファーDiamter | 2、3の及び4インチ | インゴットかようにカットの利用できる |
水晶オリエンテーション | (100) 2°/6°/15°を離れた(110) | 利用できる他のmisorientation |
の | EJか米国 | |
キャリア集中 | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
RTの抵抗 | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
移動性 | 1500~3000のcm2/V.sec | |
腐食ピット密度 | <500/cm2 | |
レーザーの印 | 要望に応じて | |
表面の終わり | P/EまたはP/P | |
厚さ | 220~350um | |
準備ができたエピタクシー | はい | |
パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
(マイクロエレクトロニクスの適用のために半絶縁するGaAs)ガリウム砒素のウエファー
項目 | 指定 | 注目 |
伝導のタイプ | 絶縁 | |
成長方法 | VGF | |
添加物 | Undoped | |
ウエファーDiamter | 2、3の及び4インチ | 利用できるインゴット |
水晶オリエンテーション | (100) +/- 0.5° | |
の | EJ、米国またはノッチ | |
キャリア集中 | n/a | |
RTの抵抗 | >1E7 Ohm.cm | |
移動性 | >5000のcm2/V.sec | |
腐食ピット密度 | <8000 /cm2 | |
レーザーの印 | 要望に応じて | |
表面の終わり | P/P | |
厚さ | 350~675um | |
準備ができたエピタクシー | はい | |
パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
マイクロエレクトロニクスの適用のために半絶縁する6つの″ (150mm) (GaAs)のガリウム砒素のウエファー
項目 | 指定 | 注目 |
伝導のタイプ | 半絶縁 | |
方法を育てて下さい | VGF | |
添加物 | Undoped | |
タイプ | N | |
Diamater (mm) | 150±0.25 | |
オリエンテーション | (100) 0°±3.0° | |
ノッチのオリエンテーション | (010) ±2° | |
ノッチDeepth (mm) | (1-1.25の) mm 89°-95° | |
キャリア集中 | N/A | |
抵抗(ohm.cm) | >1.0×107か0.8-9 x10-3 | |
移動性(cm2/v.s) | N/A | |
転位 | N/A | |
厚さ(µm) | 675±25 | |
弓およびゆがみ(mm)のための端の排除 | N/A | |
弓(µm) | N/A | |
ゆがみ(µm) | ≤20.0 | |
TTV (µm) | ≤10.0 | |
TIR (µm) | ≤10.0 | |
LFPD (µm) | N/A | |
ポーランド語 | Epi準備ができたP/P |
2つの″ (50.8mm)のLt GaAs (低い温度育てられたGaliumのヒ化物)ウエファーの指定
項目 | 指定 | 注目 |
Diamater (mm) | Ф 50.8mmの± 1mm | |
厚さ | 1-2umか2-3um | |
Marcoの欠陥密度 | ≤ 5つのcm-2 | |
抵抗(300K) | >108オームcm | |
キャリア | <0.5ps | |
転位密度 | <1x106cm-2 | |
使用可能な表面積 | ≥80% | |
ポーランド語 | 磨かれる単一の側面 | |
基質 | GaAsの基質 |