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（GaAs）ガリウム砒素のウエファー
PWAMは化合物半導体基質ガリウム ヒ化物の水晶およびウエファーを開発し、製造します。私達は高度の結晶成長の技術、縦の勾配の氷結（VGF）およびGaAsのウエファーの加工技術使用し、結晶成長、磨く処理にひく切断からの生産ラインを確立し、そしてウエファーのクリーニングおよび包装のための100クラスのクリーン ルームを造りました。私達のGaAsのウエファーはLED、LDおよびマイクロエレクトロニクスの適用のための2~6インチのインゴット/ウエファーを含んでいます。私達は小国家の質を現在改善し、大型の基質を開発するために常に捧げられます。
（LEDの塗布のためのGaAs）ガリウム砒素のウエファー
| 項目 | 指定 | 注目 |
| 伝導のタイプ | SC/nタイプ | 利用できるZnのドープ塗料とSC/pタイプ |
| 成長方法 | VGF | |
| 添加物 | ケイ素 | 利用できるZn |
| ウエファーDiamter | 2、3の及び4インチ | インゴットかようにカットの利用できる |
| 水晶オリエンテーション | （100） 2°/6°/15°を離れた（110） | 利用できる他のmisorientation |
| の | EJか米国 | |
| キャリア集中 | （0.4~2.5） E18/cm3 | |
| RTの抵抗 | （1.5~9） E-3 Ohm.cm | |
| 移動性 | 1500~3000cm2/V.sec | |
| 腐食ピット密度 | <5000/cm2 | |
| レーザーの印 | 要望に応じて | |
| 表面の終わり | P/EまたはP/P | |
| 厚さ | 220~450um | |
| 準備ができたエピタクシー | はい | |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |
（LDの適用のためのGaAs）ガリウム砒素のウエファー
| 項目 | 指定 | 注目 |
| 伝導のタイプ | SC/nタイプ | |
| 成長方法 | VGF | |
| 添加物 | ケイ素 | |
| ウエファーDiamter | 2、3の及び4インチ | インゴットかようにカットの利用できる |
| 水晶オリエンテーション | （100） 2°/6°/15°off （110） | 利用できる他のmisorientation |
| の | EJか米国 | |
| キャリア集中 | （0.4~2.5） E18/cm3 | |
| RTの抵抗 | （1.5~9） E-3 Ohm.cm | |
| 移動性 | 1500~3000のcm2/V.sec | |
| 腐食ピット密度 | <500/cm2 | |
| レーザーの印 | 要望に応じて | |
| 表面の終わり | P/EまたはP/P | |
| 厚さ | 220~350um | |
| 準備ができたエピタクシー | はい | |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |
（マイクロエレクトロニクスの適用のために半絶縁するGaAs）ガリウム砒素のウエファー
| 項目 | 指定 | 注目 |
| 伝導のタイプ | 絶縁 | |
| 成長方法 | VGF | |
| 添加物 | Undoped | |
| ウエファーDiamter | 2、3の及び4インチ | 利用できるインゴット |
| 水晶オリエンテーション | （100） +/- 0.5° | |
| の | EJ、米国またはノッチ | |
| キャリア集中 | n/a | |
| RTの抵抗 | >1E7 Ohm.cm | |
| 移動性 | >5000のcm2/V.sec | |
| 腐食ピット密度 | <8000 /cm2 | |
| レーザーの印 | 要望に応じて | |
| 表面の終わり | P/P | |
| 厚さ | 350~675um | |
| 準備ができたエピタクシー | はい | |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |
マイクロエレクトロニクスの適用のために半絶縁する6つの″ （150mm） （GaAs）のガリウム砒素のウエファー
| 項目 | 指定 | 注目 |
| 伝導のタイプ | 半絶縁 | |
| 方法を育てて下さい | VGF | |
| 添加物 | Undoped | |
| タイプ | N | |
| Diamater （mm） | 150±0.25 | |
| オリエンテーション | （100） 0°±3.0° | |
| ノッチのオリエンテーション | （010） ±2° | |
| ノッチDeepth （mm） | （1-1.25の） mm 89°-95° | |
| キャリア集中 | N/A | |
| 抵抗（ohm.cm） | >1.0×107か0.8-9 x10-3 | |
| 移動性（cm2/v.s） | N/A | |
| 転位 | N/A | |
| 厚さ（µm） | 675±25 | |
| 弓およびゆがみ（mm）のための端の排除 | N/A | |
| 弓（µm） | N/A | |
| ゆがみ（µm） | ≤20.0 | |
| TTV （µm） | ≤10.0 | |
| TIR （µm） | ≤10.0 | |
| LFPD （µm） | N/A | |
| ポーランド語 | Epi準備ができたP/P |
2つの″ （50.8mm）のLt GaAs （低い温度育てられたGaliumのヒ化物）ウエファーの指定
| 項目 | 指定 | 注目 |
| Diamater （mm） | Ф 50.8mmの± 1mm | |
| 厚さ | 1-2umか2-3um | |
| Marcoの欠陥密度 | ≤ 5つのcm-2 | |
| 抵抗（300K） | >108オームcm | |
| キャリア | <0.5ps | |
| 転位密度 | <1x106cm-2 | |
| 使用可能な表面積 | ≥80% | |
| ポーランド語 | 磨かれる単一の側面 | |
| 基質 | GaAsの基質 |
（GaAs）ガリウム砒素のウエファー
PWAMは化合物半導体基質ガリウム ヒ化物の水晶およびウエファーを開発し、製造します。私達は高度の結晶成長の技術、縦の勾配の氷結（VGF）およびGaAsのウエファーの加工技術使用し、結晶成長、磨く処理にひく切断からの生産ラインを確立し、そしてウエファーのクリーニングおよび包装のための100クラスのクリーン ルームを造りました。私達のGaAsのウエファーはLED、LDおよびマイクロエレクトロニクスの適用のための2~6インチのインゴット/ウエファーを含んでいます。私達は小国家の質を現在改善し、大型の基質を開発するために常に捧げられます。
（LEDの塗布のためのGaAs）ガリウム砒素のウエファー
| 項目 | 指定 | 注目 |
| 伝導のタイプ | SC/nタイプ | 利用できるZnのドープ塗料とSC/pタイプ |
| 成長方法 | VGF | |
| 添加物 | ケイ素 | 利用できるZn |
| ウエファーDiamter | 2、3の及び4インチ | インゴットかようにカットの利用できる |
| 水晶オリエンテーション | （100） 2°/6°/15°を離れた（110） | 利用できる他のmisorientation |
| の | EJか米国 | |
| キャリア集中 | （0.4~2.5） E18/cm3 | |
| RTの抵抗 | （1.5~9） E-3 Ohm.cm | |
| 移動性 | 1500~3000cm2/V.sec | |
| 腐食ピット密度 | <5000/cm2 | |
| レーザーの印 | 要望に応じて | |
| 表面の終わり | P/EまたはP/P | |
| 厚さ | 220~450um | |
| 準備ができたエピタクシー | はい | |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |
（LDの適用のためのGaAs）ガリウム砒素のウエファー
| 項目 | 指定 | 注目 |
| 伝導のタイプ | SC/nタイプ | |
| 成長方法 | VGF | |
| 添加物 | ケイ素 | |
| ウエファーDiamter | 2、3の及び4インチ | インゴットかようにカットの利用できる |
| 水晶オリエンテーション | （100） 2°/6°/15°を離れた（110） | 利用できる他のmisorientation |
| の | EJか米国 | |
| キャリア集中 | （0.4~2.5） E18/cm3 | |
| RTの抵抗 | （1.5~9） E-3 Ohm.cm | |
| 移動性 | 1500~3000のcm2/V.sec | |
| 腐食ピット密度 | <500/cm2 | |
| レーザーの印 | 要望に応じて | |
| 表面の終わり | P/EまたはP/P | |
| 厚さ | 220~350um | |
| 準備ができたエピタクシー | はい | |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |
（マイクロエレクトロニクスの適用のために半絶縁するGaAs）ガリウム砒素のウエファー
| 項目 | 指定 | 注目 |
| 伝導のタイプ | 絶縁 | |
| 成長方法 | VGF | |
| 添加物 | Undoped | |
| ウエファーDiamter | 2、3の及び4インチ | 利用できるインゴット |
| 水晶オリエンテーション | （100） +/- 0.5° | |
| の | EJ、米国またはノッチ | |
| キャリア集中 | n/a | |
| RTの抵抗 | >1E7 Ohm.cm | |
| 移動性 | >5000のcm2/V.sec | |
| 腐食ピット密度 | <8000 /cm2 | |
| レーザーの印 | 要望に応じて | |
| 表面の終わり | P/P | |
| 厚さ | 350~675um | |
| 準備ができたエピタクシー | はい | |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |
マイクロエレクトロニクスの適用のために半絶縁する6つの″ （150mm） （GaAs）のガリウム砒素のウエファー
| 項目 | 指定 | 注目 |
| 伝導のタイプ | 半絶縁 | |
| 方法を育てて下さい | VGF | |
| 添加物 | Undoped | |
| タイプ | N | |
| Diamater （mm） | 150±0.25 | |
| オリエンテーション | （100） 0°±3.0° | |
| ノッチのオリエンテーション | （010） ±2° | |
| ノッチDeepth （mm） | （1-1.25の） mm 89°-95° | |
| キャリア集中 | N/A | |
| 抵抗（ohm.cm） | >1.0×107か0.8-9 x10-3 | |
| 移動性（cm2/v.s） | N/A | |
| 転位 | N/A | |
| 厚さ（µm） | 675±25 | |
| 弓およびゆがみ（mm）のための端の排除 | N/A | |
| 弓（µm） | N/A | |
| ゆがみ（µm） | ≤20.0 | |
| TTV （µm） | ≤10.0 | |
| TIR （µm） | ≤10.0 | |
| LFPD （µm） | N/A | |
| ポーランド語 | Epi準備ができたP/P |
2つの″ （50.8mm）のLt GaAs （低い温度育てられたGaliumのヒ化物）ウエファーの指定
| 項目 | 指定 | 注目 |
| Diamater （mm） | Ф 50.8mmの± 1mm | |
| 厚さ | 1-2umか2-3um | |
| Marcoの欠陥密度 | ≤ 5つのcm-2 | |
| 抵抗（300K） | >108オームcm | |
| キャリア | <0.5ps | |
| 転位密度 | <1x106cm-2 | |
| 使用可能な表面積 | ≥80% | |
| ポーランド語 | 磨かれる単一の側面 | |
| 基質 | GaAsの基質 |