最新の価格を尋ねる
正会員
6 年
Add to Cart
4H NのタイプSiC、研究の等級、6"サイズ
PAM-XIAMENは半導体の炭化ケイ素のウエファー、6H SiCおよび研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の4H SiCを提供します。私達はGaNepitaxydevice、powerdevices、高温装置および光電子工学装置で加えられる製造業者にSiCsubstrate生産ライン確立されるSiCの結晶成長の技術およびSiCの水晶ウエファーの加工技術を開発しました。高度およびハイテクで物質的な研究および州の協会および中国の半導体の実験室の分野からの一流の製造業者によって投資される基質の質を現在改善し、大型の基質を開発するために専門の会社が私達絶えず捧げられるように。
ここに詳細仕様を示します:
炭化ケイ素の物質的な特性
| Polytype | 単結晶4H | 単結晶6H |
| 格子変数 | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| バンド ギャップ | 3.26 eV | 3.03 eV |
| 密度 | 3.21·103 kg/m3 | 3.21·103 kg/m3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引 | = 2.719無し | = 2.707無し |
| ne = 2.777 | ne = 2.755 | |
| 比誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導性 | 490 W/mK | 490 W/mK |
| 故障の電場 | 2-4·108 V/m | 2-4·108 V/m |
| 飽和漂流速度 | 2.0·105 m/s | 2.0·105 m/s |
| 電子移動度 | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| 正孔移動度 | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Mohsの硬度 | ~9 | ~9 |
4H NのタイプSiC、研究の等級、6"サイズ
| 基質の特性 | S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 | |
| 記述 | 研究の等級4H SiCの基質 | |
| Polytype | 4H | |
| 直径 | （50.8 ± 0.38） mm | |
| 厚さ | （250 ± 25） μm （330 ± 25）のμm （430 ± 25）のμm | |
| キャリアのタイプ | nタイプ | |
| 添加物 | 窒素 | |
| 抵抗(RT) | 0.012 – 0.0028 Ω·cm | |
| 表面の粗さ | < 0.5 nm （Epi準備ができたSi表面CMP）;<1 nm （C-の表面光学光沢） | |
| FWHM | <50 arcsec | |
| Micropipe密度 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 | |
| 表面のオリエンテーション | ||
| 軸線 | <0001>± 0.5° | |
| 軸線を離れて | <11-20>± 0.5°の方の4°or 8° | |
| 第一次平らなオリエンテーション | 平行{1-100} ± 5° | |
| 第一次平らな長さ | 16.00 ±1.70）mm | |
| 二次平らなオリエンテーション | Si表面:90° cw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| C表面:90° ccw。オリエンテーションの平らな± 5°から | ||
| 二次平らな長さ | 8.00 ± 1.70 mm | |
| 表面の終わり | 磨かれるシングルまたはダブルの表面 | |
| 包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 | |
| 使用可能な区域 | ≥ 90% | |
| 端の排除 | 1つのmm | |
sicの結晶の欠陥
SiCで観察された欠陥のほとんどはまた他の結晶材料で観察されました。転位、積み重ね欠陥(SFs)、低い角度の境界(LABs)および双生児のように。ある他はIDBsのような弾丸音のブレンドかウルツ鉱構造を、持っている材料で現われます。他の段階からのMicropipesそして包含はSiCで主に現われます。
屈折の索引:
光学でr.i. （か物質（光学媒体）の）屈折率nいかにライト、か他のどの放射、その媒体によるプロパゲートも記述する数です。
材料のR.i.は波長と変わります。これは分散と呼ばれます;それによりプリズムおよび虹で白色光の分裂、およびレンズの色収差を引き起こします。Inopaque媒体は、r.i.複素数です:実質部品が屈折を記述する間、想像部品は吸収を説明します。
r.i.の概念はX線からの電波に完全な電磁スペクトルの内で広く利用されています。それはまたライト（例えば、音）以外波現象と使用することができます。この場合音速はライトのそれの代りに使用され、真空以外の参照媒体は選ばれなければなりません。
赤外線ライトのために屈折率はかなりより高い場合もあります。ゲルマニウムは589ナノメーターの波長で透明で、それに赤外線光学のための重要な材料をする約4のr.i.があります。
SiCの屈折の索引:2.55 （赤外線;すべてのpolytypes）